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1概述
该AS1312是一款超低我
Q
迟滞升压型DC -DC转换器。
的AS1312实现了高达94 ％的效率，并设计成
从+ 0.7V至+ 5.0V电源供电，输出电压是固定的
50mV的步骤，从+ 2.5V至5.0V 。
为了节省功耗的AS1312具有关断模式，
它吸取100nA以下。在关断模式下，电池不
连接到输出端。
如果输入电压超过输出电压的装置是在一
馈通模式和输入端直接连接到输出
电压。
在轻负载操作中，该设备进入睡眠模式时，大部分的
内部操作块，以节省电源关闭。
这个模式被激活大约一个电流脉冲经过50μs的
只要输出处于调节状态。
该AS1312还提供了一个可调节的低电池电量检测。如果
电池电压降低到低于由两个外部定义的阈值
引脚LBI电阻， LBO输出被拉至逻辑低。 LBO是
作为电源就绪时， LBI连接到GND工作。
该AS1312可在一个8针（ 2×2） TDFN封装和0.4mm间距8
引脚WL- CSP封装。
2主要特点
输入电压范围： 0.7V至5.0V
固定输出电压范围： 2.5V至5.0V
峰值输出电流： 200毫安
静态电流： 1μA
关断电流： <为100nA
高达94％的英法fi效率
停机时输出断
穿心模式时， V
IN
＆ GT ; V
OUT
可调节的低电池电量检测或电源就绪输出可选
无需外部二极管或晶体管
过温保护
包：
- 8针（ 2×2 ） TDFN
- 8引脚WL -CSP封装采用0.4mm间距
3应用
该AS1312是为手持设备和电池的理想解决方案
供电产品。
图1： AS1312 - 典型应用图
L1 = 6.8μH
LX
低电压检测
VIN
C
1
= 22F
R
1
LBI
On
关闭
LBO
R
3
V
OUT
2.5V至5.0V
C
2
= 10F
REF
C
REF
= 100nF的
GND
V
IN
0.7V至5.0V
AS1312
R
2
VOUT
EN
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1 - 20
AS1312
数据表 - P I N A S的I克正M E N吨s
4引脚分配
图2.引脚分配（顶视图）
8引脚WL-CSP
8针（ 2×2 ） TDFN
LBI 1
GND 2
LX 3
4 VOUT
8输入电压
AS1312
9
7
EN
6
LBO
5 REF
4.1引脚说明
表1.引脚说明
引脚数
WL- CSP
A1
A2
A3
A4
B4
B3
B2
TDFN
1
2
3
4
5
6
7
引脚名称
LBI
GND
LX
VOUT
REF
LBO
EN
描述
电池低电压比较器输入。
0.6V阈值。可能不能悬空。如果连接到
GND ， LBO正在为输出功率确定。
地
外部电感器连接器。
输出电压。
VOUT去耦用陶瓷电容尽可能靠近到VOUT
和
GND 。
参考引脚。
一个100nF的陶瓷电容连接到这个引脚。
低电池电量比较器输出。
漏极开路输出。
使能引脚。
逻辑控制关断输入。
1 =正常工作;
0 =关闭;关断电流<100nA 。
电池电压输入。
脱钩车辆用陶瓷电容器尽可能接近到VIN
和GND 。
裸露焊盘。
此片没有内部连接。可以悬空或连接到
GND
以达到最佳的热性能。
B1
-
8
9
VIN
NC
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AS1312
数据表 - 一个bsolute M aximum atings
5绝对最大额定值
强调超越那些上市
表2
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能的操作
该设备在这些或超出在标明的任何其他条件
第4页的电气特性
是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
表2.绝对最大额定值
参数
电气参数
VIN ， VOUT ， EN ， LBI ， LBO到GND
LX ， REF和GND
输入电流（闭锁抗扰度）
静电放电
静电放电HBM
温度范围和储存条件
TDFN
热阻
θ
JA
WL- CSP
60
97
+125
-55
-55
+150
+125
摄氏度/ W
结到环境的热阻非常
依赖于应用和电路板布局。在
情况下，高的最大功率耗散
存在，特别要注意热
电路板设计过程中耗散。
为8针（2×2 ）的TDFN
为8引脚WL-CSP
回流峰值焊接温度（体
规定的温度）是按照
IPC /
JEDEC J- STD- 020 “湿度/回流敏感性
对于非气密固态表面的分类
贴装器件“ 。
率先完成无铅引脚封装是磨砂
锡（100 ％的Sn ） 。
代表着无限的最高楼续航时间
±2
kV
规范： MIL 883 E法3015
-0.3
-0.3
-100
+7
V
OUT
+ 0.3
100
V
V
mA
规范： JEDEC 78
民
最大
单位
评论
结温
存储温度范围
C
C
C
包装体温
+260
C
湿度无凝结
湿度敏感等级
5
1
85
%
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AS1312
数据表 - ê lectrical极特
6电气特性
所有参数均保证。与最小值和最大值的参数由生产试验或保证SQC （统计质量控制）
的方法。
V
IN
= 1.5V ， C1 = C2 = 22μF ，C
REF
= 100nF的，典型值是在T
AMB
= + 25C 。除非另有规定。
所有参数均保证。该
与最小值和最大值参数都保证与生产测试或SQC （统计质量控制）的方法。
表3.电气特性
符号
T
AMB
T
J
输入
V
IN
输入电压范围
最低启动电压
规
V
OUT
输出电压范围
I
负载
= 0毫安至10mA ，T
AMB
= +25°C
输出电压容差
I
负载
= 0mA至10毫安
I
负载
= 0mA至30mA时
T
AMB
= -20 ° C至+ 60°C
V
OUT
锁定阈值
工作电流
I
Q
I
SHDN
开关
R
ON
NMOS
PMOS
NMOS最大导通时间
I
PEAK
峰值电流限制
过零电流
启用，参考
V
ENH
V
ENL
I
EN
I
REF
V
LBI
EN输入电压“高”
EN输入电压“低”
EN输入偏置电流
REF输入偏置电流
EN = 5V ，T
AMB
= +25°C
REF = 0.99xV
OUTNOM
, T
AMB
= +25°C
0.7
0.1
100
100
V
V
nA
nA
5
V
OUT
= 5V
3.3
0.4
0.45
4.0
400
20
35
4.6
s
mA
mA
静态电流V
IN
静态电流V
OUT
关断电流
V
OUT
= 1.02xV
OUTNOM
,
REF = 0.99xV
OUTNOM
, T
AMB
= +25°C
V
OUT
= 5V ，空载，T
AMB
= +25°C
T
AMB
=
+25C
0.7
1
100
1.3
100
nA
A
nA
1
参数
工作温度范围
工作结温范围
条件
民
-40
-40
典型值
最大
85
125
单位
°C
°C
0.7
T
AMB
= +25°C
0.9
5.0
V
V
2.5
-2
-4
-2
2.45
5.0
+2
+4
+2
V
%
%
%
V
上升沿
低电池&电源就绪
LBI阈值
LBI滞后
I
LBI
V
LBO
LBI漏电流
LBO电压低
2
下降沿
LBI
≤
V
IN
或V
OUT
（这曾经是更高） ，
T
AMB
= +25°C
I
LBO
= 1毫安
0.57
0.6
25
0.63
V
mV
100
5
20
nA
mV
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AS1312
数据表 - ê lectrical极特
表3.电气特性
符号
I
LBO
热保护
热关断
3
参数
LBO漏电流
电源就绪阈值
条件
T
AMB
= +25°C
LBI = 0V ，下降沿
民
典型值
最大
100
单位
nA
%
87
91
95
10C滞后
150
°C
1.调节器处于启动模式，直到该电压达到。
注意事项：
不要施加满负荷电流，直到器件输出2.5V >
2. LBO变低的启动模式，以及如果在正常操作期间，
（一）在LBI引脚上的电压高于LBI阈值。
（二）在LBI引脚上的电压低于0.1V （连接到GND）和V
OUT
低于其标称值的92.5 ％ 。
3.进一步的开关被禁止。
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