AS4C256K16E0
5V 256K × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 30/35/50 ns的RAS访问时间
- 16/18/25 ns的列地址访问时间
- 7/10/10/10 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 500毫瓦最大（ AS4C256K16E0-25 ）
- 待机： 3.6毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4C256K16E0-25 ）
EDO页面模式
刷新
- 512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
- 自刷新选项可用于新的发电装置
只。联系联盟的更多信息。
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
5V电源
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
引脚名称
TSOP II
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
PIN码（ S）
A0到A8
RAS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 5V
±
0.5V)
地
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
AS4C256K16E0
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
AS4C256K16E0
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
WE
V
CC
GND
选购指南
符号
最大
RAS
存取时间
最大列地址访问时间
最大
CAS
存取时间
最大输出使能（
OE
）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
AS4C256K16E0-30
30
16
10
10
65
12
180
2.0
AS4C256K16E0-35
35
18
10
10
70
14
160
2.0
AS4C256K16E0-50
50
25
10
10
85
25
140
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
4/11/01; v.1.1
半导体联盟
1 24
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C256K16E0
功能说明
该AS4C256K16E0是由16组织为262144字高性能4兆位的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）
位。该AS4C256K16E0被制造与先进的CMOS技术和设计创新的设计技术产生高
速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
在AS4C256K16E0功能上的任何执行高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读写
512
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个极短的行地址的捕获时间，以纾缓
系统级的时序约束与复用寻址相关的。非常快的CAS输出存取时间简化了系统设计。
在一个8毫秒周期，通过执行以下任一操作完成刷新A0至A8的512地址的组合：
RAS-只刷新周期
隐藏刷新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常读取或写入周期
自刷新周期*
该AS4C256K16E0是标准的40引脚塑料SOJ可与广泛使用的自动40/44引脚TSOP II封装兼容
检测和插入设备。系统级功能包括5V的单电源供电
±
0.5V宽容和直接接口与TTL逻辑
家庭。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
RAS
RAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
地址缓冲器
OE
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
BIAS
发电机
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
4.5
0.0
2.4
–1.0
典型值
5.0
0.0
–
–
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
最大
5.5
0.0
V
CC
+ 1
0.8
单位
V
V
V
V
*自刷新选项仅适用于新的发电装置。联系联盟的更多信息。
4/11/01; v.1.1
半导体联盟
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AS4C256K16E0
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
in
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
0
-55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
o
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
-30
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
-35
民
-10
-10
–
–
-50
民
-10
-10
–
–
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
WE = OE = A0 - A8 = V
CC
-0.2V,
DQ0 - DQ15 = V
CC
-0.2V,
0.2V开放
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
180
2.0
最大
10
10
160
2.0
最大单位注意
10
10
140
2.0
A
A
mA
mA
1,2
TTL待机功耗
I
CC2
电源电流
平均功率
电源电流，
RAS刷新模式
EDO页模式
平均功率
电源电流
CMOS待机
电源
当前
CAS先于RAS
刷新电源
电源电流
输出电压
I
CC3
–
200
–
190
–
140
mA
1
I
CC4
–
190
–
180
–
70
mA
1,2
I
CC5
–
1.0
–
1.0
–
1.0
mA
I
CC6
V
OH
V
OL
I
CC7
–
2.4
–
200
–
0.4
–
2.4
–
190
–
0.4
–
2.4
–
140
–
0.4
mA
V
V
1
自刷新
当前
–
2.0
–
2.0
–
2.0
mA
阴影区域包含预览。
4/11/01; v.1.1
半导体联盟
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