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该AS29LV160组织为2兆字节的8位/ 1兆字节的每16位16兆， 3.0伏的闪存。为
灵活的擦除和编程能力， 8兆比特的数据被分成35扇区： 1 16K， 2 8K， 32K 1 ，并
31 64K字节的扇区;或者一个8K ， 2 4K ， 1 16K和31 32K字扇区。在× 8数据出现在DQ0 - DQ7 ;
在× 16的数据出现在DQ0 - DQ15 。该AS29LV160在JEDEC标准48引脚TSOP ，48引脚BGA提供的，和44引脚SO
（可用性TBD ）封装。本设备被设计为被编程和擦除在系统与单个3.0VV
CC
供应量。该
设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
该AS29LV160提供了70/80/90/120 ns的存取时间，让高速微处理器0等待状态的操作。对
消除总线争用的设备已单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。字
模式（ × 16输出）的选择通过字节=高。字节模式（ × 8输出）由字节选择=低。
该AS29LV160与JEDEC单电源闪存标准完全兼容。写命令被发送到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。内部状态机采用寄存器的内容控制
擦除和编程电路。写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据擦除
操作。读出的数据从该装置中发生的相同的方式与其他闪存或EPROM器件。使用该程序的命令
序来调用自动片上的编程算法，可以自动倍的程序的脉冲宽度和
验证正确的电池余量。使用擦除命令序列来调用自动化芯片擦除算法， preprograms
扇区（如果它尚未被执行擦除操作之前被编程），次擦除脉冲宽度，并验证
适当的细胞保证金。
引导扇区结构使系统从顶部（ AS29LV160T ）或底部（ AS29LV160B ）扇区进行引导。
扇区擦除架构允许指定的存储扇区被擦除和重新编程，而无需更改数据等
部门。一个扇区通常会删除和1.0秒内验证。硬件扇区保护禁止这两种编程和擦除
在所有操作中，或者任意组合的19扇区。该器件提供了真正的背景擦除与擦除挂起，
这使保持擦除操作要么读取数据，或程序数据，即不被擦除的扇区。该芯片擦除
命令会自动删除所有未受保护的行业。
一个出厂AS29LV160完全擦除（所有位= 1 ） 。编程操作设置位为0的数据被编入
该阵列一个字节中的任何序列和跨越扇区边界的时候。一个扇区，必须先擦除，以位从0更改为1 。
擦除返回一个扇区的擦除状态的所有字节（比特= 1）。每个扇区与其它没有影响单独擦除
部门。
该器件具有用于读取单一3.0V电源工作，写和擦除功能。内部生成和调节
提供了用于将编程电压及擦除操作。低V
CC
检测期间自动禁止写操作
电源transtitions 。该RY / BY销， DQ7的数据轮询，或触发位（ DQ6 ）可以被用于检测程序的结束或擦除
操作。上述装置程序后自动复位到读模式/擦除操作完成。 DQ2指示哪些
扇区被擦除。
该AS29LV160抵抗意外删除或电源转换产生的杂散编程信号。控制寄存器
只有成功完成特定的命令序列后，体系结构允许更改的存储器内容。中
上电时，该设备被设置为只读模式，所有的程序/擦除命令无效时， V
CC
小于V
LKO
（锁定
电压）。命令寄存器不受由小于5纳秒上的OE ，CE或WE的噪声脉冲。要开始写命令，
CE和WE必须是逻辑0; OE为逻辑1 。
当设备的硬件复位引脚被拉低，任何正在进行的程序/擦除操作被终止，内部
状态机复位到读模式。如果RESET引脚连接到系统复位电路，并在一个系统复位时
自动化的片上编程/擦除算法，在地址位置的数据被操作可能会损坏，需要
重写。复位装置使系统的微处理器能够从闪存读取引导固件。
该AS29LV160使用福勒- Nordheim隧穿一个部门同时向电擦除所有位。字节
程序1 ，在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
8/30/01; V.0.9.5
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
29 P. 2
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