FL灰
奥斯汀半导体公司
128K ×8闪存
制服行业5.0V FLASH MEMORY
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883
SMD 5962-96690
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
AS29F010
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚陶瓷DIP （ CW）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE \\
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
单5.0V ± 10 ％电源工作
低功耗：
!
12毫安典型的读操作工作电流
!
30毫安典型的编程/擦除电流
!
<1 μA典型待机电流
灵活的部门架构
!
八16K字节扇区
!
任何部门的结合可以被删除
!
整片擦除
扇区保护
!
基于硬件的功能，禁用/重新启用程序
和擦除操作中的扇区的任意组合
!
部门保护/解除保护，可实现
使用标准的PROM编程设备
嵌入式算法
!
嵌入式擦除算法自动预先计划
和擦除芯片或指定的任意组合
扇区
!
嵌入式程序算法自动程序
并在指定地址的数据验证
擦除暂停/恢复
!
从没有被擦除扇区支持读取数据
每个部门最少百万次擦写保证
兼容JEDEC标准
!
引脚排列和软件单加电兼容
供应闪光
!
高级无意写保护
数据\\轮询和切换位
!
提供的检测程序软件的方法或
擦除周期结束
选项
时机
50ns*
60ns
70ns
90ns
120ns
150ns
包
陶瓷DIP （ 600密耳）
记号
-5
-6
-7
-9
-12
-15
CW
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
温
工业温度（ -40 ° C至+ 85°C ）的IT
军用温度（ -55 ° C至+ 125°C ） XT
883C处理（ -55 ° C至+ 125°C ）
883C
QML处理（ -55 ° C至+ 125°C ）
Q
注意事项：
只。
*为50ns （ -5 ），以提供IT方案，XT和883C的选择
AS29F010
修订版0.3 10/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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概述
该AS29F010是为1Mbit ， 5.0伏只FLASH存储器
组织为131,072字节。该AS29F010提供了32针
CDIP包。字节级的数据出现在DQ0 - DQ7 。该
设备被设计成在系统编程用
标准体系5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不
需要编程或擦除操作。该还可以装置
进行编程或擦除在标准EPROM编程器。
此设备是使用0.32微米工艺来制造
技术。它是可用的50个接入倍， 60 ，70， 90 ，
120 ，和为150ns ，允许高速微处理器来
操作无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE \\ ） ，写使能（WE \\） ，并
输出使能（ OE \\ ）的控制。
该设备需要用于只有一个5.0伏的电源
读取和写入功能。内部生成的，
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源Flash标准。命令
使用标准微处理器写入到命令寄存器
写时序。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。
写周期内部也需要锁存地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
装置是相似的，从其他闪存或EPROM读
设备。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用嵌入式程序
算法 - 内部算法，可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将调用嵌入式擦除算法 - 一个
内部算法，可以自动preprograms阵列（如果它
是不是已经编程）执行擦除前
操作。在擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后通过阅读DQ7 （数据\\轮询）和
DQ6 （切换）状态位。经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据的内容
其他部门。从发货时，该设备将被删除
工厂。
硬件数据保护措施，包括低V
CC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。硬件扇区保护功能
禁用这两个程序在任何擦除操作
组合的存储器的扇区，并且被实现
使用标准EPROM编程器。
该系统可以将器件置于待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。该
设备同时电擦除一个扇区内的所有位
通过福勒- Nordheim隧穿。该字节编程
一次一个字节使用EPROM编程机制
热电子注入。
AS29F010
引脚配置
针
A0 - A16
DQ0 - DQ7
CE \\
OE \\
WE \\
V
CC
V
SS
NC
描述
17地址
8数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5沃尔德单电源
接地装置
无连接
逻辑符号
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功能框图
AS29F010
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设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作，这是通过内部开始
命令寄存器。命令寄存器本身不
占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是
存储的命令，随着闩锁组成
需要的地址和数据信息，以执行该命令。
该寄存器的内容作为输入到内部状态
机。状态机输出规定的功能
装置。相应的设备总线操作表列出了
需要的输入和控制水平，并将得到的输出。
下面的小节介绍这些操作
在进一步的细节。
AS29F010
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括
数据编程到设备和擦除的存储器扇区） ，
该系统必须驱动WE \\和CE \\到V
IL
和OE \\到V
IH
.
擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，
或整个设备。扇区地址表标明
每个扇区占据的地址空间。 A“扇区地址”
由需要唯一地选择一个地址位
部门。请参阅“命令定义”一节的详细信息
擦除一个扇区或整个芯片。
在系统中写入自动选择命令序列，
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码（这是
分开的存储器阵列）上DQ7 - DQ0 。标准读
循环定时适用于这种模式。请参阅“自选
模式“和”自动选择命令序列“部分的详细
信息。
I
CC2
在DC特性表代表活动
当前规范为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格表
和时序图，用于写操作。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据，系统必须驱动
在CE \\和OE \\引脚V
IL
。 CE \\是功率控制和
选择该设备。 OE \\是输出控制和门阵列
数据到输出引脚。 WE \\应保持在V
IH
.
内部状态机设置为读取阵列数据
当设备加电时，或者经过一个硬件复位。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的，这
模式，以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期
在器件地址输入断言有效地址
生产上的设备数据输出有效数据。该装置
保持启用，直到命令寄存器的读访问
内容也被改变。
见“读阵列数据”的详细信息。请参阅
交流读操作表，定时规范和
的读操作时序图的时序波形。
ICC1在DC特性表代表活动
目前规范阵列读取数据。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过对读出状态位，检查操作的状态
DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读
规格适用。请参阅“写操作状态”
更多信息，并在每个AC特性部分
相应的数据表进行时序图。
表1 ：设备总线操作
手术
读
写
待机
输出禁用
硬件复位
CE \\
L
L
V
CC
± 0.5V
L
X
OE \\
L
H
X
H
X
WE \\
H
L
X
H
X
地址
1
DQ0 - DQ7
A
IN
A
IN
X
X
X
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
1.地址是A16 ： A0 。
2，行业保护和部门撤消功能必须通过编程设备来实现。请参阅“扇区保护/
解除保护“一节。
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待机模式
当系统没有读取或写入设备，它
可将设备置于待机模式。在这种模式下，电流
消耗大大减少，并且输出被放置在
高阻抗状态，独立的OE \\输入。
该器件进入CMOS待机模式时， CE \\
引脚保持在V
CC
± 0.5V 。 （注意，这是一个更受限制
电压范围比V
IH
）。该器件进入待机TTL
更多的时候CE \\保持在V
IH
。设备需要的标准
访问时间（吨
CE
）它准备读出的数据之前。
如果设备被擦除或编程的过程中取消选择，
该器件消耗的有功电流，直到操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表了备用
目前的规范。
AS29F010
地址位是不在乎。当一切必要的位具有
被设置为所需的，则编程设备然后可以
读取相应的识别代码DQ7 - DQ0
访问自动选择代码在系统中，主机系统
可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令，如
该命令定义表所示。此方法不
不需要V
ID
。请参阅“命令定义”的详细信息
使用自动选择模式。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。硬件
部门解除保护功能重新启用这两个编程和擦除
在操作之前保护部门。
部门保护/解除保护必须落实
使用编程设备。该过程需要高
电压（V
ID
）上的地址引脚A9和控制引脚。该
出厂时的所有部门保护。因此能够
判断一个扇区是否是受保护或未受保护的。看
“自选模式”的详细信息。
输出禁止模式
当OE \\输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
状态。
自选模式
自选模式提供了制造商和设备
识别和部门保护的验证，通过
识别码输出上DQ7 - DQ0 。此模式是主要
用于编程设备，自动匹配
设备到与其相应的节目进行编程
算法。然而，在自动选择的代码也可以被访问
在系统通过命令寄存器。
当使用编程设备中，自动选择模式
需要V
ID
在地址引脚A9 。地址引脚A6 ， A1和A0
必须在自动选择代码中所示的（高电压
法）表。此外，检验部门的保护时，
扇区地址必须出现在最合适的
地址位。参考相应的扇区地址
表。该命令定义表显示剩余
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
编程或擦除数据提供保护，防止
意外写操作（参见命令定义表） 。在
此外，下面的硬件数据保护措施
防止意外擦除或编程，这可能
否则将被系统杂散电平信号时引起的
V
CC
上电和掉电转换，或从系统
噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
时，设备不接受
任何写周期。这期间， V保护数据
CC
电和
掉电。命令寄存器和所有内部程序/
表2 ：扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A16
0
0
0
0
1
1
1
1
A15
0
0
1
1
0
0
1
1
A14
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H - 03FFFh
04000h - 07FFFh
08000H - 0BFFFh
0C000h - 地址0FFFFh
10000H - 13FFFh
14000h - 17FFFh
18000H - 1BFFFh
1C000h - 1FFFFH
注意：
所有行业都是16字节大小。
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