D
G
S
TO-247
ARF461A
ARF461B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
250V
150W
65MHz
该ARF461A和ARF461B包括对称双共源的RF功率晶体管设计的推挽
拉科学的C，商业，医疗和工业射频功率扩增fi er应用高达65 MHz的。他们已经
对于线性和高效率运行的类进行了优化。
特定网络连接编250伏， 40.68 MHz的特点：
输出功率= 150瓦。
增益= 13分贝（ AB类）
EF网络效率= 75 ％ （ C类）
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
QJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
低成本的公共源的RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
P
E
R
1
IM
L
A
IN
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF461A/B
单位
伏
Y
R
1000
1000
6.5
±30
250
0.50
-55到150
300
安培
伏
瓦
° C / W
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电压
(I
D
（ ON）= 3.25A ，V
GS
= 10V)
民
典型值
最大
单位
伏
1000
6.5
25
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 3.25A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
250
±100
3
3
4
5
nA
姆欧
050-5987修订版A 7-2001
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6W
民
典型值
ARF461A/B
最大
单位
1700
175
50
8
5
21
10.1
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
h
y
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 40.68 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 250V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
70
15
75
P
OUT
= 150W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
15
C类
V
DD
= 150V
电容（pF）
10
5
0
30
P
45
E
R
P
OUT
= 150W
IM
L
A
IN
5000
1000
500
100
50
Y
R
西塞
科斯
CRSS
60
75
90
105
120
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
10
.1
.5 1
5 10
50
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
8
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
26
100uS
10
5
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
6
1mS
4
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
050-5987修订版A 7-2001
2
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
TJ = -55°C
100mS
DC
.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
ARF461A/B
1.2
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
25
VGS = 15 ，10， 8 & 6.5V
20
6V
15
1.1
1.0
5.5V
0.9
10
5V
4.5V
4V
0.8
5
0.7
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
160
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
，功率输出（瓦）
F = 81.36 MHz的
120
0
1
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
G
PS
，共源放大器增益
（ dB）的
14
12
C类
V
DD
= 150V
80
10
40
0
0
4
6
8
10
P
IN
， POWER IN （瓦）
图7 ，典型的电源输出功率VS在
2
0.6
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.01
单脉冲
PDM
P
0.2
0.1
0.05
0.02
E
R
10
-4
IM
L
40
80
120
160
P
OUT
，功率输出（瓦）
图8 ，典型的共源放大器增益VS电源输出
A
IN
8
6
0
注意：
Y
R
F = 81.36 MHz的
t1
t2
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 /吨
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27
40
65
寻（ Ω ）
20.4 - j 9.6
2.1 - j 6.4
.50 - j 2.3
.20 - j 0.4
.46 + j 2.0
Z
OL
()
148 - j 20
84 - j 74
36 - j 63
19 - j 48
7.7 - j 30
寻 - 门分流与25Ω
I
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 250V 150瓦的输出
050-5987修订版A 7-2001
ARF461A/B
L4
BIAS
0 - 12V
RF
输入
+
-
C6
R1
C7
L3
C9
C8
+
C1 - 1800pF 1000pF的+ 100V芯片
250V
安装在门铅
-
C4
C5
L1
R2
C1
DUT
L2
C3
C2
40.68 MHz的测试电路
C2-C5 - 阿科463云母微调
C6-C8 -- .1
mF
500V陶瓷芯片
C9 - 2200 pF的500 V芯片
RF
L1 - 4T ＃ 20 AWG .25"ID 0.3 "L 80nH
输出L2 - 7吨＃ 16 AWG 0.4" ID .5"L 335nH
L3 - 25吨＃ 24 AWG .25"ID 2.2uH的
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈3uH
R 1 -R 2 - 51欧姆0.5W碳
DUT = ARF461A / B
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
P
E
R
6.15 （ 0.242 ） BSC
4.50 （ 0.177 ）最大。
1.01 (.040)
1.40 (.055)
IM
L
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
A
IN
Y
R
TO- 247封装外形
5.38 (.212)
6.20 (.244)
尺寸以毫米（英寸）
注意：
这两个部分包括一个对称的一对射频的
功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
设备
ARF - 一个
ARF - B
门
漏
来源
来源
漏
门
050-5987修订版A 7-2001
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
TO
-24
7
ARF461A(G)
ARF461B(G)
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
250V
150W
65MHz
该ARF461A和ARF461B包括一对对称的共漏极射频功率晶体管的设计用于推挽
拉科学的C，商业，医疗和工业射频功率扩增fi er应用高达65 MHz的。他们已经
操作的线性和高英法fi效率类进行了优化。
特定网络连接编250伏， 40.68 MHz的特点：
输出功率= 150瓦。
增益= 13分贝（ AB类）
EF网络效率= 75 ％ （ C类）
低成本的公共源的RF包。
低Vth的热COEF网络cient 。
低热阻。
优化SOA的卓越耐用性。
符合RoHS
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
θ
JC
T
J
, T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF461AG/BG
1000
1000
6.5
±30
250
0.50
-55到150
300
单位
V
A
V
W
° C / W
°C
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250
μA)
在国家漏极电压
1
(I
D（上）
= 3.25A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8V
DSS
, V
GS
= 0, T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
DS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 3.25A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
3
3
4
5
民
1000
6.5
25
250
±100
典型值
最大
单位
V
μA
nA
姆欧
伏
6-2008
050-5987修订版D
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5V
DSS
I
D
= I
D（续）
@ 25°C
R
G
= 1.6Ω
民
典型值
1700
175
50
8
5
21
10.1
ARF461A/B
最大
单位
pF
ns
功能特点
符号
G
PS
η
Ψ
1
特征
共源放大器器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 40.68MHZ
V
GS
= 0V V
DD
= 250V
P
OUT
= 150W
民
13
70
典型值
15
75
最大
单位
dB
%
在输出功率不降低
脉冲测试：脉冲宽度< 380
μS,
占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
30
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
= 150W
电容（pF）
5000
C
国际空间站
1000
500
C
OSS
100
50
C
RSS
60
75
90
105
120
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
45
.1
.5 1
5 10
50
200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
10
8
I
D
，漏极电流（安培）
T
J
= -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ ON） MAX 。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
26
10
5
操作点这里
（上）
限于由R
DS
100uS
6
1mS
4
6-2008
1
.5
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
10mS
2
100mS
DC
050-5987修订版D
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
T
J
= -55°C
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
ARF461A/B
1.2
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
25
V
GS
= 15 ，10， 8 & 6.5V
20
6V
15
5.5V
1.1
1.0
0.9
10
5V
4.5V
4V
0.8
5
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
0.60
0.50
0.9
0.40
0.30
0.7
0.5
0.7
-50 -25
0
1
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
Z
θJC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.20
0.10
0
10
-5
0.3
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
1.0
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.0284
0.00155F
动力
（瓦特）
0.165
0.00934F
0.307
外壳温度
0.128F
图9a ，瞬态热阻抗模型
表1 - 典型的AB类大信号输入 - 输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27
40
65
ZIN （ ）
20.9 - j 9.2
2.4 - j 6.8
.57 - j 2.6
.31 - j 0.5
.44 + j 1.9
Z
OL
( )
38 - j 2.6
31 - j 14
19.6 - j 17.6
12.5 - j 15.8
6.0 - j 10.5
寻 - 门分流25
I
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载的电压Vdd = 125V， 150瓦输出
050-5987修订版D
6-2008
ARF461A/B
L4
BIAS
0 - 12V
RF
输入
+
-
C6
R1
C7
L3
C9
C8
+
C1 - 1800pF 1000pF的+ 100V芯片
250V
安装在门铅
-
C4
C5
L1
R2
C1
DUT
L2
C3
C2
40.68 MHz的测试电路
C2-C5 - 阿科463云母微调
C6-C8 -- .1
μF
500V陶瓷芯片
C9 - 2200 pF的500 V芯片
RF
L1 - 4T ＃ 20 AWG .25"ID 0.3 "L 80nH
输出L2 - 7吨＃ 16 AWG 0.4" ID .5"L 335nH
L3 - 25吨＃ 24 AWG .25"ID 2.2uH的
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈3uH
R 1 -R 2 - 51欧姆0.5W碳
DUT = ARF461A / B
TO- 247封装外形
4.69 .185
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
20.80 (.819)
21.46 (.845)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
来源
3.50 (.138)
3.81 (.150)
注意：
这两个部分包括一个对称的一对射频的
功率晶体管和满足相同的电气连接特定钙
系统蒸发散。器件的插脚引线各自的镜像
其他允许方便使用的推挽对。
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031) 19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
设备
ARF-一
ARF- B
门-------漏
来源----源
漏-------门
6-2008
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米（英寸）
050-5987修订版D
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
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和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
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