D
G
S
TO-247
ARF448A
ARF448B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
150V
140W
65MHz
该ARF448A和ARF448B包括对称双共源的RF功率晶体管设计的推挽
拉科学，商业，医疗和工业RF功率放大器应用高达65兆赫。
指定150伏， 40.68 MHz的特点：
低成本的公共源的RF包。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
输出功率= 140瓦。
增益= 15分贝（ C类）
效率= 75％
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
QJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF448A/448B
单位
伏
安培
伏
瓦
° C / W
°C
450
450
15
±30
230
0.55
-55到150
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250
毫安）
1
民
典型值
最大
单位
伏
450
3
25
250
±100
5
2
8.5
5
V
DS
（ ON）导通状态漏极电压
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
(I
D
（ON ） = 7.5A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 7.5A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
mA
nA
姆欧
7-2003
050-4908版本C
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
民
典型值
ARF448A/448B
最大
单位
1400
150
65
7
5
23
12
1700
200
100
15
10
40
25
ns
pF
V
DS
= 150V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6W
功能特点
符号
G
PS
h
y
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 20 ： 1
测试条件
F = 40.68 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 150V
P
OUT
= 140W
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
70
15
75
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380
m
占空比< 2 ％
S,
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
10
C类
V
DD
= 150V
3000
西塞
1000
500
P
OUT
= 250W
电容（pF）
科斯
CRSS
100
50
30
40
50
60 65
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
20
1
5
10
50
150
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
25
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250mSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
70
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10mS
100mS
20
10
5
1mS
15
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
10
5
050-4908修订版B
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
.1
1
5 10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
1.2
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
ARF448A/448B
I
D
，漏极电流（安培）
40
VGS = 8,10 & 15V
30
6.5V
20
6V
5.5V
5V
4.5V
0
1
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
10
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
G
PS
，共源放大器增益
（ dB）的
300
C类
V
DD
= 150V
17
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
，功率输出（瓦）
240
F = 40.68 MHz的
16
F = 40.68 MHz的
180
15
120
60
14
0
0
4
6
8
10
P
IN
， POWER IN （瓦）
图7 ，典型的电源输出功率VS在
2
60
120
180
240
300
P
OUT
，功率输出（瓦）
图8 ，典型的共源放大器增益VS电源输出
13
0
0.6
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
QJC
+ TC
0.1
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
10
表1 - 典型的C类大信号输入，输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27.0
40.0
65.0
Z
in
(W)
20.90 - j 9.2
2.40 - j 6.8
0.57 - j 2.6
0.31 - j 0.5
0.44
+
j 1.9
Z
OL
(W)
56.00 - j 06.0
37.00 - j 26.0
18.00 - j 25.0
9.90 - j 19.2
4.35 - j 11.4
7-2003
050-4908版本C
Z
in
-
门分流了25W
Z
OL
-
在150V的最佳负载阻抗的共轭250W
ARF448A/448B
40.68 MHz的测试电路
零件清单
C1 - 1800pF 100V芯片
C2-C4 - 阿科463云母微调
C5 - C7 - 1nF的500V芯片COG
L1 - 1" ＃ 16 AWG成发夹 9.6nH
L2 - 6吨＃ 16 AWG 0.25" ID 165nH
L3 - 10吨＃ 18 AWG 0.25" ID 0.47μH
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈 3μH
R1 - 25欧姆1 / 2W碳
T1 - 9 ： 1宽带变压器
L4
+
C6
L3
L2
C5
C4
RF输出
C7
-
150V
RF输入
L1
T1
C1
C2
R1
DUT
C3
40.48 MHz的测试电路
TO- 247封装外形
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
尺寸以毫米（英寸）
注意：
该ARF446和ARF447包括对称
对RF功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.55 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
设备
ARF448A
ARF448B
门
漏
来源
来源
漏
门
050-4908版本C
7-2003
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
D
G
S
TO-247
ARF448A
ARF448B
常见
来源
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
150V
250W
65MHz
该ARF448A和ARF448B包括对称双共源的RF功率晶体管设计的推挽
拉科学，商业，医疗和工业RF功率放大器应用高达65兆赫。
指定150伏， 40.68 MHz的特点：
输出功率= 250瓦。
增益= 15分贝（ C类）
效率= 75％
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
R
θJC
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳
低成本的公共源的RF包。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF448A/448B
单位
伏
450
450
15
±30
230
0.55
-55到150
300
安培
伏
瓦
° C / W
°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250
A)
1
民
典型值
最大
单位
伏
450
3
25
250
±100
5
2
8.5
5
nA
姆欧
伏
A
V
DS
（ ON）导通状态漏极电压
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
GS
（ TH ）
(I
D
（ON ） = 7.5A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 7.5A)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
050-4908修订版B
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 150V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
ARF448A/448B
最大
单位
1400
150
65
7
5
23
12
1700
200
100
15
10
40
25
ns
pF
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 20 ： 1
测试条件
F = 40.68 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 150V
民
典型值
最大
单位
dB
%
13
70
15
75
P
OUT
= 250W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
30
25
20
增益（dB ）
15
C类
V
DD
= 150V
P
OUT
= 250W
电容（pF）
3000
西塞
1000
500
科斯
10
5
0
10
CRSS
100
30
40
50
60 65
频率（MHz）
图1 ，典型增益与频率
20
1
5
10
50
150
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型的电容与漏 - 源极电压
50
25
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
70
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10S
100S
20
10
5
1mS
15
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
5 10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图4 ，典型的最大安全工作区
100mS
DC
10
5
050-4908修订版B
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的传输特性
ARF448A/448B
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
40
VGS = 8,10 & 15V
30
6.5V
20
6V
5.5V
10
5V
4.5V
0
0.7
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
如图5所示，典型的阈值电压与温度
300
C类
V
DD
= 150V
1
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图6 ，典型输出特性
G
PS
，共源放大器增益
（ dB）的
17
C类
V
DD
= 150V
16
F = 40.68 MHz的
P
OUT
，功率输出（瓦）
240
F = 40.68 MHz的
180
15
120
14
60
0
0
4
6
8
10
P
IN
， POWER IN （瓦）
图7 ，典型的电源输出功率VS在
2
60
120
180
240
300
P
OUT
，功率输出（瓦）
图8 ，典型的共源放大器增益VS电源输出
13
0
0.6
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.1
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图9 ，典型的最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
10
表1 - 典型的C类大信号输入，输出阻抗
频率。 （兆赫）
2.0
13.5
27.0
40.0
65.0
Z
in
()
20.90 - j 9.2
2.40 - j 6.8
0.57 - j 2.6
0.31 - j 0.5
0.44
+
j 1.9
Z
OL
()
56.00 - j 06.0
37.00 - j 26.0
18.00 - j 25.0
9.90 - j 19.2
4.35 - j 11.4
Z
in
-
门分流由25Ω
Z
OL
-
在150V的最佳负载阻抗的共轭250W
050-4908修订版B
ARF448A/448B
40.68 MHz的测试电路
零件清单
C1 - 1800pF 100V芯片
C2-C4 - 阿科463云母微调
C5 - C7 - 1nF的500V芯片COG
L1 - 1" ＃ 16 AWG成发夹 9.6nH
L2 - 6吨＃ 16 AWG 0.25" ID 165nH
L3 - 10吨＃ 18 AWG 0.25" ID 0.47μH
L4 - VK200-4B铁氧体扼流圈 3uH
R1 - 25欧姆1 / 2W碳
T1 - 9 ： 1宽带变压器
L4
+
C6
L3
L2
C5
C4
RF输出
C7
-
150V
RF输入
T1
C1
C2
L1
DUT
C3
R1
40.48 MHz的测试电路
TO- 247封装外形
顶视图
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
20.80 (.819)
21.46 (.845)
尺寸以毫米（英寸）
注意：
该ARF446和ARF447包括对称
对RF功率晶体管，并符合相同的电
规格。该器件引脚输出的镜像
彼此以允许易于使用作为推挽对。
来源
3.55 (.138)
3.81 (.150)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
设备
ARF448A
ARF448B
门
漏
来源
来源
漏
门
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-4908修订版B
美国
405 S.W.哥伦比亚街
德，俄勒冈州97702-1035
电话： （ 541 ） 382 - 8028传真： （ 541 ） 388 - 0364
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
F- 33700梅里尼亚克 - 法国电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15传真： （ 33 ） 10 56 47 97 61
QQ：2881677436 复制
