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砷化镓集成电路高功率SPDT开关
阳性对照DC- 3 GHz的
AS150-59
特点
I
高线性度（ IP3 55 dBm的@ 1.9 GHz的）
I
高隔离度（22 dB的1.9千兆赫）
I
低插入损耗（0.55 dB的1.9千兆赫）
I
低DC功耗
I
正3 V或5 V的电压控制
销1
0.012 (0.30 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
MSOP-8
0.0256 （0.65 MM） TYP 。
销1
指标
0.118 (3.00 mm)
± 0.004 (0.1 mm)
平方米。
0.193 (4.90 mm)
REF 。
描述
该AS150-59是在MSOP - 8的IC FET单刀双掷开关
塑料封装。这个开关被设计成用于
其中，极高的线性度和低插入损耗是
所需。它被控制以正电压消除
需要为负电压。一些标准的实现
包括天线切换，T / R和分集切换
经2 W.The AS150-59开关可以在许多模拟中使用
和数字无线通信系统。
7.0
0.038 （0.95 MM） TYP 。
0.030 (0.75 mm)
0.017
(0.43 mm)
0.007 (0.18 mm)
± 0.005 (0.12 mm)
8.0
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
0.028 (0.70 mm)
0.016 (0.40 mm)
电气规格在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
插入损耗
3
频率
2
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
19
18
20
分钟。
典型值。
0.45
0.6
0.9
22
20
23
1.2:1
1.3:1
1.7:1
1.3:1
1.4:1
1.8:1
马克斯。
0.55
0.75
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
+3 V
+5 V
对于双音输入功率+10 dBm的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+32
+37
+55
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
V
低
= 0 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高？
+3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
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www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 10 / 99A
1
砷化镓集成电路高功率单刀双掷开关阳性对照DC- 3 GHz的
AS150-59
典型性能数据（ 0 ，+ 5 V）
0.9
0.8
0.7
40
35
30
dB
dB
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
DC
1
2
3
85C
25C
0C
25
20
15
10
DC
1
2
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
DC
1
2
3
隔离与频率的关系
绝对最大额定值
特征
RF输入功率
电源电压
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
6 W最大。 > 900兆赫，
0 / + 5 V控制
+8 V
-0.2 V, +8 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
85°C/W
频率（GHz ）
引脚输出
GND
C
BL
V
2
V
1
C
BL
J
2
2
7
J
3
1
8
V
S
J
1
C
BL
GND
4
5
VSWR与频率的关系
真值表
V
1
V
高
0
V
2
0
V
高
J
1
–J
2
隔离
插入损耗
J
1
–J
3
插入损耗
隔离
V
高
= +3至+5 V （V
S
= V
高
± 0.2 V).
外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
C
BL
= 100 pF的操作>500兆赫。
2
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3
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