APW8819
DDR完整电源解决方案
同步降压控制器1.5A LDO
特点
降压控制器（ VDDQ ）
概述
该APW8819集成了一个同步降压PWM CON-
控制器产生VDDQ ，一个采购和下沉LDO
线性稳压器来产生VTT 。它提供了一个完整的
电源支持DDR2和DDR3内存系统。它
提供最低的总解决方案成本在系统中的空间
是十分宝贵的。
该APW8819提供出色的瞬态响应和
精确的直流电压输出在PFM模式。在脉冲频
昆西模式（ PFM ）的APW8819可提供非常高的EF -
FICIENCY了轻到重负载时的负载调制，
的开关频率。
该APW8819配备了精确的电流限制，
欠电压输出，并输出过电压保护。
A电源-ON-复位功能监视VCC上的电压
防止错误操作上电过程中。
该LDO旨在提供一个稳定的电压与
双向输出电流的DDR -SDRAM终止。
该器件集成了两个功率晶体管源或
灌电流可达1.5A 。它还集成了限流
和热关断保护。
一个内部电阻分压器用于提供一个半电压
年龄VDDQSNS的VTTREF和VTT电压。在VTT
输出电压仅需要陶瓷输出20μF
电容稳定性和快速的瞬态响应。该
S3和S5引脚提供VTT （ S3状态），休眠状态
并暂停状态（ S4 / S5状态）的装置，当S5和
S3中都拉低该装置提供的软关闭
VTT和VTTREF.The APW8819是可用
3mmx3mm 20引脚QFN和3mmx3mm 16引脚TQFN
包。
高输入电压范围为3V至28V输入
动力
提供1.8V （ DDR2 ） ， 1.5V （ DDR3 ）或可调
输出电压从0.5V至2V
- ± 1 ％的准确度，温度
建立在VREF电压1.8V ± 1 ％的准确度
温度
集成MOSFET驱动器
集成的自举正向P沟道MOSFET
卓越的电压和负载瞬态响应
PFM模式提高轻载效率
可选的300kHz / 400kHz的/ 500kHz开关
Frequebcies
集成MOSFET驱动器和自举二极管
S3和S5引脚控制在S0，S3 ，或者该设备
S4 / S5状态
电源良好监视
50 ％欠压保护（ UVP ）
125％的过电压保护（ OVP ）
可调电流限制保护
- 使用感低侧MOSFET
DS （ ON）
QFN - 20封装3mmx3mm （ QFN - 20）和
QFN - 16 3mmx3mm超薄型封装（ TQFN - 16 ）
无铅可用（符合RoHS ）
酸味或灌入电流高达1.5A
快速瞬态响应输出电压
输出陶瓷电容器至少支持
10μF MLCC
VTT和VTTREF轨道的一半VDDQSNS通过
内部分频器
为VTT和VTTREF ± 20mV的精度
独立的过电流限制（ OCL ）
热关断保护
+ 1.5A LDO科（ VTT ）
应用
DDR2和DDR3存储器电源
SSTL - 2 SSTL -18和HSTL终止
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知的权利，
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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APW8819
简化应用电路
V
IN
+3V~28V
Q1
VDDQ
L
OUT
Q2
PWM
5V
VTT
VDDQ/2
R
OC
DDR
LDO
VREF
REFIN
模式
R
模式
R
顶部
R
GND
S3 S5
订购和标识信息
APW8819
大会材料
处理代码
温度范围
封装代码
APW8819 QA ：
APW
8819
XXXXX
APW
8819
XXXXX
封装代码
QA ： QFN - 20 QB ： TQFN- 16
温度范围
我： -40 85
o
C
处理代码
TR ：磁带&卷轴TY ：托盘
大会材料
G：卤素和无铅设备
XXXXX - 日期代码
APW8819 QB ：
XXXXX - 日期代码
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成;哪
完全符合RoHS指令。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC的J- STD- 020D的无铅要求
分类MSL在无铅峰值回流温度。 ANPEC定义“绿色”意味着无铅（符合RoHS标准）和卤素
免费（溴或氯不重量超过900ppm的均质材料溴和氯的总用不超过1500ppm的
的重量）。
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APW8819
引脚配置
M O对D E 19
M O对D E 16
P 2 O 20
摄氏度18
C 15
S 3 17
S 5 16
S5 13
S 3 14
VTTSNS 1
VLDOIN 2
VTT 3
VTTGND 4
VTTREF 5
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 VCC
11 LGATE
POK 1
VLDOIN 2
VTT 3
VTTREF 4
12 BOOT
11 UGATE
GND
10相
9 Vcc的
5 VR EF
6 REFIN
7 VD QSN S
8 LGATE
绝对最大额定值
（注1,2）
符号
V
CC
V
BOOT
V
BOOT- GND
参数
VCC电源电压（ VCC和GND ）
BOOT电源电压（ BOOT到PHASE）
BOOT电源电压（ BOOT到GND）
<20ns脉冲宽度
>20ns脉冲宽度
UGATE电压（ UGATE到PHASE）
<20ns脉冲宽度
>20ns脉冲宽度
LGATE电压（ LGATE到GND）
<20ns脉冲宽度
>20ns脉冲宽度
三相电压（相对于GND ）
<20ns脉冲宽度
>20ns脉冲宽度
保护地和VTTGND到GND电压
所有其他引脚（ OC ， MODE ， S3 ， S5 ， VDDQSNS ， VTTSNS ， VLDOIN ，
VREF ， POK ， VTT ， VTTREF和REFIN至GND电压）
T
J
T
英镑
T
SDR
最高结温
储存温度
最大焊接温度， 10秒
-5 ~ 35
-0.3 ~ 28
-0.3 ~ 0.3
-0.3 ~ 7
150
-65 ~ 150
260
V
V
V
o
o
o
注1 ：强调超越那些在"absolute最大ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这些都是
值仅为该设备在这些或超出其它任何条件下"recom-显示的功能操作
谁料工作conditions"是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性
注2 ：该设备是ESD敏感。操作注意事项建议。
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6 VREF
QFN 3x3-20
（ TOP VIEW ）
7 GND
=散热焊盘（连接到GND平面更利于散热）
8 R ê FIN
9 VDDQSNS
10 P G N
TQFN 3x3-16
（ TOP VIEW ）
等级
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ 7
-5 ~ 42
-0.3 ~ 35
-5 ~ V
BOOT
+0.3
-0.3 ~ V
BOOT
+0.3
-5 VCC + 0.3
-0.3 VCC + 0.3
单位
V
V
V
V
V
C
C
C
APW8819
热特性
（注3）
符号
θ
JA
参数
热阻 - 结到环境
QFN3x3-20
TQFN3x3-16
95
95
° C / W
典型的价值
单位
注3 ：
θ
JA
测定用安装在一个高有效的热导率测试板在自由空气中的分量。外露
包的垫在PCB上直接焊接。
推荐工作条件
（注4 ）
S ymbol
V
CC
V
IN
V
VD DQ
V
VTT
I
OUT
I
VTT
C
VCC
C
VTT
C
VTTREF
T
A
T
J
VCC电源电压
转换器输入电压
转换器输出电压
LDO输出电压
转换器输出电流
LDO输出电流
VCC电容
VTT输出电容
VTTREF输出电容
环境温度
结温
参数
范围
4.5 ~ 5.5
3 ~ 28
0.5 2V / DDR2 （ 1.8V ） / DDR 3 （ 1.5V ）
0.25~ 1
0 ~ 20
-1.5 ~ +1.5
1~
10~
0.22 ~ 2.2
-40 ~ 85
-40 ~ 125
单位
V
V
V
V
A
A
F
F
F
o
o
C
C
电气特性
指的是典型的应用电路。这些规格适用于V
VCC
=V
BOOT
=5V, V
IN
= 12V和T
A
= -40 85°C ，除非
另有规定。典型值是在T
A
=25°C.
符号
电源电流
I
VCC
I
VCCSTB
I
VCCSDN
I
LDOIN
I
LDOINSTB
I
LDOINSDN
VCC电源电流
VCC待机电流
VCC关断电流
LDOIN电源电流
LDOIN待机电流
LDOIN关断电流
T
A
= 25
o
C，V
S3
= V
S5
= 5V ，空载
T
A
= 25
o
C，V
S3
= 0V, V
S5
= 5V ，空载
T
A
=25
o
C，V
S3
= V
S5
= 0V ，无负荷
T
A
= 25
o
C，V
S3
= V
S5
= 5V ，空载
T
A
= 25
o
C，V
S3
= 0V, V
S5
= 5V ，空载
T
A
= 25
o
C，V
S3
= V
S5
= 0V ，无负荷
-
-
-
0.3
-
-
1.2
740
0.1
0.6
0.1
0.1
1.5
850
1
1
10
1
mA
A
A
mA
A
参数
测试条件
分钟。
APW8819
典型值。
马克斯。
单位
上电复位
VCC POR阈值
VCC上电复位迟滞
VTT输出
V
VREF
VREF输出电压
I
VREF
= 30μA ，T
A
=25
o
C
0uA＜I
VREF
＜300uA,
TA = -40℃ 85℃
o
o
VCC上升
4.15
-
4.3
100
4.45
-
V
mV
-
1.782
1.8
-
-
1.8144
V
V
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