UVEPROM
奥斯汀半导体公司
256K UVEPROM
紫外线可擦除可编程
只读存储器
作为军事
特定网络阳离子
-55℃至125℃的操作
军事处理方法MIL- PRF- 38535 ，类Q
商业版本可用
AS27C256
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚DIP （J ）
（ 600密耳）
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G\
A10
E\
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
特点
组织32,768 ×8
单+ 5V ± 10 ％电源
与现有的256K ROM的和EPROM的引脚兼容
所有输入/输出完全兼容TTL
省电的CMOS技术
非常高速的FLASHRITE脉冲编程
3态输出缓冲器
400 mV的直流放心噪声抗扰度标准TTL
负载
250 mA的所有输入和输出管脚闭锁免疫
低功耗（ CMOS输入电平）
- 活动 - 165mW最坏情况
-Standby - 1.7MW最坏情况（ CMOS输入电平）
*未来高速祭55ns ， 70ns的，为90ns
32引脚LCC （ ECA ）
（ 450× 550密耳）
A7
A12
A12
A14
6
A10
V
PP
NC
NC
V
CC
V
CC
A15
A14
CE2
A13
4 3 2 1 32 31 30
选项
时机
120ns的访问
为150ns访问
170ns的访问
200ns的访问
250ns的访问
300ns的访问
55ns存取
为70ns存取
为90ns存取
记号
-12
-15
-17
-20
-25
-30
-55
-70
-90
A6
5
A7
A5
6
A6
A4
7
A5
A3
8
A4
A2
9
A3
A2 10
A1
A1 11
A0
A0 12
NC
DQ1 13
DQ0
29
A8
\
WE
28
A9
A13
27
A11
A8
26
NC
A9
25
G\
A11
24
A10
\
OE
23
E\
A10
22
DQ7
\
CE1
21
DQ6
DQ8
14 15 16 17 18 19 20
引脚名称
针
A14
A0 -
名字
DQ0-DQ7
E\
G\
GND
V
CC
地址
输入（编程） /输出
芯片使能/关机
OUTPUT ENABLE
地
5V电源
13V编程电源
包（ S）
陶瓷DIP （ 600mils ）
第110号
陶瓷LCC （ 450× 550密耳）， ECA 208号
加工/工作温度范围
整个军用（ -55
o
C至+ 125
o
C)
M
工业级（-40° C至+ 85°C ）
I
o
o
军用温度（ -55℃至+ 125 ℃） XT
V
PP
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AS27C256
2.0版本7/06
1
DQ1
DQ2
DQ2
DQ3
V
SS
GND
DQ4
NC
DQ5
DQ3
DQ6
DQ4
DQ7
DQ5
功能
功能
输入
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
概述
该AS27C256系列是一组262,144位，紫外线光
可擦写，电可编程的只读
回忆。
这些器件采用省电的CMOS制造技
术用于高速和简单接口与MOS和连接双极
LAR电路。所有的投入（包括程序数据输入）即可
通过系列54 TTL电路，无需使用外部驱动
上拉电阻。每个输出可以驱动一个54系列TTL
电路，无需外部电阻器。数据输出为三态
用于连接多个设备连接到
常见的总线。该
AS27C256是引脚兼容的28引脚256K ROM和
EPROM中。它被提供在一个600mil的双列直插式陶瓷封装
（J后缀）和450× 550密耳陶瓷LCC （ ECA后缀）额定
经营范围从-55 ° C至125°C 。
因为这EPROM从单一5V电源供电（在
读取模式）时，它是非常适合于基于微处理器的系使用
TEMS 。一个其它电源（ 12.75V ） ，需要进行编程。
所有的编程信号是TTL电平。该装置是
亲
可编程的AMD FLASHRITE脉冲编程algo-
rithm 。该FLASHRITE脉冲编程算法使用
V
PP
12.75VV和Ⅴ的
CC
6.25V的额定节目
4秒的时间。到体系外的编程，
现有EPROM编程器都可以使用。位置可以是
单独地编程，以块或随机的。
AS27C256
功能框图*
EPROM 32,768 ×8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E\
G\
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27
20
22
0
A
0
32,767
A
A
A
A
A
A
A
A
11
12
13
15
16
17
18
19
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
[ PWR DWN ]
＆放大器;
EN
*这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
手术
在7种工作模式的AS27C256列于表1中。读模式需要一个单一的5V电源。
所有的输入是TTL电平，除了V
PP
编程（ 12.75V为FLASHRITE脉冲） ，和（12V）上A9中
签字模式。
AS27C256
表1.操作模式
功能
（ PINS）
E\
G\
V
PP
V
CC
A9
A0
DQ0-DQ7
读
V
IL
V
IL
X
1
V
CC
X
X
数据输出
产量
STANDBY编程
关闭
V
IL
V
IH
X
1
V
CC
X
X
高-Z
V
IH
X
X
1
V
CC
+/-.3V
X
X
高-Z
V
IL
V
IH
V
PP
V
CC
X
X
DATA IN
模式*
VERIFY
V
IH
V
IL
V
PP
V
CC
X
X
数据输出
节目
签名模式
抑制
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
CC
X
X
高-Z
V
ID
2
V
IL
V
CC
V
CC
V
ID
2
V
IH
CODE **
MFG
设备
01h
10h
V
IL
1
2
对于正常待机&读操作， VPP是无所谓X.
V
ID
= 12V +/- .5V
注意事项：
* X可以是V
IL
或V
IH
**
芯片是AMD 。用户可以通过从设备选择AM27C256上的台式程序员编程
类型选择菜单。
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
读/输出禁止
当两种或更多种AS27C256的输出端被连接在
平行在同一总线上，任何特定的设备中的输出
该电路可以被读取，没有从compet-干扰
系统其它设备的输出。要读取的输出
选AS27C256 ，一个低电平信号被施加到E \\和G \\ 。
电路中的所有其他设备应该有它们的输出
通过施加一个高电平信号到其中一个引脚禁用。
输出数据通过DQ7访问的管脚DQ0 。
AS27C256
FLASHRITE脉冲编程
该AS27C256 EPROM是通过使用了AMD编程
如图所示由FLASHRITE脉冲编程算法
在图1中该算法的程序的设备流程图
4秒标称时间。实际编程时间变化的
该编程器的功能使用。
数据被呈现在并行（8位）上的引脚DQ0到DQ7的。
一旦地址和数据是稳定的，E \\是脉冲的。
该FLASHRITE脉冲编程算法使用初始
为100微秒（ μs）内后跟一个字节verifica-脉冲
化步骤，以确定何时寻址字节已经suc-
功地编程。每个字节最多25 100μs的脉冲
提供前一个故障是公认的。
编程模式，实现当V
PP
= 12.75V,
V
CC
= 6.25V ，G \\ = V
IH
和E \\ = V
IL
。一个以上的装置可为
编程时，器件被并联连接。某些地区可能
令可以以任何顺序进行编程。当AMD
FLASHRITE脉冲编程例程完成，所有的位
与V验证
CC
= V
PP
= 5V.
闭锁抗扰度
在AS27C256闭锁免疫力是最低为250mA
所有输入和输出。此功能提供闭锁
im-
社区之外在印刷任何潜在的瞬态
税务局局长
当EPROM接口采用行业CUIT板级
标准TTL或MOS逻辑器件。输入/输出布局
方法控制闭锁而不会影响性能
或堆积密度。
掉电
我主动
CC
电源电流可从25毫安（ AS27C256-减小
12至AS27C256-25 ）至1mA （TTL电平输入）或300μA
（ CMOS电平输入）通过施加高TTL / CMOS信号到
电子\\销。在这种模式下的所有输出处于高阻抗
状态。
禁止程序
编程可通过保持一个高水平地抑制
输入关于电子商务\\ 。
删除
在编程之前，所述AS27C256被曝光的擦除
通过透明盖芯片以高强度的紫外线
光（波长2537埃） 。 EPROM擦除编程前
明是必要的，以确保所有的位是在逻辑高
状态。逻辑低点被编程到所希望的位置。一
编程的逻辑低，只能被紫外光擦除。
建议的最低照射剂量（紫外线强度X EX-
曝光时间）为15W 秒/厘米
2
。一个典型的12兆瓦/厘米
2
，紫外线滤波器
灯擦除设备中的21分钟。该灯应
擦除时位于约2.5cm的片以上。 era-后
当然，所有的位都在高状态。但是应当注意的是，正常
环境光包含正确的波长擦除; there-
前，使用AS27C256时，窗口应覆盖
用不透明的标签。
程序校验
编程位可以用V验证
PP
= 12.75V当G \\ =
V
IL
和E \\ = V
IH
.
签名模式
签名模式提供了访问一个二进制码
iDEN的
tifying制造商和设备类型。这个模式被激
氧基团时， A9被迫12V ± 0.5V 。两个标识符字节
由A0 （端子10 ）进行访问;即A0 = V
IL
访问制造
商代码，这是DQ0 - DQ7输出; A0 = V
IH
访问
设备代码，这也是对DQ0 - DQ7输出。所有其他
地址必须在VIL举行。每个字节为奇校验
对位DQ7 。制造商代码对这些设备的01H
和设备代码为10h 。
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
UVEPROM
奥斯汀半导体公司
AS27C256
图1. FLASHRITE脉冲编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 6.25V ， VPP = 12.75V
X=0
节目中的一个100us的脉冲
增量X
程序设计
部分
X = 25 ?
NO
节目
VERIFY
BYTE ？
通
LAST
地址？
是的
失败
增量地址
NO
是的
VCC = VPP = 5.25V
读
VERIFY
部分
读
VERIFY
字节？
失败
设备失败
通
设备传递
AS27C256
2.0版本7/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
QQ：2880707522 复制
