$ XJXVW ????
$6&0(
？ 9 ？ 0I ？ &026 “ 5 0美元？ （' 2
） HDWXUHV
组织： 1,048,576字× 16位
高速
- 45/50/60 ns的RAS访问时间
- 20/20/25纳秒超页面周期时间
- 15年10月12日NS CAS访问时间
1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
- RAS -唯一或CAS先于RAS的刷新读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态DQ
JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP 2
低功耗
- 活动： 740毫瓦最大（ AS4C1M16E5-60 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS DQ
5V电源
工业和商业温度可
扩展数据输出
3LQ DUUDQJHPHQW
62-
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
'4
VCC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
66
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
66
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
66
V
&&
DQ1
DQ2
DQ
DQ4
V
&&
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
3LQ GHVLJQDWLRQ
7623
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
66
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
66
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
PIN码（ S）
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
V
CC
V
SS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
&&
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
66
6HOHFWLRQ JXLGH
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
-45
45
23
10
12
75
20
155
2.0
-50
50
25
12
13
80
20
145
2.0
-60
60
30
15
15
100
25
135
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
3 ？ ？ RI ？
&RS \\ ULJKW ?? $ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU ？ $ OO ULJKWV UHVHUYHG ？
$6&0(
） XQFWLRQDO GHVFULSWLRQ
该AS4C1M16E5是组织为1,048,576字× 16一款高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
位。该设备采用先进的CMOS技术，并导致高速创新的设计技术制造，功耗极低
并在组件和系统级宽的经营利润。联盟16Mb的DRAM的家族被用作主存储器的优化
个人和便携式个人电脑，工作站，以及多媒体和路由器交换的应用程序。
该AS4C1M16E5功能，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）可以在非常被执行超页模式操作
高速由行内切换列地址。行和列地址所使用的下落交替锁存到输入缓冲器
，边缘RAS和xCAS投入分别。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序列
地址之前xCAS断言。该AS4C1M16E5提供了双UCAS和LCAS的读取和写入访问独立字节控制。
扩展数据输出（EDO ） ，也被称为“超页模式下， ”允许高速操作。而相比之下， “快速页模式”设备，数据遗体
有源上xCAS后输出是解除断言高，给系统逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出阻抗
并防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出还要高阻抗的最后occurrance
RAS和xCAS变高。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而xCAS保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： xCAS为低，而RAS被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个xCAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16E5是在标准的42针塑料SOJ可用和44 / 50-脚TSOP 2封装。该AS4C1M16E5设备
工作于5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。
/ RJLFGLDJUDP
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
RSHUDWLQJ FRQGLWLRQV
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
广告
产业
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
V分钟-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
IL
推荐的操作条件下适用于整个本文件，除非另有规定。
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
3 ？ ？ RI ？
$6&0(
$ EVROXWH PD [ LPXP UDWLQJV
参数
输入电压
输入电压（ DQS）
电源电压
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
-65
–
–
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260
×
10
1
50
o
单位
V
V
V
°C
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
7UXWK WDEOH
地址
手术
待机
字读
低字节
读
高字节
读
字
（早期）写
低字节
（早期）写
高字节
（早期）写
读写
第一个周期
EDO阅读
第二个周期
任何周期
第一个周期
EDO写
EDO
读写
只有RAS
刷新
CBR刷新
第二个周期
第一个周期
第二个周期
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
LCAS
H与X
L
L
H
L
L
H
L
H到L
H到L
的LtoH
H到L
H到L
H到L
H到L
H
L
UCAS
H与X
L
H
L
L
H
L
L
H到L
H到L
的LtoH
H到L
H到L
H到L
H到L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H到L
H
H
H
L
L
H到L
H到L
X
H
OE
X
L
L
L
X
X
X
的LtoH
L
L
L
X
X
的LtoH
的LtoH
X
X
t
R
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
t
C
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
COL
COL
COL
COL
不适用
X
DQ0到DQ15
高-Z
数据输出
低字节，
高位字节，数据出
低字节，
数据输出，高字节
DATA IN
低字节，数据中，
高字节，高Z
低字节，高Z ，
高位字节，在数据
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高Z
高Z
3
1,2
2
2
2
1
1
1,2
1,2
笔记
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
3 ？ ？ RI ？
$6&0(
“ & HOHFWULFDO FKDUDFWHULVWLFV
-45
参数
输入leakag
权证
光凭目前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前， RAS刷新
模式或CBR
EDO页模式
平均供电
当前
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
CAS前RAS
刷新当前
符号测试条件
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
0V
≤
V
in
≤
V
CC
（最大）
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
（最大）
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
,
所有其他输入在V
IH
或V
IL
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS的分低后XCAS
低。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V,
F=0
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
155
2.0
-50
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
145
2.0
-60
民
-5
-5
–
–
最大值单位注
+5
+5
135
2.0
A
A
mA
mA
4,5
–
145
–
135
–
125
mA
4
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
I
CC6
–
130
–
120
–
110
mA
4, 5
–
2.4
–
–
2.0
–
0.4
155
–
2.4
–
–
2.0
–
0.4
145
–
2.4
–
–
2.0
–
0.4
135
mA
V
V
mA
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
3 ？ ？ RI ？
$6&0(
&美元SDUDPHWHUV FRPPRQ WR DOO ZDYHIRUPV
-45
符号
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
拉尔
t
ASC
t
CAH
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS保持时间
RAS到CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
转换时间（上升和下降）
刷新周期
CAS预充电时间
列地址到RAS交货时间
列地址设置时间
列地址保持时间
民
75
30
45
8
15
8
10
40
5
0
8
1
–
8
25
0
8
最大
–
–
10K
10K
35
25
–
–
–
–
–
50
16
–
–
–
–
民
80
30
50
8
15
9
10
40
5
0
8
1
–
8
25
0
8
-50
最大
–
–
10K
10K
35
25
–
–
–
–
–
50
16
–
–
–
–
民
100
40
60
10
15
10
10
50
5
0
10
1
–
10
30
0
10
-60
最大
–
–
10K
10K
43
30
–
–
–
–
–
50
16
–
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
7,8
6
9
10
笔记
5HDG F \\ FOH
-45
符号
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
t
RRH
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
民
–
–
–
0
0
0
最大
45
10
23
–
–
–
民
–
–
–
0
0
0
-50
最大
50
12
25
–
–
–
民
–
–
–
0
0
0
-60
最大
60
15
30
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
笔记
9
9,16
10,16
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
3 ？ ？ RI ？
AS4C1M16E5
5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 1,048,576字× 16位
高速
- 45/50/60 ns的RAS访问时间
- 20/20/25纳秒超页面周期时间
- 15年10月12日NS CAS访问时间
1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
- RAS -唯一或CAS先于RAS的刷新读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态DQ
JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
低功耗
- 活动： 740毫瓦最大（ AS4C1M16E5-60 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS DQ
5V电源（ AS4C1M16E5 ）
3V电源（ AS4LC1M16E5 ）
工业和商业温度可
扩展数据输出
管脚配置
SOJ
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
引脚名称
TSOP II
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
PIN码（ S）
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
V
CC
V
SS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
-45
45
23
10
12
75
20
155
1.0
-50
50
25
12
13
80
20
145
1.0
-60
60
30
15
15
100
25
135
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
22 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C1M16E5
功能说明
该AS4C1M16E5是组织为1,048,576字× 16一款高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
位。该设备采用先进的CMOS技术，并导致高速创新的设计制造技术，极低
电源和部件级和系统级宽的经营利润。联盟16Mb的DRAM的家族被用作主存储器的优化
在个人和手提电脑，工作站，以及多媒体和路由器交换的应用程序。
该AS4C1M16E5功能，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行超页模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
下降的RAS和xCAS输入边缘，分别另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
前xCAS断言列地址。该AS4C1M16E5提供了双UCAS和LCAS进行独立控制字节读写
访问。
扩展数据输出（EDO ） ，也被称为“超页模式下， ”允许高速操作。而相比之下， “快速页模式”设备，数据
仍活跃在产出后xCAS撤除高，给系统的逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出
阻抗和防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出也去高阻抗在最后
RAS和xCAS的occurrance要高。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而xCAS保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： xCAS为低，而RAS被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个xCAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16E5是在标准的42针塑料SOJ可用和44 / 50-脚TSOP II封装。该AS4C1M16E5设备
工作于5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。
逻辑框图
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
RAS
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
广告
产业
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
推荐的操作条件下适用于整个本文件，除非另有规定。
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
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AS4C1M16E5
DC电气特性
-45
参数
输入leakag
权证
光凭目前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前， RAS刷新
模式或CBR
EDO页模式
平均供电
当前
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
CAS前RAS
刷新当前
符号测试条件
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
0V
≤
V
in
≤
V
CC
（最大）
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
（最大）
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
,
所有其他输入在V
IH
或V
IL
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS的分低后XCAS
低。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V,
F=0
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
155
2.0
-50
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
145
2.0
-60
民
-5
-5
–
–
最大值单位注
+5
+5
135
2.0
A
A
mA
mA
4,5
–
145
–
135
–
125
mA
4
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
I
CC6
–
130
–
120
–
110
mA
4, 5
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
155
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
145
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
135
mA
V
V
mA
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AS4C1M16E5
5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 1,048,576字× 16位
高速
- 45/50/60 ns的RAS访问时间
- 20/20/25纳秒超页面周期时间
- 15年10月12日NS CAS访问时间
1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
- RAS -唯一或CAS先于RAS的刷新读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态DQ
JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
低功耗
- 活动： 740毫瓦最大（ AS4C1M16E5-60 ）
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS DQ
5V电源（ AS4C1M16E5 ）
3V电源（ AS4LC1M16E5 ）
工业和商业温度可
扩展数据输出
管脚配置
SOJ
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
引脚名称
TSOP II
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
PIN码（ S）
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
V
CC
V
SS
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
-45
45
23
10
12
75
20
155
1.0
-50
50
25
12
13
80
20
145
1.0
-60
60
30
15
15
100
25
135
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
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AS4C1M16E5
功能说明
该AS4C1M16E5是组织为1,048,576字× 16一款高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
位。该设备采用先进的CMOS技术，并导致高速创新的设计制造技术，极低
电源和部件级和系统级宽的经营利润。联盟16Mb的DRAM的家族被用作主存储器的优化
在个人和手提电脑，工作站，以及多媒体和路由器交换的应用程序。
该AS4C1M16E5功能，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行超页模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
下降的RAS和xCAS输入边缘，分别另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
前xCAS断言列地址。该AS4C1M16E5提供了双UCAS和LCAS进行独立控制字节读写
访问。
扩展数据输出（EDO ） ，也被称为“超页模式下， ”允许高速操作。而相比之下， “快速页模式”设备，数据
仍活跃在产出后xCAS撤除高，给系统的逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出
阻抗和防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出也去高阻抗在最后
RAS和xCAS的occurrance要高。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而xCAS保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： xCAS为低，而RAS被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个xCAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16E5是在标准的42针塑料SOJ可用和44 / 50-脚TSOP II封装。该AS4C1M16E5设备
工作于5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。
逻辑框图
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
RAS
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
广告
产业
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
推荐的操作条件下适用于整个本文件，除非另有规定。
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AS4C1M16E5
DC电气特性
-45
参数
输入leakag
权证
光凭目前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前， RAS刷新
模式或CBR
EDO页模式
平均供电
当前
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
CAS前RAS
刷新当前
符号测试条件
I
IL
I
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
0V
≤
V
in
≤
V
CC
（最大）
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
（最大）
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
,
所有其他输入在V
IH
或V
IL
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS的分低后XCAS
低。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V,
F=0
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
155
2.0
-50
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
145
2.0
-60
民
-5
-5
–
–
最大值单位注
+5
+5
135
2.0
A
A
mA
mA
4,5
–
145
–
135
–
125
mA
4
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
I
CC6
–
130
–
120
–
110
mA
4, 5
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
155
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
145
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
135
mA
V
V
mA
4/11/01; v.1.0
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