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#
$65<)343
89#45;.;#&026#)ODVK#((3520
） HDWXUHV
组织： 128K ×8位
扇区擦除架构
- 四个32K × 8部门
读/写操作单5.0 ± 0.5V电源
高速120/150纳秒地址访问时间
低功耗：
- 30毫安最大读取电流
- 80 mA（最大值）编程电流
- 1.5 mA（最大值）待机电流
- 1 mA（最大值）待机电流（低功率）
万写/擦除周期耐力
JEDEC标准的写周期命令
- 可以防止意外更改数据
编程/擦除周期结束的信号：
- 数据查询
- DQ6切换
低V
CC
写锁定3.2V以下
JEDEC标准封装及引脚排列：
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
/ RJLF ＃＃ GLDJUDP
DQ
0
-DQ
7
V
CC
V
SS
3LQ#DUUDQJHPHQW
32-pin
PDIP
擦除电压
开关
输入/输出
缓冲器
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE
NC *
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32-pin
PLCC
A12
A15
A16
NC
V
CC
WE
NC *
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
AS29F010
WE
状态
控制
命令
注册
编程电压
开关
数据
LATCH
AS29F010
CE
OE
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
地址锁存
低V
CC
探测器
A
0
~A
16
编程/擦除
脉冲定时器
y解码器
Y型GATING
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
DQ1
DQ2
V
SS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
14
15
16
17
18
19
20
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
X解码器
1,048,576位
细胞矩阵
AS29F010
6HOHFWLRQ#JXLGH
AS29F010-120
最大访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
t
AA
t
CE
t
OE
120
120
50
AS29F010-150
150
150
50
单位
ns
ns
ns
','#4407333:0$1#72:233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
4
版权所有1998联半导体公司。版权所有。
这种材料版权归其各自的制造商
$65<)343
） XQFWLRQDO ＃ GHVFULSWLRQ
该AS29F010是一个高性能的1兆位5伏只有闪光组织为128K字节的每个字节8位存储器。它被分成四个
32K的部门每个字节。每个扇区被个别地擦掉和不影响在其它扇区的数据进行编程。所有PROG RAM，擦除，
和验证操作只有5伏，并且不需要外接12V电源引脚。在系统可编程所需的所有功能
提供的。
该AS29F010提供高性能的120或150 ns的最大访问时间。芯片使能（ CE ） ，输出使能（ OE ）和
写使能（ WE）引脚允许简单的接口与系统总线。
编程，擦除和验证操作控制使用JEDEC标准写入片内指令寄存器状态机
的方法来输入命令。每个命令需要执行的四个写入周期。地址和数据在所有内部锁存
写，擦除和验证操作，和一个内部定时器终止各个指令。该芯片具有200 μ s的典型定时器周期的所有
命令，但擦除，其具有800毫秒的典型周期。在正常情况下，一个扇区可完全编程和验证
在不到12秒。编程，擦除和验证部门通常需要不到18秒。
数据保护由低-V提供
CC
锁定和错误检查在写状态机。数据轮询和切换位模式
用来表明芯片正在执行一个命令时， AS29F010写操作期间被读出或擦除操作。擦除或P ogram后
命令，验证- 1 andVerify - 0命令模式确保有足够的裕度运行可靠。 （参见第5页上的命令摘要）
该AS29F010封装采用32引脚DIP ， PLCC和TSOP封装符合JEDEC标准引脚一兆位闪存。
$ UUD \\ ＃ DUFKLWHFWXUH ＃ DQG ＃ GDWD ＃ SRODULW \\
该阵列包括128K （ 131,072 ）个字节分为四个扇区的每个32K字节。地址A15和A16选择了四个部门：
扇形
0
1
2
3
地址范围
00000h–07FFFh
08000h–0FFFFh
10000h–17FFFh
18000h–1FFFFh
地址引脚
A0–A5
A6–A14
A15–A16
功能
CA ：列地址00-3Fh
RA ：行地址000-1FFh
SA ：扇区地址0-3h
该AS29F010出厂时设置为1。编程位的所有位擦除状态设置为0的数据编程到一个光一个字节
的时间。所有的编程位仍设置为0，直到该部门将被删除，并使用SectorErase和验证algorit HM验证。擦除回报
在一个32K扇区的擦除状态FFH的所有字节，或设置为1的每个扇区中的所有位被用在其他行业没有影响个别地擦除。
)/$6+
2SHUDWLQJ#PRGHV
该AS29F010由写状态机（ WSM）用于解释和执行指令的控制。在上电时的WSM复位为
正常的读模式。一旦一个命令是通过写数据到DQ管脚与WE销启动的，则WSM进入命令模式，并
保持在芯片上电，直到该命令结束。后的指令是由内部计时器终止时， WSM返回到
正常的读模式。
5
这种材料版权归其各自的制造商
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
','#4407333:0$1#72:233
#
$65<)343
0RGH#WDEOH
模式
读
输出禁用
待机
制造商。代码
器件代码
写命令
KEY：
CE
L
L
H
L
L
L
OE
L
H
H
L
L
H
WE
H
H
H
H
H
L
A0
A0
X
X
L
H
A0
A9
A9
X
X
Vh
Vh
A9
DQ
D
OUT
高Z
高Z
52h
CODE （ 03H ， 04H ， 06H ）
D
IN
L =低（ <VIL ） ; H =高（ >VIH ） ; VH = 11.5-12.5V ; X =无关
阅读方式：
选定符合CE和OE低，我们高。数据是有效的TAA后的地址是稳定的，经过CE TCE为低， OE后趾低。
输出禁用：
部分保持通电;但随着OE禁用输出拉高。
待机：
部分断电，和ICC降至1.5毫安TTL电平输入（ <1.0毫安为CMOS输入电平） 。
制造商。 （制造商）代码，设备代码：
通过A9 = 11.5-12.5V选中。当CE及OE拉低该输出被使能和一个数据字节被读出。
当A0拉低输出数据= 52H ，独特的制造商。对于联盟的半导体闪存产品的代码。当A0为高DOUT = 03H ， 04H ， 06H ，则
联盟的设备代码为AS29F010 。
写命令：
通过CE选择我们拉到低电平， OE拉高。启动命令模式在WSM和锁存地址和数据到芯片中。一旦
写命令开始，在WSM停留在命令模式下，直到命令完成或超时。地址锁存WE的下降沿
和CE ，以后到为准;数据被锁存上升沿o我们和CE ，以先到为准。 WE信号进行滤波，以防止虚假的事件
从被检测为写命令。
&RPPDQG ＃ IRUPDW
所有命令都需要四个总线写周期来执行。后4个写周期执行该命令，直到通过第i nternal终止
定时器。为了验证写命令后，读操作
[4]
在写命令的总线周期中读出从thearray的数据。对于制造商
和设备代码指令的ID码被读出。对于其他操作在读操作中读出的输出一个状态字节。
地址
总线写
[1]
总线写
[2]
总线写
[3]
总线写
[4]
总线读
5555h
2AAAh
5555h
地址
地址
DATA IN
AAH
55h
命令代码
DATA IN
D
OUT
命令超时：
对于每一个操作的地址和数据被锁存在
总线写
[4]
并保持，直到操作完成，并多次出。后
超时WSM返回AS29F010到正常模式。每一个人
操作要求4周期写入命令序列来执行。该
后超时AS29F010不会留在命令模式。当一个
命令时，只出错误标志不复位。
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
一个错误
第二超时：
以下任一条件的设置错误标志。
所有写入命令不序列匹配上面写
{1]
。写
{2]
和写入
[3]
.
任何写周期遵循以前的写周期结束后超过150微秒。
命令数据
[3]
在写
[3]
拥有多台位设置为高。这说明冲突的命令。
V
CC
低于V
LKO
在命令执行。
一旦错误标志被置位，则AS29F010超时并返回到正常Readmode 。错误标志保持，直到被复位清零
命令。错误标志可以通过执行一个状态命令和读状态字节被读出。
&RPPDQG ＃ FRGHV ＃ DQG ＃ WLPH ＃ RXW
命令代码表显示每个命令所需模式的总线周期。读取延迟写操作之后的最小延迟
[4]
中
前一有效的读写命令总线周期可以被执行。超时表示最大延迟之前WSM返回
AS29F010到正常模式。擦除有一个较长的超时比其他模式。状态字节几乎可以立刻写后读
[4]
但
校验命令需要25微秒的延迟读取有效数据。
','#4407333:0$1#72:233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
6
这种材料版权归其各自的制造商
$65<)343
&RPPDQG ＃ FRGH ＃ WDEOH
模式
RESET
状态
ID读
CODE
Verify-0
Verify-1
汇集
节目
抹去
D
IN[3]
写
[3]
数据
00h
01h
02h
04h
08h
10h
40h
80h
A
IN[4]
写
[4]
地址
x
x
0000h
0001h
A
IN
A
IN
A
IN
A
IN
A
IN
D
IN[4]
数据
x
x
x
x
x
x
00h
D
IN
FFH
阅读地址
0000h
0000h
0000h
0001h
A
IN
A
IN
A
IN
A
IN
A
IN
读数据
状态
状态
制造商。代码
器件代码
D
OUT
D
OUT
状态
状态
状态
读取延迟
100纳秒
100纳秒
52H为100 ns
04H为100 ns
25 s
25 s
100纳秒
100纳秒
100纳秒
最大超时
250 s
250 s
250 s
250 s
250 s
250 s
250 s
1000 s
&RPPDQG ＃ DOJRULWKPV
个人写命令一起使用八个编程和擦除算法来保证AS29F010运营利润率为
生活的一部分。请参阅AS29F010编程规范的算法细节编程和擦除操作。
5HFRPPHQGHG#RSHUDWLQJ#FRQGLWLRQV
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.0
–0.5
典型值
5.0
0
-
-
+7
D
## 3& ＃ WR ＃ ： 3& ，
最大
5.5
0
V
CC
+ 1.0
0.8
单位
V
V
V
V
)/$6+
$ EVROXWH ＃ PD [ LPXP ＃ UDWLQJV
参数
输入电压（输入或DQ引脚）
输入电压（ A9引脚）
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
IN
V
IN
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
I
OUT
I
IN
民
–1.0
–1.0
–1.0
+4.5
–55
–65
-
-
最大
V
CC
+ 1.0
+13.0
V
CC
+ 1.0
+5.5
+125
+125
100
±100
单位
V
V
V
V
°C
°C
mA
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对MAX-
imum条件下，其期限可能会影响其可靠性。
7
这种材料版权归其各自的制造商
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
','#4407333:0$1#72:233
#
$65<)343
0D[LPXP#QHJDWLYH#RYHUVKRRW#ZDYHIRUP
20纳秒
20纳秒
-2.0V
V
CC
+2.0V
V
CC
+0.5V
+2.0V
20纳秒
20纳秒
20纳秒
+0.8V
-0.5V
20纳秒
0D[LPXP#SRVLWLYH#RYHUVKRRW#ZDYHIRUP
“ & ＃ HOHFWULFDO ＃ FKDUDFWHULVWLFV
参数
输入负载电流
输出漏电流
输出短路电流
工作电流，读@ 6MHz的
有功电流，编程/擦除
待机电流
输入：低电平
输入：高电平
输出低电压
输出高电平
低V
CC
锁定电压
高压输入电压选择
符号
I
LI
I
LO
I
OS
I
CC
I
CCPRG
I
SB1
（ TTL）的
I
文建会
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
ID
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -2.5毫安
I
OH
= -100 A
测试条件
+9
&&
# #813“3189/#9
66
# #39/#7
D
## 3& ＃ WR ＃ ： 3& ，
民
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
2.0
-
2.4
V
CC
- 0.4
3.2
11.5
最大
±1
±1
100
30
50
1.5
1.0
2
0.8
V
SS
+ 0.3
0.45
-
-
4.2
12.5
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
SS
= V
最大
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
SS
= V
最大
V
OUT
= 0.5V
CE = V
IL
， OE = V
IH
CE = V
IL
， OE = V
IH
CE = V
IH
RP = 0V
I
SB2
（ CMOS ） CE = V
CC
)/$6+
)/$6+
)/$6+
)/$6+
V
V
V
V
V
1RWHV
1
2
3
不超过一个输出同时进行试验。短路的持续时间不得>1秒。
OUT
= 0.5V选择，以避免测试问题
造成地面测试降解。 （这个参数进行采样，而不是100 ％测试，但性能可以保证。 ）
在我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 6兆赫） 。的频率成分一般
小于2毫安/ MHz的OE在V
IH
.
I
CC
积极而编程或擦除操作正在进行。
','#4407333:0$1#72:233
$//,$1&(#6(0,&21'8&725
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