APW7065
同步降压PWM控制器
特点
供应所需的单路12V电源
快速瞬态响应
- 0 90 ％的占空比
用1 ％精度0.8V参考
通过控制关断功能
COMP引脚电压
内部软启动（ 3.4ms ）功能
电压模式PWM控制设计
欠压保护
过电流保护
- 检测低边MOSFET 'R
DS （ ON）
s
300kHz的固定开关频率
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
概述
该APW7065使用固定的300kHz开关频率，
电压模式，同步PWM控制器，该控制器
双驱动N沟道MOSFET 。该器件集成
控制，监控和保护功能集成到一个
单一封装，提供1个控制输出功率
与欠电压和过电流保护。
该APW7065提供了极好的调节输出
负载变化。内部0.8V与温度
补偿的参考电压被设计为满足
的低输出电压的应用的要求。一
内置的数字软启动与固定软启动间隔
防止过冲，输出电压以及
限制输入电流。
具有优异的保护功能的APW7065 ：
POR ， OCP和UVP 。上电复位（ POR ）
电路可以监控VCC电源电压超过其
该控制器运行时阈值电压，和一个
内置的数字软启动输出提供具有可控
电压上升。过电流保护（ OCP ）
监视输出电流通过使用电压降
跨下MOSFET管'R
DS （ ON）
与比较
s
内部V
OCP
（ 0.27V ）时，输出电流达到时
跳变点时，控制器将执行软启动
功能，直到故障事件被去除。欠
电压保护（ UVP ）监视FB的电压
引脚短路保护，在V时
FB
少
比V的50％
REF
（ 0.4V ）时，控制器将关闭
该IC直接。
应用
显卡
主板
引脚配置
BOOT
UGATE
GND
LGATE
1
2
3
4
8
7
6
5
相
COMP
FB
VCC
SOP-8
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知的权利，
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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APW7065
订购和标识信息
APW 7065
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
APW7065 K：
APW7065
XXXXX
封装代码
K： SOP - 8
工作环境温度。范围
E： -2070
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备
空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
框图
VCC
GND
BOOT
POWER- ON
RESET
UGATE
感觉低端
O.C.P
比较
0.27V
50%V
REF
:
2
误差放大器
PWM
比较
U.V.P
比较
数字
软启动
相
门控制
LGATE
V
REF
振荡器
锯齿
WAVE
F
OSC
300KHz
FB
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COMP
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APW7065
应用电路
12V
1N4148
1uH
2.2R
1uF
5
1uF
470uFx2
470uF
V
IN
(12V)
VCC
BOOT
UGATE
1
0.1uF
2
8
Q2
APM2506
Q1
APM2509
1uH
V
OUT
(1.2V)
Q3
2N7002
开/关
相
7
COMP
LGATE
4
470uFx2
33nF
8.2nF
2.7K
6
FB
GND
3
1K
2K
18R
68nF
绝对最大额定值
符号
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
相
COMP ， FB
T
J
T
英镑
T
SDR
V
ESD
VCC和GND
引导到相
UGATE以相
LGATE到GND
相对于GND
COMP ， FB到GND
结温范围
储存温度
最大焊接温度， 10秒
最低ESD额定值（人体模式） （注2 ）
<400ns脉宽
>400ns脉宽
<400ns脉宽
>400ns脉宽
<400ns脉宽
>400ns脉宽
参数
等级
-0.3 ~ 16
-0.3 ~ 16
-5 BOOT + 5
-0.3 BOOT + 0.3
-5 VCC + 5
-0.3 VCC + 0.3
-5 ~ 21
-0.3 ~ 16
-0.3 ~ 7
-20 ~ 150
-65 ~ 150
300
±2
单位
V
V
V
V
V
V
o
o
o
C
C
C
kV
注1 ：绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能受到损害。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
注2 ：该设备是ESD敏感。操作注意事项建议。
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APW7065
推荐工作条件
符号
VCC
V
OUT
V
IN
I
OUT
T
A
T
J
参数
VCC电源电压
转换器输出电压
转换器输入电压
转换器输出电流
环境温度范围
结温范围
范围
10.8 ~ 13.2
0.8 ~ 5
2.9 ~ 13.2
0 ~ 20
-20 ~ 70
-20 ~ 125
单位
V
V
V
A
o
C
C
o
电气特性
除非otherswise规定，这些规格适用于VCC = 12V ，和T
A
=-20~70
o
C. Typlcal值是在
T
A
=25
o
C.
符号
电源电流
I
VCC
VCC标称电源电流
VCC关断电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
COMP关断阈值
COMP断迟滞
振荡器
F
OSC
V
OSC
V
REF
自由运行频率
斜坡幅度
参考电压
准确性
误差放大器器
收益
SR
V
COMP
V
COMP
开环增益
压摆率
FB输入电流
COMP高压
COMP低压
R
L
= 10K ，C
L
=10pF(Note3)
R
L
= 10K ，C
L
=10pF(Note3)
R
L
= 10K ，C
L
=10pF(Note3)
V
FB
= 0.8V （注3 ）
88
15
6
0.1
5.5
0
1
dB
兆赫
V /美
uA
V
V
GBWP开环带宽
测量FB引脚
T
A
=-20~70°C
-1.0
255
300
1.6
0.8
+1.0
345
千赫
V
P-P
V
%
9
7.5
9.5
8
1.2
0.1
10
8.5
V
V
V
V
UGATE和LGATE开放
UGATE ， LGATE = GND
5
1
10
2
mA
mA
参数
测试条件
APW7065
民
典型值
最大
单位
参考电压
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APW7065
电气特性（续）
除非otherswise规定，这些规格适用于VCC = 12V和T
A
=-20~70
o
C. Typlcal值
在T
A
=25
o
C.
符号
参数
测试条件
APW7065
民
典型值
5
5
2.6
1.05
4.9
1.4
2
1.6
1.3
20
0.23
45
0.27 0.31
50
55
3
2.4
1.95
最大
单位
误差放大器（续）
I
COMP
I
COMP
COMP源电流
COMP灌电流
V
COMP
=2V
V
COMP
=2V
BOOT = 12V ，V
UGATE
-V
相
= 2V
BOOT = 12V ，V
UGATE
-V
相
= 2V
VCC = 12V ，V
LGATE
= 2V
VCC = 12V ，V
LGATE
= 2V
BOOT = 12V ，我
UGATE
= 0.1A
BOOT = 12V ，我
UGATE
= 0.1A
VCC = 12V ，我
LGATE
= 0.1A
VCC = 12V ，我
LGATE
= 0.1A
mA
mA
A
A
A
A
nS
V
%
栅极驱动器
I
UGATE
上栅源极电流
I
UGATE
上栅漏电流
I
LGATE
I
LGATE
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
R
UGATE
上栅源阻抗
R
UGATE
上栅漏阻抗
R
LGATE
更低的栅极源阻抗
R
LGATE
更低的栅极漏阻抗
T
D
V
OCP
V
UVP
死区时间
PROTECTIONS
1.25 1.88
过电流参考电压牛逼
A
=-20~70°C
欠压阈值
TRIP POINT
软启动间隔
V的百分比
REF
软启动
T
SS
2
3.4
5
ms
注3 ：设计保证。
功能引脚说明
BOOT （引脚1 ）
自举电路二极管连接到VCC是
用于创建适当的电压来驱动一个逻辑电平
N沟道MOSFET 。
UGATE （引脚2 ）
这个引脚连接到高端N沟道MOSFET “
s
门。该引脚为高侧栅极驱动器
MOSFET。
GND （引脚3 ）
GND端子提供返回路径为IC '偏压
s
电流和低侧MOSFET驱动器“下拉低
s
电流。通过极引脚连接到系统接地
PCB上的低阻抗布局。
LGATE （引脚4 ）
该引脚连接至低边N沟道MOSFET “
s
门。该引脚为低侧栅极驱动器
MOSFET。
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