D
G
S
TO-247
ARF465A
ARF465B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
300V 150W
60MHz
该ARF465A和465B包括对对称共源的RF功率晶体管专为推挽
科学，商业，医疗和工业RF功率放大器应用高达60兆赫。
指定300伏， 40.68 MHz的特点：
输出功率= 150瓦。
增益= 13分贝（ C类）
效率= 75％
低成本的公共源的RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF465A/B
单位
伏
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
θJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
1200
1200
6
±30
250
0.50
-55到150
°C
安培
伏
瓦
° C / W
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
1
民
典型值
最大
单位
伏
1200
7
25
A
V
DS
（ ON）导通状态漏极电压
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
(I
D
（ ON）= 3A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 3A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
250
±100
3
3
4
5
nA
姆欧
伏
7-2003
050-4921修订版A
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 200V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
ARF465A/B
最大
单位
1200
80
30
7
5
21
12
1500
100
50
15
10
34
25
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 6 ： 1
测试条件
F = 40.68 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 300V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
70
15
75
P
OUT
= 150W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
25
C类
V
DD
= 300V
20
P
OUT
= 150W
电容（pF）
10,000
5000
西塞
1000
500
增益（dB ）
15
10
科斯
100
50
CRSS
10
0.1
1
10
100 300
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
5
0
10 20
40 50 60 70
80 90 100
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
30
10
I
D
，漏极电流（安培）
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
24
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
8
10
5
100uS
6
7-2003
4
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1mS
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
10mS
DC
050-4921修订版A
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
.1
1
10
100
1200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
1.2
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
10
VGS = 15V ， 10V ， 7V
I
D
，漏极电流（安培）
ARF465A/B
6.5V
1.1
8
6V
1
6
5.5V
4
5V
2
4.5V
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
0.60
0.50
0.9
0.40
0.7
0.30
0.5
0.20
0.3
0.10
0.1
0.05
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0
10
-5
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.0284
0.00155F
1.0
动力
（瓦特）
0.165
0.00934F
0.307
外壳温度
0.128F
图9a ，瞬态热阻抗模型
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27
40
65
寻（ Ω ）
21.4 -j 8.7
2.6 -j 7.3
.54 -j 2.9
.22 -j .69
.31 +j 1.65
Z
OL
()
206 -j 45
68 -j 99
22 -j 64
10.5 -j 44
4.4 -j 27
寻 - 门分流与25Ω
I
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 300V 150瓦的输出
050-4921修订版A
7-2003
ARF465A/B
BIAS
0 - 6V
RF
输入
+
-
C6
R1
C7 L5
L4
C9
L1
R2
C1
L2
DUT
L3
C8
+
300V
-
C4
RF
产量
C3
C2
40.68 MHz的测试电路
C1 - 1000pF的100V芯片ATC 700B
C2-C5 - 阿科463云母微调
C6-C8 - .01
F
500V陶瓷芯片
C9 - 2200 pF的COG 500 V芯片
L1 - 4T ＃ 20 AWG .25"ID .3"L 110 nH的
L2 - 2吨＃ 20 AWG .25"ID .3"L 25 nH的
L3-- 4吨＃ 16 AWG 0.4" ID .5"L 290 nH的
L4 - 25吨＃ 24 AWG .35"ID 2UH
L5-- VK200-4B铁氧体扼流圈3uH
R 1 -R 2 - 51欧姆0.5W碳
DUT = ARF465A / B
TO- 247封装外形
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
20.80 (.819)
21.46 (.845)
尺寸以毫米（英寸）
注意：
这两个部分包括一个对称的一对射频的
功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
3.55 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
设备
ARF - 一个
ARF - B
门
漏
来源
来源
漏
门
7-2003
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-4921修订版A
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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