数据表
低功耗双运算放大器
概述
在AS358 / 358A包括两个独立的，高
增益和内部频率补偿运算
放大器，它们是专门设计来操作
从一个单一的电源。从分割操作
电源也可以与低功率支持
帘布层的漏电流是独立的幅度
电源电压。典型应用
包括传感器放大器，直流增益模块和
最通用的运算放大器电路。
在AS358 / 358A系列是业界兼容
标准的358 AS358A有比较严格的输入失调
电压比AS358 。
在AS358可在DIP - 8和SOIC - 8 ， TSSOP- 8
和MSOP - 8封装， AS358A可在DIP- 8
和SOIC - 8封装。
AS358/358A
特点
·
·
·
·
·
·
内部频率补偿的统一
收益
大电压增益：百分贝（典型值）
低输入偏置电流： 20nA （典型值）
低输入失调电压：为2mV （典型值）
低电源电流： 0.5毫安（典型值）
宽电源电压：
单电源： 3V至36V
双电源： ± 1.5V至± 18V
输入共模电压范围包括
地
大输出电压摆幅： 0V至V
CC
-1.5V
·
·
应用
·
·
·
电池充电器
无绳电话
开关电源
SOIC-8
DIP-8
TSSOP-8
MSOP-8
AS358 / 358A的图1.封装类型
2006年9月修订版1.6
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗双运算放大器
引脚配置
M / P / G / mm封装
(SOIC-8/DIP-8/TSSOP-8/MSOP-8)
输出1
输入1
输入1+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
输出2
输入2-
输入2+
AS358/358A
图2. AS358的引脚配置/ 358A （顶视图）
功能框图
V
CC
6A
4A
100A
Q5
Q6
Q2
-
输入
+
Q10
Q8
Q9
Q1
Q3
Q4
RSC
产量
Cc
Q7
Q11
Q12
50A
Q13
AS358 / 358A的图3.功能框图
（每扩增fi er ）
2006年9月修订版1.6
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗双运算放大器
订购信息
电路类型
空白： AS358
答： AS358A
AS358
AS358/358A
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
G： TSSOP - 8
MM ： MSOP - 8
包
温度
范围
产品型号
铅锡
AS358M
无铅
AS358M-E1
AS358MTR-E1
AS358AM-E1
AS358AMTR-E1
标记ID
铅锡
AS358M
AS358M
无铅
AS358M-E1
AS358M-E1
AS358AM-E1
AS358AM-E1
AS358P
AS358P-E1
AS358AP-E1
EG3A
EG3A
AS358MM-E1
AS358MM-E1
包装类型
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
管
管
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
SOIC-8
-40到85
o
C
AS358MTR
DIP-8
-40到85
o
C
-40到85
o
C
-40到85
o
C
AS358P
AS358P-E1
AS358AP-E1
AS358G-E1
AS358GTR-E1
AS358MM-E1
AS358MMTR-E1
TSSOP-8
MSOP-8
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2006年9月修订版1.6
3
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数据表
低功耗双运算放大器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压
差分输入电压
输入电压
符号
V
CC
V
ID
V
IC
DIP-8
SOIC-8
价值
40
40
-0.3 40
830
550
单位
V
V
V
AS358/358A
功率耗散（T
A
=25
o
C)
工作结温
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
P
D
TSSOP-8
MSOP-8
150
-65到150
260
500
470
mW
T
J
T
英镑
T
领导
o
C
o
C
o
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
CC
T
A
民
3
-40
最大
36
85
单位
V
o
C
2006年9月修订版1.6
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗双运算放大器
电气特性
在标准字体限为T
A
=25
o
C,
胆大
字体适用在-40
o
C至85
o
C（注2 ） ，V
CC
= 5V ， GND = 0V ，除非
另有规定ED 。
参数
符号
测试条件
V
O
= 1.4V ，R
S
=0,
V
CC
= 5V至30V
AS358
AS358A
民
典型值
2
2
最大
5
7
3
5
7
20
5
200
200
30
100
0
0.7
0.5
85
80
60
60
70
60
-120
20
20
10
5
12
50
40
26
26
27
27
5
20
30
mV
28
V
60
15
40
100
70
100
V
CC
-1.5
AS358/358A
单位
输入失调电压
V
IO
mV
平均气温Coeffi-
输入失调电压cient
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围（注3）
电源电流
大信号电压增益
常见
比
动力
比
模式
供应
拒绝
拒绝
V
IO
/T T
A
= -40 85
o
C
I
BIAS
I
IO
V
IR
I
CC
G
V
CMRR
PSRR
CS
I
IN
+或I
IN
-, V
CM
=0V
I
IN
+ - I
IN
-, V
CM
=0V
V
CC
=30V
T
A
= -40 85
o
C，R
L
=∞, V
CC
=30V
T
A
= -40 85
o
C，R
L
=∞, V
CC
=5V
V
CC
=15V, V
O
= 1V至11V ，R
L
≥ 2k
DC ，V
CM
= 0V至（Ⅴ
CC
-1.5)V
V
CC
= 5V至30V
F = 1kHz至20kHz的
V/
o
C
nA
nA
V
mA
dB
dB
dB
dB
mA
mA
A
mA
2
1.2
声道分离
来源
输出电流
SINK
输出短路电流
对地
I
来源
V
IN
+=1V, V
IN
-=0V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V, V
IN
-=1V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V,V
IN
-=1V,V
CC
=15V, V
O
=0.2V
I
SC
V
CC
=15V
V
CC
= 30V ，R
L
=2k
V
OH
I
SINK
输出电压摆幅
V
OL
V
CC
= 30V ，R
L
=10k
V
CC
= 5V ，R
L
= 10k
注2 ：限制在整个温度通过设计保证，但在生产中测试。
2006年9月修订版1.6
5
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数据表
低功耗双运算放大器
概述
在AS358 / 358A包括两个独立的，高
增益和内部频率补偿运算
放大器，它们是专门设计来操作
从一个单一的电源。从分割操作
电源也可以与低功率支持
帘布层的漏电流是独立的幅度
电源电压。典型应用
包括传感器放大器，直流增益模块和
最通用的运算放大器电路。
在AS358 / 358A系列是业界兼容
标准的358 AS358A有比较严格的输入失调
电压比AS358 。
在AS358可在DIP - 8 ，的士司机证- 8和SOIC - 8 ，
TSSOP - 8和MSOP - 8封装， AS358A可用
在DIP -8和SOIC - 8封装。
AS358/358A
特点
·
·
·
·
·
·
内部频率补偿的统一
收益
大电压增益：百分贝（典型值）
低输入偏置电流： 20nA （典型值）
低输入失调电压：为2mV （典型值）
低电源电流： 0.5毫安（典型值）
宽电源电压：
单电源： 3V至36V
双电源供电：
±
1.5V至
±
18V
输入共模电压范围包括
地
大输出电压摆幅： 0V至V
CC
-1.5V
·
·
应用
·
·
·
电池充电器
无绳电话
开关电源
SOIC-8
DIP-8
TDIP-8
TSSOP-8
MSOP-8
AS358 / 358A的图1.封装类型
2013年1月修订版2.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
低功耗双运算放大器
引脚配置
M / G / mm封装
(SOIC-8/TSSOP-8/MSOP-8)
输出1
输入1
输入1+
GND
1
2
3
4
AS358/358A
P / PT包
(DIP-8/TDIP-8)
8
7
6
5
输出1
输入1
输入1+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
输出2
输入2-
输入2+
V
CC
输出2
输入2-
输入2+
图2. AS358的引脚配置/ 358A （顶视图）
功能框图
V
CC
6μA
4μA
100μA
Q5
Q6
Q2
-
输入
+
Q10
Q8
Q9
Q1
Q3
Q4
Cc
Q7
RSC
产量
Q11
Q12
50μA
Q13
AS358 / 358A的图3.功能框图
（每扩增fi er ）
2013年1月修订版2.2
2
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数据表
低功耗双运算放大器
订购信息
AS358
电路类型
空白： AS358
答： AS358A
AS358/358A
-
E1 ：无铅
G1 ：绿
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
PT ：的士司机证- 8
G： TSSOP - 8
MM ： MSOP - 8
包
温度
范围
产品型号
无铅
AS358M-E1
AS358MTR-E1
AS358AM-E1
AS358AMTR-E1
AS358P-E1
AS358AP-E1
绿色
AS358M-G1
AS358MTR-G1
AS358AM-G1
AS358AMTR-G1
AS358P-G1
AS358AP-G1
AS358PT-G1
AS358GTR-E1
AS358MMTR-E1
AS358GTR-G1
AS358MMTR-G1
EG3A
AS358M-E1
AS358M-E1
标记ID
无铅
绿色
AS358M-G1
AS358M-G1
AS358AM-G1
AS358AM-G1
AS358P-G1
AS358AP-G1
AS358PT-G1
GG3A
AS358MM-G1
包装类型
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
管
管
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
SOIC-8
-40到85
o
C
AS358AM-E1
AS358AM-E1
AS358P-E1
AS358AP-E1
DIP-8
TDIP-8
TSSOP-8
MSOP-8
-40到85
o
C
-40到85
o
C
-40到85
o
C
-40到85
o
C
AS358MM-E1
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
2013年1月修订版2.2
3
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数据表
低功耗双运算放大器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压
差分输入电压
输入电压
符号
V
CC
V
ID
V
IC
P
D
T
J
T
英镑
T
领导
DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
MSOP-8
150
-65到150
260
价值
40
40
-0.3 40
830
550
500
470
单位
V
V
V
AS358/358A
功率耗散（T
A
=25
o
C)
工作结温
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
mW
o
C
o
C
o
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
CC
T
A
民
3
-40
最大
36
85
单位
V
o
C
2013年1月修订版2.2
4
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数据表
低功耗双运算放大器
电气特性
在标准字体限为T
A
=25
o
C,
胆大
字体适用在-40
o
C至85
o
C（注2 ） ，V
CC
= 5V ， GND = 0V ，除非
另有规定ED 。
参数
符号
测试条件
V
O
= 1.4V ，R
S
=0Ω,
V
CC
= 5V至30V
AS358
AS358A
民
典型值
2
2
最大
5
7
3
5
7
20
5
200
200
30
100
0
0.7
0.5
85
80
60
60
70
60
-120
20
20
10
5
12
50
40
26
26
27
27
5
53
78
20
30
mV
o
C / W
V
CC
-1.5
AS358/358A
单位
输入失调电压
V
IO
mV
平均气温Coeffi-
输入失调电压cient
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围（注3）
电源电流
大信号电压增益
常见
比
动力
比
模式
供应
拒绝
拒绝
ΔV
IO
/ΔT T
A
= -40 85
o
C
I
BIAS
I
IO
V
IR
I
CC
G
V
CMRR
PSRR
CS
I
IN
+或I
IN
-, V
CM
=0V
I
IN
+ - I
IN
-, V
CM
=0V
V
CC
=30V
T
A
= -40 85
o
C，R
L
=∞, V
CC
=30V
T
A
= -40 85℃ ，R
L
=∞, V
CC
=5V
V
CC
=15V, V
O
= 1V至11V ，R
L
≥ 2kΩ
DC ，V
CM
= 0V至（Ⅴ
CC
-1.5)V
V
CC
= 5V至30V
F = 1kHz至20kHz的
o
μV/
o
C
nA
nA
V
mA
dB
dB
dB
dB
mA
mA
μA
60
mA
2
1.2
100
70
100
声道分离
来源
输出电流
SINK
输出短路电流
对地
I
来源
V
IN
+=1V, V
IN
-=0V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V, V
IN
-=1V, V
CC
=15V, V
O
=2V
V
IN
+=0V,V
IN
-=1V,V
CC
=15V, V
O
=0.2V
I
SC
V
CC
=15V
V
CC
= 30V ，R
L
=2kΩ
V
OH
40
15
I
SINK
输出电压摆幅
V
OL
热阻
（结点到外壳）
θ
JC
V
CC
= 30V ，R
L
=10kΩ
V
CC
= 5V ，R
L
= 10kΩ
DIP-8
SOIC-8
28
V
注2 ：限制在整个温度通过设计保证，但在生产中测试。
2013年1月修订版2.2
5
BCD半导体制造有限公司
QQ：2880707522 复制
