ARA2000
表1 ：引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
AME
GND
V
ATTN
ATT
IN
(+)
A1
OUT
(+)
A1
IN
(+)
V G1
I
SET1
A1
IN
(-)
A1
OUT
(-)
ATT
IN
(-)
V
CMOS
LK
AT
EN
ESC IPTION
地
供应衰减器
衰减器（ + ）输入
(2)
放大器A1 ER （ + ）输出
放大器A1 ER （ + ）输入
(2)
放大器A1 ER （+ ）C ONTROL
放大器A1 ER （+ ）C光凭目前
调整
放大器A1 ER （ - ）输入
(2)
放大器A1 ER （ - ）输出
衰减器（ - ）输入
(2)
供应D我GI TAL
MOS C I rcui吨
锁
阿拉木图
启用
针
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
AME
C0
C1
N / C
GND
CMOS
ATT
OUT
(-)
A2
IN
(-)
A2
OUT
(-)
I
SET2
V G2
A2
OUT
ESC IPTION
EVI CE地址0
EVI CE地址1
没有C onnecti上
(1)
地面D我GI TAL
MOS C I rcui吨
衰减器（ - ）输出
(2)
放大器A2 ER （ - ）输入
(2)
放大器A2 ER （ - ）输出
放大器A2 ER （+ ）
光凭目前调整
放大器A2 ER （+ ）C ONTROL
放大器A2 ER （ + ）输出
放大器A2 ER （ + ）输入
(2)
衰减器（ + ）输出
(2)
没有C onnecti上
(1)
地
(+)
A2
IN
(+)
ATT
OUT
(+)
N / C
GND
注意事项：
（ 1 ）所有N / C引脚应接地。
（ 2 ）引脚应交流耦合。无需外部直流偏置应适用。
数据表 - 版本1
07-01
3
ARA2000
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
PAR AMETER
模拟电源（ PI NS 2 ， 4 ， 9 ， 21 ， 24 ）
D我GI TAL供应： V
CMOS
（ PI 11 ）
扩增fi er ontrols VG1 ， VG2 （ PI NS 6,23 ）
RF
在电源输入
（ PI NS
5, 8
)
民
0
0
-5
-
-0.5
-55
-
-
最大
9
6
2
+60
V
CMOS
+0.5
+200
260
5
加利IT
VD
VD
V
dBmV的
V
0
D我GI TAL接口（ PI NS 12 ， 13 ， 14 ， 15 ， 16 ）
储存温度
Solderi吴温
Solderi吴钛我
C
C
0
S EC
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。实用
操作没有在这些条件下暗示。置身于绝对收视率
的时间过长，则可能不利地影响可靠性。
注意事项：
1.销3 ， 5 ， 8 ， 10 ， 19 ， 20 ， 25和26应该是交流耦合。无需外部直流偏置应
应用。
2.引脚7和22应接地或拉到地通过一个电阻。无需外部DC
偏压应适用。
表3 ：工作范围
PAR AMETER
扩增fi er供应： V
DD
（ PI NS 4 ， 9 ， 21 ， 24 ）
衰减器供应： V
ATTN
（ PI N 2 ）
D我GI TAL供应： V
CMOS
（ PI 11 ）
D我GI TAL接口（ PI NS 12 ， 13 ， 14 ， 15 ， 16 ）
扩增fi er ontrols VG1 ， VG2 （ PI NS 6,23 ）
ASE温度
民
4.5
V
DD
-0.5
3.0
0
-5
-40
典型值
5
5
-
-
1
25
最大
7
7
5.5
V
CMOS
2
85
加利IT
VD
VD
VD
V
V
0
C
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数
性能保证仅通过在电气规范中定义的条件。
4
数据表 - 版本1
07-01
ARA2000
表4 ：直流电气规格
T
A
=25
°
℃; V
DD
, V
ATTN
, V
CMOS
= + 5.0VDC ; VG1 ， VG2 = + 1.0V器（Tx启用） ; VG1 ， VG2 = 0 V器（Tx禁用）
PAR AMETER
放大器A1呃光凭目前 （PI NS 4,9 ）
放大器A2呃光凭目前 （PI NS 21 ， 24 ）
衰减器，光凭目前 （ PI N 2 ）
总功率 onsumpti上
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
48
2.4
77
3.7
9
0.67
75
最大
80
6
120
9
15
1.08
150
加利IT
mA
mA
mA
W
mW
奥门TS
TX启用
TX迪sabled
TX启用
TX迪sabled
TX启用
TX迪sabled
表5 ：AC电气规格
T
A
=25
°
℃; V
DD
, V
ATTN
, V
CMOS
= + 5.0VDC ; VG1 ， VG2 = + 1.0V器（Tx启用） ; VG1 ， VG2 = 0 V器（Tx禁用）
PAR AMETER
盖N（ 10兆赫）
盖平整度
盖可变超过温度ATI
Attenuati上台阶
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
32分贝
民
27.5
-
-
-
0.65
1.6
3.6
7.5
15.0
30.2
58.6
-
-
78
-
-
典型值
29.3
0.75
1.5
-0.006
0.83
1.70
3.75
7.75
15.40
30.75
60.3
-75
-60
-
68.5
3.0
最大
30.5
-
-
-
1.00
2.05
4.0
8.0
15.8
31.3
-
-53
-53
-
-
4.0
加利IT
dB
dB
分贝/°C的
奥门TS
在setti吴0分贝attenuati
5至42 MHz的
5至65兆赫
dB
Monotoni
马克西妈妈Attenuati上
2
nd
Harmoni C D我STORTI上水平
（ 10兆赫）
3
rd
Harmoni C D我STORTI上水平
（ 10兆赫）
3
rd
为了输出截获
在POI NT 1分贝盖N c个ompressi
降噪器连接gure
注：由于测量ANADIGICS测试夹具
dB
分贝
分贝
dBmV的
dBmV的
dB
包括我NPUT巴伦损失
+60 dBmV的扎成75欧姆
+60 dBmV的扎成75欧姆
数据表 - 版本1
07-01
5
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