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数据表
复合晶体管
AR1系列
片上电阻PNP硅外延晶体管
对于中速开关
封装图（单位：mm ）
特点
大电流驱动IC等的输出和驱动器可用
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
AR1系列LISTS
制品
AR1A3M
AR1F3P
AR1L3N
AR1A4M
AR1L2Q
AR1F2Q
AR1A4A
R
1
(K)
1.0
2.2
4.7
10
0.47
0.22
R
2
(K)
1.0
10
10
10
4.7
2.2
10
电极连接
1.发射器
EIAJ ： SC- 43B
2.收集JEDEC ： TO- 92
3. BASE
IEC
： PA33
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
T
j
T
英镑
评级
60
60
10
1.0
2.0
0.02
750
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16172EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
AR1系列
AR1A3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.4
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
0.7
0.7
1.0
1.0
50
100
50
0.4
0.3
1.3
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
AR1F3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.35
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
1.54
7
2.2
10
150
100
50
0.3
0.3
2.86
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
AR1L3N
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.2
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
3.29
7
4.7
10
150
100
50
0.3
0.3
6.11
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2
数据表D16172EJ1V0DS
AR1系列
AR1A4M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
7
7
10
10
150
100
50
0.2
0.3
13
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
AR1L2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
329
3.29
470
4.7
150
100
50
0.55
0.3
611
6.11
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
AR1F2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
154
1.54
220
2.2
80
100
50
0.55
0.3
286
2.86
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
数据表D16172EJ1V0DS
3
AR1系列
AR1A4A
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
CE （ SAT ）
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
60
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
I
C
=
500
妈，我
B
=
10
mA
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
7
10
150
100
50
0.20
0.35
0.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
4
数据表D16172EJ1V0DS
AR1系列
典型特征（T
a
= 25°C)
°
数据表D16172EJ1V0DS
5
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推荐型号
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AT24C128W-10SI-2.7
AS-105
A28D
AXK6S34547YG
AM6T-1224DH35Z
AM27C512-150DCB
AM27C512-170DIB
AM29F010-55EC
AOM-6545P-R
AME8501AEFTDD27
AM29F400AT-65FI
ADDAC87-CBII883
ACT245
ATMEGA16A
AM27X512-200PC
AT25F512A
AD261AND-2
AIC1595A-12CM
ALD1701BPAL
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型号
厂家
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数量
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    -
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    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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