半导体
AS1431
精密可调并联型电压基准
描述
的AS1431是一个三端可调并联稳压器提供一
高精确度为0.4％的带隙基准。可调并联稳压器
是理想的各种各样的线性应用程序，可以实现
使用外部元件，以获得可调节的电流和电压。
低温度，在标准的并联结构，所述组合
系数（ TC ） ，急转弯，特点，低输出阻抗和
可编程输出电压使这个精密基准完美
齐纳二极管更换。
该AS1431的特点是工作在整个汽车温
现在在SOT -23 （ 5L ）提供D55至125℃和温度范围内
封装。
特点
温度补偿： 30 PPM /
修剪0.4 ％，带隙基准
内部放大器与150毫安能力
温度范围：扩展至D55
to125C
低频动态输出
impedance: < 150 m½
低输出噪声
强大的ESD保护
引脚配置
顶视图
TO- 92 （ LP ）
阴极
阴极
阳极
阳极
参考
阳极
N / C
2
3
4
1
SOIC （ D）
8
7
6
5
参考
阳极
阳极
N / C
SOT - 89 （ S）
SOT -23 / 5L （ DBV ）
N / C
N / C
阴极
阳极
阴极
参考
阳极
参考
订购信息
AS1431 R4 D 7
电路类型：
精密可调
并联稳压器
温度范围：
D = -55 ° C至+ 125°C
带隙公差：
R4 =
±0.4%
封装选项：
A =弹药包
B =散装
T =管
7 =卷带式（ 7"卷筒直径）
13 =卷带式（ 13"卷筒直径）
封装形式：
D = SOIC
DBV = SOT - 23 / 5L
唱片= TO-92
S = SOT- 89
ASTEC半导体
1
AS1431
功能框图
精密可调并联型电压基准
阴极（ K）
参考
(R)
+
2.5 V
阳极（ A）
绝对最大额定值
参数
阴极 - 阳极反向击穿
阳极 - 阴极正向电流
经营阴极电流
参考输入电流
在25C连续功率耗散
TO-92
8L SOIC
SOT-89
SOT-23/5L
结温
储存温度
无铅高温焊接10秒
T
J
T
英镑
T
L
符号
V
KA
I
AK
I
KA
I
REF
P
D
775
750
1000
200
150
-65到150
300
mW
mW
mW
mW
C
C
C
等级
37
1
250
10
单位
V
A
mA
mA
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件，在操作指示节的功能操作
本规范的系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐的条件
参数
阴极电压
阴极电流
符号
V
KA
I
K
等级
V
REF
20
10
单位
V
mA
典型热阻
包
TO-92
SOIC
SOT-89
θ
JA
160C/W
175C/W
110C/W
θ
JC
80C/W
45C/W
8C/W
150C/W
典型的降额
6.3毫瓦/
5.7毫瓦/°C的
9.1毫瓦/°C的
1.7毫瓦/
SOT -23 / 5L 575 ° C / W
ASTEC半导体
2
精密可调并联型电压基准
电气特性
AS1431
电气特性都保证在整个结温范围内（ D55为125℃ ） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
KA
= V
REF
我
K
= 10毫安除非另有说明。
参数
参考电压
符号
V
REF
TC
V
REF
I
REF
I
REF
I
K（分钟）
I
K（ OFF ）
Z
KA
V
REF
= 0 V,
V
KA
= 36 V
F = 1千赫
I
K
= 1 100 mA的电流
V
K
= 3 V至36 V
R
1
= 10 k ½; R
2
= °
温度过高。
2
测试条件
T
A
= 25C
温度过高。
V
REF
与温度*
变化的V比
REF
to
阴极电压
参考输入电流
I
REF
温度偏差
闵我
K
规制
关闭状态漏泄
动态输出阻抗
分钟。
2.490
2.470
0.06
1.1
0.7
0.4
0.4
0.04
0.15
1.9
1.2
1
500
0.2
典型值。
2.500
马克斯。
2.510
2.530
0.16
单位
V
V
毫伏/°C的
mV / V的
A
A
mA
nA
½
电路
1
1
1
2
2
2
1
3
1
*计算平均温度系数（ TC ）
平均温度系数
PPM
0
0
%
0
TC以mV / ° C =
V
REF
–10
5000
0.5
T
TC在％ / ° C =
mV
V
REF
（毫伏）
T
A
V
REF
V
REF
在25℃下
T
A
V
REF
–55 –25
0
25 50
75
温度（℃）
100
125
TC以ppm / ° C =
V
REF
在25℃下
T
A
X 100
–20
X 10
6
0.06毫伏/°C的
0.002%/°C
24 PPM /°C的
ASTEC半导体
3
半导体
AS1431
精密可调并联型电压基准
描述
的AS1431是一个三端可调并联稳压器提供一
高精确度为0.4％的带隙基准。可调并联稳压器
是理想的各种各样的线性应用程序，可以实现
使用外部元件，以获得可调节的电流和电压。
低温度，在标准的并联结构，所述组合
系数（ TC ） ，急转弯，特点，低输出阻抗和
可编程输出电压使这个精密基准完美
齐纳二极管更换。
该AS1431的特点是工作在整个汽车温
现在在SOT -23 （ 5L ）提供D55至125℃和温度范围内
封装。
特点
温度补偿： 30 PPM /
修剪0.4 ％，带隙基准
内部放大器与150毫安能力
温度范围：扩展至D55
to125C
低频动态输出
impedance: < 150 m½
低输出噪声
强大的ESD保护
引脚配置
顶视图
TO- 92 （ LP ）
阴极
阴极
阳极
阳极
参考
阳极
N / C
2
3
4
1
SOIC （ D）
8
7
6
5
参考
阳极
阳极
N / C
SOT - 89 （ S）
SOT -23 / 5L （ DBV ）
N / C
N / C
阴极
阳极
阴极
参考
阳极
参考
订购信息
AS1431 R4 D 7
电路类型：
精密可调
并联稳压器
温度范围：
D = -55 ° C至+ 125°C
带隙公差：
R4 =
±0.4%
封装选项：
A =弹药包
B =散装
T =管
7 =卷带式（ 7"卷筒直径）
13 =卷带式（ 13"卷筒直径）
封装形式：
D = SOIC
DBV = SOT - 23 / 5L
唱片= TO-92
S = SOT- 89
ASTEC半导体
1
AS1431
功能框图
精密可调并联型电压基准
阴极（ K）
参考
(R)
+
2.5 V
阳极（ A）
绝对最大额定值
参数
阴极 - 阳极反向击穿
阳极 - 阴极正向电流
经营阴极电流
参考输入电流
在25C连续功率耗散
TO-92
8L SOIC
SOT-89
SOT-23/5L
结温
储存温度
无铅高温焊接10秒
T
J
T
英镑
T
L
符号
V
KA
I
AK
I
KA
I
REF
P
D
775
750
1000
200
150
-65到150
300
mW
mW
mW
mW
C
C
C
等级
37
1
250
10
单位
V
A
mA
mA
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件，在操作指示节的功能操作
本规范的系统蒸发散是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐的条件
参数
阴极电压
阴极电流
符号
V
KA
I
K
等级
V
REF
20
10
单位
V
mA
典型热阻
包
TO-92
SOIC
SOT-89
θ
JA
160C/W
175C/W
110C/W
θ
JC
80C/W
45C/W
8C/W
150C/W
典型的降额
6.3毫瓦/
5.7毫瓦/°C的
9.1毫瓦/°C的
1.7毫瓦/
SOT -23 / 5L 575 ° C / W
ASTEC半导体
2
精密可调并联型电压基准
电气特性
AS1431
电气特性都保证在整个结温范围内（ D55为125℃ ） 。环境温度必须降额
基于功耗和封装热特性。的条件是： V
KA
= V
REF
我
K
= 10毫安除非另有说明。
参数
参考电压
符号
V
REF
TC
V
REF
I
REF
I
REF
I
K（分钟）
I
K（ OFF ）
Z
KA
V
REF
= 0 V,
V
KA
= 36 V
F = 1千赫
I
K
= 1 100 mA的电流
V
K
= 3 V至36 V
R
1
= 10 k ½; R
2
= °
温度过高。
2
测试条件
T
A
= 25C
温度过高。
V
REF
与温度*
变化的V比
REF
to
阴极电压
参考输入电流
I
REF
温度偏差
闵我
K
规制
关闭状态漏泄
动态输出阻抗
分钟。
2.490
2.470
0.06
1.1
0.7
0.4
0.4
0.04
0.15
1.9
1.2
1
500
0.2
典型值。
2.500
马克斯。
2.510
2.530
0.16
单位
V
V
毫伏/°C的
mV / V的
A
A
mA
nA
½
电路
1
1
1
2
2
2
1
3
1
*计算平均温度系数（ TC ）
平均温度系数
PPM
0
0
%
0
TC以mV / ° C =
V
REF
–10
5000
0.5
T
TC在％ / ° C =
mV
V
REF
（毫伏）
T
A
V
REF
V
REF
在25℃下
T
A
V
REF
–55 –25
0
25 50
75
温度（℃）
100
125
TC以ppm / ° C =
V
REF
在25℃下
T
A
X 100
–20
X 10
6
0.06毫伏/°C的
0.002%/°C
24 PPM /°C的
ASTEC半导体
3
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