AS4C256K16FO
5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 25/30/35/50 ns的RAS访问时间
- 12/16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 770毫瓦最大（ ASAS4C256K16FO - 50 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
快速页模式
AS4C256K16FO -50计时
也适用于
AS4C256K16FO-60.
刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选件可用于新一代
唯一设备。联系联盟的更多信息。
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
单5V电源供电/内置V
bb
发电机
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
TSOP II
44
1
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
ASC256K16FO
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ + 5V
±
10%)
地
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址
存取时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（OE ）
存取时间
最小的读或写周期
时间
最低EDO页面模式
周期
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
4/11/01; V.0.9.1
ASC256K16FO
–25
25
12
7
7
40
12
200
2.0
–30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
–35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
–50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C256K16FO
功能说明
该AS4C256K16FO是一款高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）的设备组织成
262,144字× 16位。该AS4C256K16FO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4C256K16FO功能是进行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
在任何512的
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行
针对捕获时间缓和与复用寻址相关联的系统级的时序约束。输出三态由
列地址选通（CAS ），其作为一个输出使能独立的RAS 。非常快的CAS输出存取时间例
系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新的A0 -A8的512地址的组合：
RAS-只刷新周期
隐藏的更新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常的读或写周期
自刷新周期。
*
该AS4C256K16FO可在标准的40引脚塑料SOJ和44引脚TSOP II封装兼容广泛使用
自动化测试和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电±10 ％的容差和直接
接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Addreess缓冲区
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
偏置发生器
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4C256K16FO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
IN
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
–1.0
–1.0
–1.0
0
–55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
°C ×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
符号
输入漏
I
IL
当前
输出漏
I
OL
当前
操作
电源
I
CC1
当前
TTL待机
电源
I
CC2
当前
平均功率
电源电流，
I
CC3
RAS刷新
模式
快速页模式
平均功率
I
CC4
电源电流
CMOS待机
电源
I
CC5
当前
CAS先于RAS
刷新电源
I
CC6
电源电流
V
OH
输出电压
V
OL
自刷新
当前
I
CC7
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
+ 5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+ 5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址
骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS = VIH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = =
V
CC
– 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
(V
CC
= 5 ±10％ ，GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–25
最小最大
–10
–10
–
10
10
200
–30
最小最大
–10
–10
–
10
10
180
–35
最小最大
–10
–10
–
10
10
160
–50
最小值最大值单位注释
–10
–10
–
10
10
140
A
A
mA
1,2
–
2.0
–
2.0
–
2.0
–
2.0
mA
–
120
–
200
–
190
–
140
mA
1
–
130
–
190
–
180
–
70
mA
1,2
–
0.60
–
1.0
–
1.0
–
1.0
mA
–
120
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
200
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
190
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
140
–
0.4
2.0
mA
V
V
mA
1
I
OUT
= - 5.0毫安
2.4
I
OUT
= 4.2毫安
–
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
我们
= OE = A0 - A8 = V
CC
–0.2V,
–
DQ0 - DQ15 = V
CC
– 0.2V, 0.2V
开放
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25第3页
AS4C256K16FO
5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 25/30/35/50 ns的RAS访问时间
- 12/16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 770毫瓦最大（ ASAS4C256K16FO - 50 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
快速页模式
AS4C256K16FO -50计时
也适用于
AS4C256K16FO-60.
刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选件可用于新一代
唯一设备。联系联盟的更多信息。
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
单5V电源供电/内置V
bb
发电机
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
TSOP II
44
1
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
ASC256K16FO
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ + 5V
±
10%)
地
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址
存取时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（OE ）
存取时间
最小的读或写周期
时间
最低EDO页面模式
周期
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
4/11/01; V.0.9.1
ASC256K16FO
–25
25
12
7
7
40
12
200
2.0
–30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
–35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
–50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C256K16FO
功能说明
该AS4C256K16FO是一款高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）的设备组织成
262,144字× 16位。该AS4C256K16FO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4C256K16FO功能是进行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
在任何512的
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行
针对捕获时间缓和与复用寻址相关联的系统级的时序约束。输出三态由
列地址选通（CAS ），其作为一个输出使能独立的RAS 。非常快的CAS输出存取时间例
系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新的A0 -A8的512地址的组合：
RAS-只刷新周期
隐藏的更新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常的读或写周期
自刷新周期。
*
该AS4C256K16FO可在标准的40引脚塑料SOJ和44引脚TSOP II封装兼容广泛使用
自动化测试和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电±10 ％的容差和直接
接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Addreess缓冲区
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
偏置发生器
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4C256K16FO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
IN
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
–1.0
–1.0
–1.0
0
–55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
°C ×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
符号
输入漏
I
IL
当前
输出漏
I
OL
当前
操作
电源
I
CC1
当前
TTL待机
电源
I
CC2
当前
平均功率
电源电流，
I
CC3
RAS刷新
模式
快速页模式
平均功率
I
CC4
电源电流
CMOS待机
电源
I
CC5
当前
CAS先于RAS
刷新电源
I
CC6
电源电流
V
OH
输出电压
V
OL
自刷新
当前
I
CC7
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
+ 5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+ 5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址
骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS = VIH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = =
V
CC
– 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
(V
CC
= 5 ±10％ ，GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–25
最小最大
–10
–10
–
10
10
200
–30
最小最大
–10
–10
–
10
10
180
–35
最小最大
–10
–10
–
10
10
160
–50
最小值最大值单位注释
–10
–10
–
10
10
140
A
A
mA
1,2
–
2.0
–
2.0
–
2.0
–
2.0
mA
–
120
–
200
–
190
–
140
mA
1
–
130
–
190
–
180
–
70
mA
1,2
–
0.60
–
1.0
–
1.0
–
1.0
mA
–
120
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
200
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
190
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
140
–
0.4
2.0
mA
V
V
mA
1
I
OUT
= - 5.0毫安
2.4
I
OUT
= 4.2毫安
–
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
我们
= OE = A0 - A8 = V
CC
–0.2V,
–
DQ0 - DQ15 = V
CC
– 0.2V, 0.2V
开放
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25第3页
AS4C256K16FO
5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 25/30/35/50 ns的RAS访问时间
- 12/16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 770毫瓦最大（ ASAS4C256K16FO - 50 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
快速页模式
AS4C256K16FO -50计时
也适用于
AS4C256K16FO-60.
刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选件可用于新一代
唯一设备。联系联盟的更多信息。
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
单5V电源供电/内置V
bb
发电机
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
TSOP II
44
1
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
ASC256K16FO
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ + 5V
±
10%)
地
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址
存取时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（OE ）
存取时间
最小的读或写周期
时间
最低EDO页面模式
周期
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
4/11/01; V.0.9.1
ASC256K16FO
–25
25
12
7
7
40
12
200
2.0
–30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
–35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
–50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C256K16FO
功能说明
该AS4C256K16FO是一款高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）的设备组织成
262,144字× 16位。该AS4C256K16FO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4C256K16FO功能是进行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
在任何512的
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行
针对捕获时间缓和与复用寻址相关联的系统级的时序约束。输出三态由
列地址选通（CAS ），其作为一个输出使能独立的RAS 。非常快的CAS输出存取时间例
系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新的A0 -A8的512地址的组合：
RAS-只刷新周期
隐藏的更新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常的读或写周期
自刷新周期。
*
该AS4C256K16FO可在标准的40引脚塑料SOJ和44引脚TSOP II封装兼容广泛使用
自动化测试和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电±10 ％的容差和直接
接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Addreess缓冲区
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
偏置发生器
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4C256K16FO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
IN
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
–1.0
–1.0
–1.0
0
–55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
°C ×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
符号
输入漏
I
IL
当前
输出漏
I
OL
当前
操作
电源
I
CC1
当前
TTL待机
电源
I
CC2
当前
平均功率
电源电流，
I
CC3
RAS刷新
模式
快速页模式
平均功率
I
CC4
电源电流
CMOS待机
电源
I
CC5
当前
CAS先于RAS
刷新电源
I
CC6
电源电流
V
OH
输出电压
V
OL
自刷新
当前
I
CC7
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
+ 5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+ 5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址
骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS = VIH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = =
V
CC
– 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
(V
CC
= 5 ±10％ ，GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–25
最小最大
–10
–10
–
10
10
200
–30
最小最大
–10
–10
–
10
10
180
–35
最小最大
–10
–10
–
10
10
160
–50
最小值最大值单位注释
–10
–10
–
10
10
140
A
A
mA
1,2
–
2.0
–
2.0
–
2.0
–
2.0
mA
–
120
–
200
–
190
–
140
mA
1
–
130
–
190
–
180
–
70
mA
1,2
–
0.60
–
1.0
–
1.0
–
1.0
mA
–
120
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
200
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
190
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
140
–
0.4
2.0
mA
V
V
mA
1
I
OUT
= - 5.0毫安
2.4
I
OUT
= 4.2毫安
–
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
我们
= OE = A0 - A8 = V
CC
–0.2V,
–
DQ0 - DQ15 = V
CC
– 0.2V, 0.2V
开放
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25第3页
AS4C256K16FO
5V 256K ×16的CMOS DRAM（快速页面模式）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 25/30/35/50 ns的RAS访问时间
- 12/16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 770毫瓦最大（ ASAS4C256K16FO - 50 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
快速页模式
AS4C256K16FO -50计时
也适用于
AS4C256K16FO-60.
刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选件可用于新一代
唯一设备。联系联盟的更多信息。
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
单5V电源供电/内置V
bb
发电机
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
TSOP II
44
1
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
ASC256K16FO
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚名称
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ + 5V
±
10%)
地
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址
存取时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（OE ）
存取时间
最小的读或写周期
时间
最低EDO页面模式
周期
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
4/11/01; V.0.9.1
ASC256K16FO
–25
25
12
7
7
40
12
200
2.0
–30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
–35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
–50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C256K16FO
功能说明
该AS4C256K16FO是一款高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）的设备组织成
262,144字× 16位。该AS4C256K16FO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4C256K16FO功能是进行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
在任何512的
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行
针对捕获时间缓和与复用寻址相关联的系统级的时序约束。输出三态由
列地址选通（CAS ），其作为一个输出使能独立的RAS 。非常快的CAS输出存取时间例
系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新的A0 -A8的512地址的组合：
RAS-只刷新周期
隐藏的更新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常的读或写周期
自刷新周期。
*
该AS4C256K16FO可在标准的40引脚塑料SOJ和44引脚TSOP II封装兼容广泛使用
自动化测试和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电±10 ％的容差和直接
接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Addreess缓冲区
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
偏置发生器
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4C256K16FO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
IN
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
–1.0
–1.0
–1.0
0
–55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
°C ×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
符号
输入漏
I
IL
当前
输出漏
I
OL
当前
操作
电源
I
CC1
当前
TTL待机
电源
I
CC2
当前
平均功率
电源电流，
I
CC3
RAS刷新
模式
快速页模式
平均功率
I
CC4
电源电流
CMOS待机
电源
I
CC5
当前
CAS先于RAS
刷新电源
I
CC6
电源电流
V
OH
输出电压
V
OL
自刷新
当前
I
CC7
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
+ 5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+ 5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址
骑自行车;吨
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS = VIH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = =
V
CC
– 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
(V
CC
= 5 ±10％ ，GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–25
最小最大
–10
–10
–
10
10
200
–30
最小最大
–10
–10
–
10
10
180
–35
最小最大
–10
–10
–
10
10
160
–50
最小值最大值单位注释
–10
–10
–
10
10
140
A
A
mA
1,2
–
2.0
–
2.0
–
2.0
–
2.0
mA
–
120
–
200
–
190
–
140
mA
1
–
130
–
190
–
180
–
70
mA
1,2
–
0.60
–
1.0
–
1.0
–
1.0
mA
–
120
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
200
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
190
–
0.4
2.0
–
2.4
–
–
140
–
0.4
2.0
mA
V
V
mA
1
I
OUT
= - 5.0毫安
2.4
I
OUT
= 4.2毫安
–
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
我们
= OE = A0 - A8 = V
CC
–0.2V,
–
DQ0 - DQ15 = V
CC
– 0.2V, 0.2V
开放
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25第3页
QQ：2880707522 复制
