ARF467FL
D
G
ARF467FL
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
S
200V
300W
45MHz
该ARF467FL是设计用于科学，商业，医疗和工业坚固高压RF功率晶体管
RF功率放大器应用高达45兆赫。它已被优化的线性和高效率的班
操作。
指定150伏， 40.68 MHz的特点：
输出功率= 300瓦。
增益= 16分贝（ AB类）
EF网络效率= 75 ％ （ C类）
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
θJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
低成本无凸缘RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF467FL
单位
伏
安培
伏
瓦
° C / W
°C
1000
1000
12
±30
425
0.35
-55至175
300
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
漏源导通电阻
1
民
典型值
最大
单位
伏
1000
1.0
25
250
±100
4
3
6
9
5
(V
GS
= 10V
,
I
D
= 6.5A
)
欧
A
nA
姆欧
伏
5-2007
050-4932修订版A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 1000V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 800V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 6.5A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 500 V
I
D
= 12A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
ARF467FL
单位
1900
230
40
12
8
41
10
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 40.68 MHz的
V
GS
= 2.5V
V
DD
= 150V
P
OUT
= 300W
民
典型值
最大
单位
dB
%
14
70
16
75
在输出功率不降低
1脉冲测试：脉冲宽度< 380μS ，占空比< 2 ％
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
30
25
20
增益（dB ）
4,000
C类
V
DD
= 150V
西塞
1,000
电容（pF）
P
OUT
= 150W
500
科斯
15
10
5
0
30
100
50
CRSS
60
75
90
105
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
45
120
10
.1
1
10
100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
35
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
30
25
20
15
10
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
48
TJ = -55°C
10
5
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
100uS
1mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 175℃
单脉冲
10mS
100mS
5-2007
TJ = + 25°C
5
0
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
050-4932修订版A
.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
典型性能曲线
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50
I
D
，漏极电流（安培）
25
ARF467FL
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
20
VGS = 9V
15
8V
10
7V
5
6V
5V
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
-25
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
0.40
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
-5
D = 0.9
0.7
0.5
注意：
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-4
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图7A ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
T
J
( C)
0.126
耗散功率
（瓦特）
0.00748F
0.0556F
0.657F
0.170
T
C
( C)
0.0535
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，下沉到
环境等设置为零时，模型
只能这样了路口。
图7b ，瞬态热阻抗模型
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27.1
40.7
65
Z
IN
()
18 - j 11
1.3 - j 5
.40 - j 2.6
.20 - j 1.6
.11 + j 0.6
Z
OL
()
30 - j 1.7
25.7 - j 9.8
18 - j 13.3
12 - j 12.6
6.2 - j 8.9
Z
EXT
寻 - 门分流与25Ω
I
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 150V 300W的输出
050-4932修订版A
5-2007
ARF467FL
L4
BIAS
+
0-12V
-
RF
输入
R1
C6
L1
TL1
C1
R3
R2
R4
R5
L3
C9
C2
L2
ARF467FL
C4
C5
C7
C8
+
150V
-
RF
产量
C3
40.68 MHz的测试电路
C1 - 2200pF ATC 700B
C2-C5 - 阿科465云母微调
C6-C8 -- .1
F
500V陶瓷芯片
C9 - 3X 2200pF 500V芯片COG
L1 - 3吨＃22AWG .25"ID 0.25 "L 55nH
L2 - 5吨＃ 16 AWG 0.312" ID .35"L 176nH
L3 - 10吨＃ 24 AWG .25"ID .5uH
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈3uH
R1 R3 - 1kΩ的0.5W
R4- R5 - 1Ω 1W SMT
TL1 - 40Ω T线0.15 X 2"
C1是 1.75"来自R4-5 。
T3封装外形
.325 +/- .01
.125dia
4 PLS
.125R
4 PLS
S
D
S
散热考虑和包安装：
额定功耗仅当
封装的安装面是在25℃和结温
perature是175 ℃。 junc-之间的热阻
tions和案例安装面为0.3 C / W 。当安装设备
0.17 ℃/ W之间带领下，一个额外的热阻抗
封装基座和安装面是典型的。在 -
确保该安装表面是光滑和平坦。热
填缝料，必须使用以减少小的影响
表面的不规则性。使用必要的最小量
涂覆的表面上。散热器应设有一个敷铜
每个散热片，以获得最佳效果。
封装设计夹具陶瓷基体的
散热器。被夹住的联合维护要求的安装
压力，同时允许热膨胀两者
底座和散热片。四个4-40 （ M3 ）螺丝提供
所需的安装力。扭矩安装螺钉
以英寸 - 磅6（ 0.68 N-二米） 。
ARF467FL
.320
.570
1.250
S
G
S
1.500
.300
.005
.040
.200
.100
.210
.330
.100
.210
5-2007
050-4932修订版A
有害材料警告
引线和安装表面之间的设备的白色陶瓷部分是氧化铍，氧化铍。当吸入氧化铍粉尘是有毒的。护理过程中必须采取
在处理和安装，以避免损坏该区域。这些设备绝不能丢掉与一般工业和生活垃圾。
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058 6939743和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
