S
S
D
D
S
S
ARF1500
ARF1500
BEO
1525-xx
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
特定网络连接编125伏， 27.12 MHz的特点：
输出功率= 750瓦。
增益= 17分贝（ C类）
英法fi效率> 75 ％
符合RoHS
S
G
S
S
G
S
125V
750W
40MHz
该ARF1500是设计用于很高的功率科学的C，商业，医疗和工业的RF功率晶体管
射频功率发生器和放大器器应用最高40 MHz 。
高性能RF功率封装。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF1500
单位
伏
安培
伏
瓦
°C
500
60
±30
1500
-55至175
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
隔离
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
μA
nA
姆欧
伏
500
6
7.5
100
1000
±400
6
待定
3
5
7.5
(I
D
（上）
= 30A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 30A)
RMS电压
（ 60Hz的正弦波从终端到安装表面上，1分钟）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
伏
热特性
符号特性（每包，除非另有说明）
R
θJC
R
θJHS
结到外壳
结到沉
（使用高英法fi效率导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
10-2008
050-5965冯ê
0.10
0.16
注意：这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循
.
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 150V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 250
I
D
= 60A @ 25°C
R
G
= 1.6Ω
民
典型值
最大
ARF1500
单位
5150
500
215
7.5
6.0
20
10
6030
650
225
pF
ns
功能特点
符号
G
PS
η
Ψ
1
特征
共源放大器器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 27.12 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 125V
民
典型值
最大
单位
dB
%
17
70
19
75
P
OUT
= 750W
在输出功率不降低
脉冲测试：脉冲宽度< 380
μS,
占空比< 2 ％ 。
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
每个晶体管部分，除非另有规定ED 。
20,000
10,000
5000
电容（pF）
C
国际空间站
1000
500
C
OSS
C
RSS
100
.1
1
10
100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图1所示，典型的电容与漏 - 源极电压
60
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
30
20
10
0
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图2 ，典型的传输特性
I
D
，漏极电流（安培）
V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（上）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
240
数据双方
并联
100
50
操作点这里
限于由R
（上）
DS
T
J
= -55°C
100us
10-2008
10
5
T
C
=+25°C
T
J
=+200°C
单脉冲
1
1
5 10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的最大安全工作区
1ms
050-5965冯ê
10ms
100ms
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图4 ，典型的阈值电压与温度
6
5
4
3
2
1
0
10.2V
ARF1500
8.2V
6.2V
4.2V
2.2V
2V
0
5
10
15
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图5所示，典型的输出特性
0.12
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
D = 0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
单脉冲
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图6 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
表1 - 典型的AB类大信号阻抗 - ARF1500
F（兆赫）
2.0
13.5
27
40
寻（ Ω ）
6.7-j 12
0.45 -j 2.5
0.22 -j 0.67
0.2 + j .19
Z
OL
(Ω)
7.5 -j 0.8
7.1 -j 1.7
6.1 -j 3.0
5.0 -j 3.6
寻 - 门分流与25Ω我
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载为750瓦
在VDD = 125V输出
钳
1.065
.250
S
D
S
.500
散热考虑和包安装：
额定1500W的功耗仅
当封装的安装面是在25℃和
结温度为175 ℃。热敏电阻
路口和案例安装面之间tance
0.10 ° C / W 。安装时，额外的热
0.06 ° C /阻抗W上的封装基座之间
安装表面是光滑和
在。热联合
化合物必须用来减少小的影响
表面的不规则性。散热器应设有一个
铜散热片，以获得最佳效果。
包被设计成钳位到一个散热片。一
夹紧接头保持所需的压力越来越大
同时允许两个设备的热膨胀
和散热器。一个简单的夹子，和两个6-32 （ M3.5 ）
螺丝可以提供所需的最低125英镑
安装力。 T = - 磅4-6 。请参考应用笔记
1802 "Mounting说明无凸缘Packages."
散热器
ARF15--
BEO
1525-xx
1.065
.045
S
G
S
.500
.005
.207
.375
0.105 （典型值） 。
.207
有害材料警告
D
G
S
050-5965冯ê
间设备的陶瓷部
领导和安装表面氧化铍，
氧化铍。在 - 当氧化铍粉尘有毒
haled 。必须小心处理过程中采取
和安装，以避免损坏该区域。
这些设备必须永远不会被扔掉
与一般的工业或生活垃圾。
10-2008
C7
C9
L4
L5
C8
C10
+
125V
-
产量
RF
输入
L3
L1
L2
TL1
C4
C5
R1
C1
C2
C3
C11
ARF1500
27.12 MHz的测试电路
C1 ， C11 ARCO 465 50-450pF云母微调
C2 1500pF ATC 700B
C3 2X 3300 pF的ATC 700B
C4 8200pF 500V NPO陶瓷
C5 150pF的NPO 500V
C7 -C8 .1uF 250V陶瓷芯片
C9- C10 1000pF的Z5U 500V
L1 120 nH的5吨＃ 20 .25"d 0.3"升
L2 20 nH的＃ 20发夹环0.3" X 0.125"
L3 175 nH的 - 4T ＃ 10 0.625"直径0.875"升
L4 2UH - 22吨＃ 24 ENAM 。 0.312"直径。
在850u 0.5"珠L5 500nH 2吨
R1 51
Ω
.5W
TL1 0.25" X 1.75" （ 30
Ω)
带状线
27 MHz的测试放大器
ARF1500
BEO
ARF1500
135-05
J1
J2
RF 3-02
器件布局
27 MHz的测试放大器
ARF1500
050-5965冯ê
10-2008
RF 3-02
1 ：1的印刷电路板艺术品
S
D
S
ARF1500
D
G
S
ARF1500
BEO
135-05
RF功率MOSFET
指定150伏， 27.12 MHz的特点：
输出功率= 900瓦。
增益= 17分贝（ C类）
英法fi效率> 75 ％
最大额定值
符号
V
DSS
V
DGO
I
D
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
N - 沟道增强型
S
G
S
125V
900W
40MHz
该ARF1500是设计用于很高的功率科学，商业，医疗和工业射频RF功率晶体管
电源发生器和放大器应用最高40 MHz 。
高性能RF功率封装。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
东盟地区论坛1500
单位
伏
安培
伏
瓦
°C
500
500
60
±30
1500
-55 200
300
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
隔离
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
A
nA
姆欧
伏
500
5.5
100
1000
±400
3
2500
3
5
5.8
(I
D
（上）
= 30A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 30A)
RMS电压
（ 60Hz的正弦波从终端到安装表面上，1分钟）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
伏
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
特性（每包除非另有说明）
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.12
0.09
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国：
欧洲：
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
050-5965冯 - 10-01
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
民
典型值
最大
ARF1500
单位
3920
350
100
5
3.0
15
3
4800
480
120
10
7
25
7
ns
pF
V
DS
= 150V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 20 ： 1
测试条件
F = 27.12 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 150V
P
OUT
= 900W
民
典型值
最大
单位
dB
%
17
70
19
75
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％ 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
1.065
.160
D
S
D
S
.500
危险材料
警告
的陶瓷部
导线和设备之间
安装面为铍
氧化物。氧化铍粉尘
剧毒吸入时。关怀
必须处理过程中采取
和安装，以避免损坏
这一地区。这些设备
绝不能丢掉与
一般工业或家庭
浪费。
G
S
BEO
ARF1500
135-05
1.065
变暗：英寸
.045
S
G
S
.500
.005
.207
.375
0.105 （典型值） 。
.207
yy
;;
yyyy
;;;;
钳
东盟地区论坛1500
散热考虑和包安装：
额定1500W的功耗仅当包安装
表面在25℃和结温为200℃ 。热敏电阻
路口和案例安装面之间为0.12 C / W 。安装时，一个附加
0.09 ℃/ tional热阻抗W上的封装基座和安装之间
表面上是典型的。确保该安装表面是光滑和平坦。热联合
化合物必须用来减少的小的表面不规则性的影响。在耐热
沉应包括铜散热片，以获得最佳效果。
包被设计成钳位到一个散热片。被夹住的联合维护
需要越来越大的压力，同时允许两个设备的热膨胀
和散热器。一个简单的夹具，塑料或橡胶的柔性层，和2 6-32
（ M3.5 ）螺丝可以提供的最低85磅所需的安装力。 T = 6磅。
050-5965冯 - 10-01
柔顺
层
散热器
S
S
D
D
S
S
ARF1500
D
G
S
ARF1500
BEO
1525-xx
RF功率MOSFET
N - 沟道增强型
特定网络连接编125伏， 27.12 MHz的特点：
输出功率= 750瓦。
增益= 17分贝（ C类）
英法fi效率> 75 ％
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
S
G
S
S
G
S
125V
750W
40MHz
该ARF1500是设计用于很高的功率科学，商业，医疗和工业射频RF功率晶体管
电源发生器和放大器应用最高40 MHz 。
高性能RF功率封装。
非常高的击穿了提高耐用性。
低热阻。
氮化物钝化模具以提高可靠性。
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
ARF1500
单位
伏
安培
伏
瓦
°C
500
60
±30
1500
-55 200
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
V
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
g
fs
V
隔离
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电压
1
民
典型值
最大
单位
伏
A
nA
姆欧
伏
500
6
7.5
100
1000
±400
6
2500
3
5
7.5
(I
D
（上）
= 30A ，V
GS
= 10V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 500V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 400V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
正向跨导（V
DS
= 25V ，我
D
= 30A)
RMS电压
（ 60Hz的正弦波从终端到安装表面上，1分钟）
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 50毫安）
伏
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
特性（每包除非另有说明）
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
9-2005
050-5965版本C
0.12
0.09
° C / W
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 150V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 250
I
D
= 60A @ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
ARF1500
单位
5150
500
215
7.5
6.0
20
10
6030
650
225
pF
ns
功能特点
符号
G
PS
η
ψ
特征
共源放大器功率增益
漏EF网络效率
电气坚固VSWR 10 ： 1
测试条件
F = 27.12 MHz的
V
GS
= 0V
V
DD
= 125V
民
典型值
最大
单位
dB
%
17
70
19
75
P
OUT
= 750W
在输出功率不降低
1
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％ 。
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
每个晶体管部分，除非另有规定ED 。
20,000
10,000
5000
电容（pF）
西塞
1000
500
科斯
CRSS
100
.1
1
10
100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图1所示，典型的电容与漏 - 源极电压
60
I
D
，漏极电流（安培）
240
VDS> ID （ON ）× RDS
（上）
马克斯。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
数据双方
并联
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
30
20
10
0
100
50
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
TJ = -55°C
100us
9-2005
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 200℃
单脉冲
1
1
5
10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图3所示，典型的最大安全工作区
1ms
050-5965版本C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图2 ，典型的传输特性
10ms
100ms
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
6
5
4
3
2
1
0
10.2V
ARF1500
1.10
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图4 ，典型的阈值电压与温度
8.2V
6.2V
4.2V
2.2V
2V
0
5
10
15
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
如图5所示，典型的输出特性
0.14
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.12
0.10
D = 0.9
0.7
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5
注意：
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
10
-5
10
-4
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图6 ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
表1 - 典型的AB类大信号阻抗 - ARF1500
F（兆赫）
2.0
13.5
27
40
寻（ Ω ）
6.7-j 12
0.45 -j 2.5
0.22 -j 0.67
0.2 + j .19
Z
OL
()
7.5 -j 0.8
7.1 -j 1.7
6.1 -j 3.0
5.0 -j 3.6
寻 - 门分流与25Ω我
DQ
= 100毫安
Z
OL
- 共轭最佳负载为750瓦
在VDD = 125V输出
钳
1.065
.250
S
D
散热考虑和包
安装：
额定1500W的功耗仅为可用
能够当封装的安装面是在
25 ℃，结温为200℃ 。该
结和外壳之间的热阻
安装面为0.12
° C / W 。
安装时，一个
0.1 ° C /额外的热阻抗W之间
封装基座和安装面是典型
CAL 。确保该安装表面是光滑
和持平。热联合化合物必须用来
减少小表面不规则的效果。
散热器应包括铜热
吊具，得到最好的结果。
包被设计成钳位到
散热器。被夹住的联合维护所需
越来越大的压力，同时允许热EX-
潘申器件和散热器两者。一
简单的夹子，和两个6-32 （ M3.5 ）螺丝可以亲
韦迪需要安装力最小125磅。
T =卷磅12 。
S
.500
散热器
ARF15--
BEO
1525-xx
1.065
.045
S
G
S
.500
.005
.207
.375
0.105 （典型值） 。
.207
有害材料警告
D
G
S
050-5965版本C
间设备的陶瓷部
领导和安装表面氧化铍，
氧化铍。在 - 当氧化铍粉尘有毒
haled 。必须小心处理过程中采取
和安装，以避免损坏该区域。
这些设备必须永远不会被扔掉
与一般的工业或生活垃圾。
9-2005
C7
C9
L4
L5
C8
C10
+
125V
-
产量
RF
输入
L1
L2
L3
TL1
C4
C5
C11
R1
C1
C2
C3
ARF1500
27.12 MHz的测试电路
C1 ， C11 ARCO 465 50-450pF云母微调
C2 1500pF ATC 700B
C3 2X 3300 pF的ATC 700B
C4 8200pF 500V NPO陶瓷
C5 150pF的NPO 500V
C7 -C8 .1uF 250V陶瓷芯片
C9- C10 1000pF的Z5U 500V
L1 120 nH的5吨＃ 20 .25"d 0.3"升
L2 20 nH的＃ 20发夹环0.3" X 0.125"
L3 175 nH的 - 4T ＃ 10 0.625"直径0.875"升
L4 2UH - 22吨＃ 24 ENAM 。 0.312"直径。
在850u 0.5"珠L5 500nH 2吨
R1 51
.5W
TL1 0.25" X 1.75" （ 30
)
带状线
27 MHz的测试放大器
ARF1500
BEO
ARF1500
135-05
J1
J2
RF 3-02
器件布局
27 MHz的测试放大器
ARF1500
050-5965版本C
9-2005
RF 3-02
1 ：1的印刷电路板艺术品
QQ：2881677436 复制
