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APW7104
1.5MHz的, 1A同步降压稳压器
特点
1A输出电流
宽2.7V 6.0V的输入电压
固定的1.5MHz开关频率
低压差工作在100%占空比
25μA静态电流
集成同步整流器
0.6V参考电压
具有内部电流模式操作
赔偿金
- 稳定器用陶瓷输出电容器
- 快速线路瞬态响应
概述
APW7104是一个1.5MHz的高效率,单片同步的
理性降压稳压器。电流模式方案设计,
该APW7104是稳定的陶瓷输出电容器。在 -
把电压从2.7V到6.0V ,使APW7104理想
适用于单节锂离子电池供电的应用。 100 %
占空比实现了低压差工作,延长BAT-
tery生活在便携式电子设备。内部固定
1.5MHz的工作频率允许使用小的
表面贴装电感器和电容器。在同步的
理性交换机包括内部提高效率
并消除外部肖特基二极管的需要。
该APW7104可在SOT- 23-5 / TSOT- 23-5A
包。
短路保护
过温保护与迟滞
可提供SOT- 23-5 / TSOT- 23-5A封装
无铅和绿色设备可用
(符合RoHS )
应用
高清机顶盒
BT鼠标
PND仪
便携式仪器
引脚配置
APW7104
RUN 1
GND 2
SW 3
4输入电压
5 FB
简化应用电路
L1
2.2H
4
VIN
SW
3
R1
C3
(可选)
R2
SOT-23-5/TSOT-23-5A
( TOP VIEW )
V
IN
C1
4.7F
( MLCC )
V
OUT
C2
10F
( MLCC )
APW7104
1
RUN
FB
5
GND
2
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知的权利,
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
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1
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APW7104
订购和标识信息
APW7104
大会材料
处理代码
温度范围
封装代码
封装代码
BT : TSOT - 23-5A B: SOT - 23-5
工作环境温度范围
我: -40 85
o
C
处理代码
TR :带卷&
大会材料
G:卤素和无铅设备
X - 日期代码
X - 日期代码
APW7104 BT :
APW7104 B:
W04X
W04X
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板终止完成;哪
完全符合RoHS指令。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC的J- STD- 020D的无铅要求
分类MSL在无铅峰值回流温度。 ANPEC定义“绿色”意味着无铅(符合RoHS标准)和卤素
免费(溴或氯不重量超过900ppm的均质材料溴和氯的总用不超过1500ppm的
的重量)。
绝对最大额定值
(注1 )
符号
V
IN
参数
输入偏置电源电压( VIN至GND )
RUN , FB , SW到GND电压
P
D
功耗
最高结温
T
英镑
T
SDR
储存温度
最大的铅焊接温度, 10秒
等级
-0.3 ~ 7
-0.3 ~ V
IN
+0.3
内部限制
150
-65 ~ 150
260
单位
V
V
W
o
o
o
C
C
C
注1 :绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能受到损害。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
热特性
符号
θ
JA
参数
结到环境阻力在自由空气
(注2 )
典型的价值
TSOT-23-5A
SOT-23-5
220
250
单位
o
C / W
注2 :
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
推荐工作条件
(注3)
符号
V
IN
V
OUT
I
OUT
L1
C
IN
C
OUT
T
A
T
J
参数
输入偏置电源电压( VIN至GND )
转换器输出电压
转换器输出电流
转换器输出电感
转换器输入电容
转换器输出电容
环境温度
结温
范围
2.7 ~ 6
0.6 ~ V
IN
0~1
1.0 ~ 10
4.7 ~100
4.7 ~100
-40 ~ 85
-40 ~ 125
单位
V
V
A
H
F
F
o
o
C
C
注3 :请参考典型应用电路
版权
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2
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APW7104
电气特性
除非另有说明,这些规格适用于V
IN
= 3.6V和T
A
= 25
o
C.
符号
参数
测试条件
分钟。
电源电压和电流
V
IN
I
DD
I
SD
输入电压范围
静态电流
关断输入电流
V
FB
= 0.66V
RUN = GND
2.7
-
-
-
25
-
6
40
0.5
V
A
A
APW7104
典型值。
马克斯。
单位
上电复位( POR)和闭锁电压阈值
UVLO阈值
UVLO迟滞
参考电压
V
REF
参考电压
输出电压精度
I
FB
FB输入电流
V
IN
= 2.7V 6V ,T
A
= -40~85
o
C
0A <我
OUT
< 1A
0.588
-2.5
-50
0.6
-
-
0.612
+2.5
50
V
%
nA
2.1
-
2.35
0.1
2.6
-
V
V
内置功率MOSFET
F
SW
开关频率
频率折返
在FB折返阈值电压
折返滞后
R
P- FET
R
N型场效应晶体管
高侧N沟道场效应管开关导通电阻
低端P- FET开关导通电阻
最小导通时间
最大占空比
保护
I
LIM
T
OTP
最大电感电流限制
过温保护
过温保护迟滞
启动和关机
T
SS
软启动时间
RUN输入高门槛
RUN输入低阈值
RUN漏电流
(注4 )
V
FB
= 0.6V
V
FB
= 0.1V
V
FB
落下
1.2
-
-
-
1.5
210
0.2
50
0.28
0.25
-
-
1.8
-
-
-
-
-
100
100
兆赫
千赫
V
mV
ns
%
I
SW
=200mA
I
SW
=200mA
-
-
-
-
I
P- FET
, 2.7V≦V
IN
≦6V
T
J
升起
T
J
落下
1.4
-
-
1.6
150
30
-
-
-
A
°C
-
-
0.4
-1
0.7
-
-
-
-
1
-
1
ms
V
V
A
V
IN
= 2.7V~6V
V
IN
= 2.7V~6V
V
RUN
= 5V, V
IN
= 5V
注4 :保证设计,不是生产测试。
版权
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3
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APW7104
典型工作特性
(请参考应用电路中的一节“典型应用电路” ,V
IN
=3.6V, V
OUT
= 1.8V ,T
A
=25
o
C除非
另有规定)
效率与负载电流
效率与负载电流
100
90
80
100
90
80
效率(%)
70
60
50
40
30
20
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
效率(%)
70
60
50
40
30
20
0
V
IN
=5V
V
IN
=3.3V
V
IN
=5V
V
IN
=3.3V
V
OUT
= 1.8V
L = 2.2μH
C
OUT
= 10F
V
OUT
= 1.2V
L = 2.2μH
C
OUT
= 10F
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
负载电流,我
OUT
(A)
负载电流,我
OUT
(A)
电源电压V.S.静态电流
40
35
0.35
0.30
电源电压和导通电阻
R
P- FET
静态电流,I
DD
(A)
30
25
20
15
10
5
0
导通电阻( Ω )
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
R
N型场效应晶体管
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0.00
电源电压,V
IN
(V)
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
电源电压V.S.参考电压
0.65
0.64
电源电压,V
IN
(V)
参考电压,V
REF
(V)
0.63
0.62
0.61
0.6
0.59
0.58
0.57
0.56
0.55
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
电源电压,V
IN
(V)
版权
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APW7104
工作波形
(请参考应用电路中的一节“典型应用电路” ,V
IN
=3.6V, V
OUT
= 1.8V ,T
A
=25
o
C除非
另有规定)
软启动
负载瞬态响应
1A
1
V
RUN
1
300mA
V
OUT
, 1V /格, DC
2
I
OUT
, 0.5A /格, DC
V
OUT
,为100mV /格, AC
2
3
I
IN
型,200mA / DIV
L = 2.2μH ,V
IN
= 5V ,C
OUT
=10F
时间: 100μS /格
L = 2.2μH ,V
IN
=5V, V
OUT
= 1.8V ,C
OUT
=10F
时间: 100μS /格
正常工作
2.5V
1.5V
V
IN,
0.5V/Div
1
V
SW
, 2V / DIV, DC
2
V
OUT
,为20mV /格, AC
V
OUT ,
200mV/Div,AC
I
L
,为500mV /格, DC
3
L = 2.2μH ,V
IN
I
=5V,
100mA
=
V
OUT
= 1.2V ,C
OUT
=10F
OUT
时间:为500ns /格
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