GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
一般用途和经济型。
DIP （二表B ） 8脚型。
加强绝缘5,000V
型。
特点
9.86
.388
6.4
.252
3.2
.126
9.86
.388
6.4
.252
2.9
.114
检测
GU -E PhotoMOS
(AQW414EH)
的低电平模拟信号的控制，而不
失真。
5.高灵敏度，高速
反应。
可以控制最大0.13负载
当前用5 mA的输入电流。快
0.8毫秒（典型值）的运行速度。
6.低层次的关闭状态泄漏电流
mm
寸
1
2
3
4
8
7
6
5
1.加强绝缘5000 V型
大于0.4mm内部绝缘
输入和输出之间的距离。
CON-形式， EN41003 ， EN60950
（加强绝缘） 。
2.紧凑型8引脚DIP尺寸
该器件采用紧凑型
(W)6.4
×
(L)9.86
×
（H）的3.2毫米
(W).252
×
(L).388
×
（H）， 0.126英寸，
8引脚DIP
尺寸（通孔端子型） 。
3.适用于2型B使用以及
作为两个独立的1型B使用
4.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压，使
典型应用
调制解调器
电话设备
安全设备
传感器
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
电压
负载
电压
交流/直流
TYPE
增强
5,000 V
负载
当前
通孔
终奌站
管包装风格
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1月2日/ 3/ 4针侧5/6 /7/ 8引脚端
AQW414EHAX
AQW414EHAZ
管
1管中含有
40个。
1批包含
400件。
包装数量
磁带和
REEL
400 V
百毫安
AQW414EH
AQW414EHA
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注意：
由于空间的原因， SMD终端形态指标"A"和封装类型指示"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压（峰值AC）
产量
连续负载电流
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
AQW414EH （ A）
50mA
5V
1A
75mW
400 V
0.1 A (0.13 A)
0.3 A
800mW
850mW
5000 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
峰值AC， DC
（）：如果只使用1个信道的。
100毫秒（ 1拍） ，V
L
= DC
备注
输入
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
操作
温度
范围
存储
非冷凝在低温下
版权所有版权松下电工有限公司
GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
2.电气特性（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
最大
最低
LED反向（ON ）
当前
典型
典型
LED压降
最大
典型
抗性
产量
关闭状态漏泄
当前
开启时间*
关闭时间*
I / O容量
最初的I / O隔离
阻力
最大
最大
典型
最大
典型
最大
典型
最大
最低
I
泄漏
T
关闭
T
on
C
ISO
R
ISO
R
on
LED操作（OFF）的
当前
典型
符号
I
FOFF
I
丰
V
F
AQW414EH （ A）
1.3mA
3.0mA
0.4mA
1.2mA
1.25 （ 1.14 V ，在我
F
=5mA)
1.5V
26
35
10
A
0.8ms
3.0ms
0.2ms
1.0ms
0.8pF
1.5pF
1,000M
条件
I
L
=最大。
I
L
=最大。
I
F
=50mA
I
F
=0mA
I
L
=最大。
在1秒的时间
I
F
=5mA
V
L
=最大。
I
F
=0mA
5mA
I
L
=最大。
I
F
=5mA
0mA
I
L
=最大。
F = 1MHz的
V
B
=0V
500V DC
对于连接类型
*操作/反转时间
输入
传输字符
开创性意义
注：值得推荐的LED正向电流I
F
= 5至10mA 。
输入
产量
10%
90%
花花公子
吨
I
对于尺寸
I
原理图和接线图
I
对于使用注意事项
参考数据
1.负载电流与环境温度
特征
允许环境温度： -40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
200
2.导通电阻与环境温度
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
LED电流： 0毫安;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
50
3.操作（ OFF）时间与环境温度
特征
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
3
工作（ OFF ）时， MS
2.5
2
1.5
1
0.5
0
负载电流，马
150
只使用1个通道
导通电阻，
40
30
100
使用2个通道
20
50
10
0
–40 –20
0
20
40
60
8085 100
环境温度下，
°C
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
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GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
4.反向（ ON）的时间与环境温度
特征
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
0.8
LED工作电流，毫安
反向（ON ）时， MS
5. LED工作电流与环境
温度特性
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
6. LED关闭电流与环境温度
特征
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
LED关断电流，毫安
4
4
0.6
3
3
0.4
2
2
0.2
1
1
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
7. LED压降与环境
温度特性;
LED电流： 5到50mA
1.5
LED压降，V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
50mA
30mA
20mA
10mA
5mA
8.电流和电压输出的特性
在MOS部分
被测部位：端子5和6,7和8之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
140
120
100
80
60
40
20
–5 –4 –3 –2 –1
目前，马
1 2 3 4
–20
电压，V
–40
–60
–80
–100
–120
–140
5
9.关闭状态泄漏电流与负载电压
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
关机状态下的漏电流，A
10
–3
10
–6
10
–9
10
–12
0
20
40
60
80
负载电压，V
100
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
10.操作（ OFF）时间与LED正向
电流特性
被测部位：端子5和6,7和8之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
3.5
工作（ OFF ）时， MS
11.反向（ ON）时间与LED正向电流
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
0.5
反向（ON ）时， MS
12.输出电容与外加电压
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
频率： 1 MHz的;环境温度： 25
°
C
77
°
F
120
输出电容，PF
100
80
60
40
20
0
3
2.5
2
1.5
1
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0
0
0
10
50
20
30
40
LED的正向电流，毫安
60
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
LED的正向电流，毫安
施加的电压，V
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GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
一般用途和经济型。
DIP （二表B ） 8脚型。
加强绝缘5,000V
型。
特点
9.86
.388
6.4
.252
3.2
.126
9.86
.388
6.4
.252
2.9
.114
检测
GU -E PhotoMOS
(AQW414EH)
的低电平模拟信号的控制，而不
失真。
5.高灵敏度，高速
反应。
可以控制最大0.13负载
当前用5 mA的输入电流。快
0.8毫秒（典型值）的运行速度。
6.低层次的关闭状态泄漏电流
mm
寸
1
2
3
4
8
7
6
5
1.加强绝缘5000 V型
大于0.4mm内部绝缘
输入和输出之间的距离。
CON-形式， EN41003 ， EN60950
（加强绝缘） 。
2.紧凑型8引脚DIP尺寸
该器件采用紧凑型
(W)6.4
×
(L)9.86
×
（H）的3.2毫米
(W).252
×
(L).388
×
（H）， 0.126英寸，
8引脚DIP
尺寸（通孔端子型） 。
3.适用于2型B使用以及
作为两个独立的1型B使用
4.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压，使
典型应用
调制解调器
电话设备
安全设备
传感器
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
电压
负载
电压
交流/直流
TYPE
增强
5,000 V
负载
当前
通孔
终奌站
管包装风格
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1月2日/ 3/ 4针侧5/6 /7/ 8引脚端
AQW414EHAX
AQW414EHAZ
管
1管中含有
40个。
1批包含
400件。
包装数量
磁带和
REEL
400 V
百毫安
AQW414EH
AQW414EHA
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注意：
由于空间的原因， SMD终端形态指标"A"和封装类型指示"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压（峰值AC）
产量
连续负载电流
符号
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
I
L
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
AQW414EH （ A）
50mA
5V
1A
75mW
400 V
0.1 A (0.13 A)
0.3 A
800mW
850mW
5000 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
峰值AC， DC
（）：如果只使用1个信道的。
100毫秒（ 1拍） ，V
L
= DC
备注
输入
F = 100Hz时，占空比系数= 0.1 ％
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
操作
温度
范围
存储
非冷凝在低温下
版权所有版权松下电工有限公司
GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
2.电气特性（环境温度： 25
°
C
77
°
F)
项
最大
最低
LED反向（ON ）
当前
典型
典型
LED压降
最大
典型
抗性
产量
关闭状态漏泄
当前
开启时间*
关闭时间*
I / O容量
最初的I / O隔离
阻力
最大
最大
典型
最大
典型
最大
典型
最大
最低
I
泄漏
T
关闭
T
on
C
ISO
R
ISO
R
on
LED操作（OFF）的
当前
典型
符号
I
FOFF
I
丰
V
F
AQW414EH （ A）
1.3mA
3.0mA
0.4mA
1.2mA
1.25 （ 1.14 V ，在我
F
=5mA)
1.5V
26
35
10
A
0.8ms
3.0ms
0.2ms
1.0ms
0.8pF
1.5pF
1,000M
条件
I
L
=最大。
I
L
=最大。
I
F
=50mA
I
F
=0mA
I
L
=最大。
在1秒的时间
I
F
=5mA
V
L
=最大。
I
F
=0mA
5mA
I
L
=最大。
I
F
=5mA
0mA
I
L
=最大。
F = 1MHz的
V
B
=0V
500V DC
对于连接类型
*操作/反转时间
输入
传输字符
开创性意义
注：值得推荐的LED正向电流I
F
= 5至10mA 。
输入
产量
10%
90%
花花公子
吨
I
对于尺寸
I
原理图和接线图
I
对于使用注意事项
参考数据
1.负载电流与环境温度
特征
允许环境温度： -40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
200
2.导通电阻与环境温度
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
LED电流： 0毫安;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
50
3.操作（ OFF）时间与环境温度
特征
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
3
工作（ OFF ）时， MS
2.5
2
1.5
1
0.5
0
负载电流，马
150
只使用1个通道
导通电阻，
40
30
100
使用2个通道
20
50
10
0
–40 –20
0
20
40
60
8085 100
环境温度下，
°C
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
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GU -E PhotoMOS （ AQW414EH ）
4.反向（ ON）的时间与环境温度
特征
LED电流5mA ;负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
0.8
LED工作电流，毫安
反向（ON ）时， MS
5. LED工作电流与环境
温度特性
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
6. LED关闭电流与环境温度
特征
负载电压：最大。 （直流） ;
连续负载电流：最大。 （DC）的
5
LED关断电流，毫安
4
4
0.6
3
3
0.4
2
2
0.2
1
1
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
0
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
环境温度下，
°C
7. LED压降与环境
温度特性;
LED电流： 5到50mA
1.5
LED压降，V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
50mA
30mA
20mA
10mA
5mA
8.电流和电压输出的特性
在MOS部分
被测部位：端子5和6,7和8之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
140
120
100
80
60
40
20
–5 –4 –3 –2 –1
目前，马
1 2 3 4
–20
电压，V
–40
–60
–80
–100
–120
–140
5
9.关闭状态泄漏电流与负载电压
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
环境温度： 25
°
C
77
°
F
关机状态下的漏电流，A
10
–3
10
–6
10
–9
10
–12
0
20
40
60
80
负载电压，V
100
–40
–20
0
20
40
60
8085
环境温度下，
°C
10.操作（ OFF）时间与LED正向
电流特性
被测部位：端子5和6,7和8之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
3.5
工作（ OFF ）时， MS
11.反向（ ON）时间与LED正向电流
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
负载电压：最大。 （直流） ;连续负载电流：
马克斯。 （直流） ;环境温度： 25
°
C
77
°
F
0.5
反向（ON ）时， MS
12.输出电容与外加电压
特征
被测部位：端子5和6,7和8之间;
频率： 1 MHz的;环境温度： 25
°
C
77
°
F
120
输出电容，PF
100
80
60
40
20
0
3
2.5
2
1.5
1
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
0
0
0
10
50
20
30
40
LED的正向电流，毫安
60
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
LED的正向电流，毫安
施加的电压，V
版权所有版权松下电工有限公司
QQ：2880707522 复制
