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APW7062A

同步降压PWM控制器

特点

简单的单回路控制设计

- 电压模式PWM控制

快速瞬态响应

- 全0-100％占空比

出色的输出电压调节

- 0.8V内部参考

在线路电压和温度的1％

概述

该APW7062A是电压模式，同步PWM

控制器可驱动双N沟道MOSFET 。它

集成了控制，监视和保护功能

系统蒸发散在单一封装中，提供了一项对照

输出功率与低电压和过电流

保护。

APW7062A提供出色的调节输出负载

变化。内部0.8V温度补偿

参考电压被设计为符合要求

的低输出电压的应用。它包括一个200kHz的

自由运行的三角波振荡器，该振荡器是可调节的

从70kHz至800kHz的。

上电复位（ POR ）电路监视VCC ，

EN， OCSET输入电压，以启动或关闭的

IC 。所述过流保护（OCP ）监视

输出电流通过跨越的电压降

上MOSFET的

DS （ ON）

，省去了一个

电流传感电阻器。欠压保护

（UVP ）监视FB端子为短路电压

保护。

过电流保护跳闸循环软启动功能

化，直到故障事件被去除。欠压

保护将关闭IC直接。

过电流故障监视

- 使用上的MOSFET

DS （ ON）

转换器可以输出和吸收电流

小尺寸转换器

- 200kHz的自由运行的振荡器

- 可编程范围为70kHz至800kHz的

14引脚SOIC封装

无铅可用（符合RoHS ）

应用

显卡

DDR存储器电源

DDR存储器终端电压

低电压分布式电源

引脚配置

OCSET

GND

VCC

PVCC

LGATE

保护地

BOOT

UGATE

相

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

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APW7062A

订购和标识信息

APW 7062A

L E A D楼Re式C D E

H A N D林克C 0 D E

TEM页。法兰

P一CK AG电子C 0 D E

P ackage 颂歌

K： S 0 P -1 4

P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é

C： 0 7 0 ℃，

H A N D林克C 0 D E

TU ：管

TR ：磁带& 鳗鱼

L E A D楼Re式C D E

L： L E A D楼Re ê D E V IC ê

B LA N·K ：在A L D E V IC ê 钻机

一个P W 7062A K：

一个P W 7062A

XXXXX

X X X X X - D上TE C 0 D E

注： ANPEC无铅产品包含板模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾

终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵

操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求

分类MSL在无铅峰值回流温度。

框图

VCC

OCSET

摹ND

P流ER- 0：N

ES等

（C S）（E T）

200uA

BOOT

微克T E

S S

10uA

5.8V

S OFT S TART

.C .P

OM parator

P哈发E

50% V

ü .V .P

OM parator

PVCC

PW M

OM parator

OM笔通报BULLETIN

IRC UIT

摹吃 ONTROL

LGATE

RROR A M P

S·C illator

三角形

W AVE

P摹ND

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APW7062A

应用Cicuit

12V

10R

12V

1N4148

10K

APW7062A

VCC

OCSET PVCC

LGATE

保护地

BOOT

UGATE

GND

相

APM4220

1.2V

2.2uH

SR24

2A/40V

C11

1KF

1000uF

6.3V

30mR

C10

1000uF

6.3V

30mR

C12

4.7uF

470uF

16V

30mR

470uF

16V

30mR

1uH

100uF

16V

1uF

1nF

2R2

0.1uF

SHDN

2KF

OUT

REF

绝对最大额定值

符号

BOOT

相

VCC和GND

引导至GND

相对于GND

工作结温

英镑

SDR

ESD

储存温度

焊接温度（ 10秒）

最低ESD额定值

参数

等级

0~150

-65 ~ 150

300

±2

单位

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APW7062A

电气特性

APW7062A

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

电源电流

标称电源

关断电源

上电复位

瑞星V

门槛

落V

门槛

启用 - 输入阈值

电压

瑞星V

OCSET

门槛

振荡器

自由运行频率

全变差

OSC

REF

UGATE

LGATE

斜坡幅度

参考电压容差

参考电压

上栅源

上栅漏

更低的栅极源

更低的栅极漏

死区时间

低电压FB

OCSET

OCSET电流源

软启动电流

OCSET

=4.5V

170

BOOT

=12V, V

UGATE

=6V

UGATE

=0.3A

VCC

=12V, V

LGATE

=6V

LGATE

=0.3A

OUT

= 2.5V ，我

OUT

= 1A ，R

→打开

550

650

参考电压ACCURANCY

-1

0.80

800

700

200

230

=打开，V

=12

6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的

→打开

170

-15

1.9

200

230

+15

千赫

P-P

OCSET

=4.5V

OCSET

=4.5V

OCSET

=4.5V

8.8

0.8

1.27

2.0

10.4

EN = V

; UGATE和LGATE

开放

EN=0V

250

350

单位

栅极驱动器

保护

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APW7062A

功能引脚说明

RT （引脚1 ）

该引脚可调节开关频率。连

从RT电阻到GND为提高开关

频率：

4.15

200kHz

（ RT与GND ，女

200kHz至400kHz的）

SS （引脚3 ）

连接一个电容引脚至GND设定

该转换器的软启动时间间隔。内部为10uA

电流源充电这种电容5.8V 。该

SS的电压钳位在误差放大器的输出，并且图 -

ure1表示软启动时间间隔。在t

时，SS电压

年龄达到振荡器的三角波的山谷。

PWM比较器开始生成的PWM显

纳尔控制逻辑，并输出快速上升。

直到输出处于调节在t

，在夹紧

COMP被释放。此方法提供了一种快速和

受控的输出电压的上升。

当过电流保护时， VOUT为

关闭，然后再次重新软启动，如果过电流

条件仍然存在于软启动时， VOUT为

再次shutdowned ，后SS达到4.5V时，SS

被放电至零。软启动是反复出现，直到

在过电流状况被消除。

相反，从RT连接一个电阻到V

DE-为

压痕开关频率：

3.51

200kHz

（ RT到V

, F

200kHz至75KHZ ）

OCSET （引脚2 ）

该引脚有两个功能：一个关断控制和

超过限流阈值的设定。这个拉

引脚低于1.27V将关闭控制器，迫使

该UGATE和LGATE信号是在0V 。

电阻（R

OCSET

）连接这个引脚和之间

高边MOSFET的漏极将决定了

电流限制。内部200uA电流源将

流过该电阻器，产生一个电压降，

这将与整个的电压进行比较

高边MOSFET 。过电流的阈值

因此极限由下式给出：

VOL TAGE

SO F T ST AR牛逼

OU牛逼

OSC （M IN）

复制权组织上午P

OU TP ü牛逼

PEAK

OCSET

(

200uA

)

OCSET

DS （ ON）

SS=

1 .2 V

时间

为了避免开关瞬变噪声的干扰，一

延迟时间是设计在OCP比较器。

过电流保护是活性只有当

高边MOSFET导通比300ns的时间更长。

图1 。软启动间隔

(

OSC （MIN）

)

OUT

SteadyState的

软启动

OSC

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