初步
PHEMT的砷化镓集成电路高线性度和
隔离SPDT开关DC- 3 GHz的
AS201-306
特点
■
正电压控制（ 0 / + 3为0 / + 5 V ）
■
高隔离度（45 dB的0.9 GHz的
和40 dB的1.9千兆赫）
■
MLF -16型4 ×4毫米包装
■
高线性度（ 60 dBm的@ 900兆赫）
0.011 (0.28 mm)
+ 0.003 (0.07 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
16
MLF- 16（4 ×4mm）所
0.039 （1.00 mm）最大。
销1
指标
1
0.157
(4.00 mm)
SQ 。 BSC
0.001
(0.025 mm)
座位
飞机
描述
该AS201-306是PHEMT的砷化镓集成电路单刀双掷开关
封装在一个16引脚无引线裸露焊盘塑料
封装低成本，高隔离度的商业
应用程序。典型的应用包括GSM，DCS ，
WCDMA的2.4GHz的ISM和无线本地环路。
0.15 (2.10 mm)
0.006 (0.083 mm)
0.083 (2.10 mm)
0.024 (0.60 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.004 (0.10 mm)
0.078 （1.95 MM） REF 。
4× 0.016 （0.40 MM）
0.026 （0.65 MM） BSC
0.078 （1.95 MM） REF 。
电气规格（ 0 ，+ 5 V） 25℃
参数
1
插入损耗
条件
频率
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
对于双音输入功率+30 dBm的
0.5-3.0 GHz的
V
CTL
（低） = 0 0.2 V @ 20 μA典型值。
V
CTL
（高）= +3 V @ 100 μA典型值。至+5 V @ 200 μA典型值。
测量3纳秒3.视频馈通脉冲的上升时间。
分钟。
典型值。
0.8
0.9
1.2
马克斯。
1.0
1.1
1.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
隔离
2
42
35
30
44
40
35
1.3:1
60
VSWR
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2.背面露出焊盘必须被连接到RF接地，以获得
指定的隔离。
Skyworks的解决方案，公司
[978] 241-7000
传真
[978] 241-7906
电子邮件
sales@skyworksinc.com
www.skyworksinc.com
规格如有变更，恕不另行通知。 11 / 01A
1
PHEMT的砷化镓集成电路高线性度和隔离SPDT开关DC- 3 GHz的
AS201-306
典型性能数据（ +3 V ，C
BL
= 47 pF的）
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
-1.2
-1.3
-1.4
-1.5
0
0.5
0
-10
-20
插入损耗（dB ）
隔离度（dB ）
-30
J
1
–J
3
-40
-50
-60
-70
-80
J
1
–J
2
J
1
–J
3
J
1
–J
2
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
隔离与频率的关系
1.5
1.4
引脚输出（顶视图）
GND
GND
J
1
GND
1.3
VSWR
1.2
1.1
1.0
S
11
- J
3
S
11
- J
2
V
2
J
3
GND
J
2
S
22
- J
2
0.9
0.8
S
22
- J
3
N / C
N / C
V
1
N / C
GND
N / C
GND
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
VSWR与频率的关系
隔直流电容器（C
BL
）所需的正电压操作。
C
BL
= 47 pF适用于工作频率为>500兆赫。
真值表
V
1
0
V
高
V
高
= +3 V至+5 V.
V
2
V
高
0
J
1
–J
2
隔离
插入损耗
J
1
–J
3
插入损耗
隔离
2
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传真
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