APW7047
先进的双PWM和源库线性控制器
特点
提供3调节电压
概述
该APW7047提供了电源控制和保护
系统蒸发散对AGP / PCI显卡三个输出电压
应用程序。它集成了两个PWM控制器， 1
源 - 接收器线性控制器，以及显示器
与保护功能集成到单个封装中。一个PWM
转换器（ PWM1 ）调节VCORE （ 1.5V）的GPU
与SYNC 。降压转换器。其他标准降压
转换器（ PWM2 ）调节VMEM （ 2.5V ）的pow-
呃DDR内存。在源库线性控制器
控制两个外部MOSFET，以一个线性稳压器
与采购和吸收电流的能力。该稳压
组装相应的VTT （ 1.25V ）功率DDR终端电压。
额外的内建的过电压保护（OVP）将
开始时VCORE或VMEM输出高于115％
V的每个DAC设置（
CORE
和V
纪念品
） 。 OVP功能将
关闭所有输出电压，直到在重新开机
IC 。每个PWM转换器，过电流功能
监视输出电流通过感测上的电压降
MOSFET两端的
DS （ ON）
，省去了一个
电流传感电阻器。
SYNC 。降压转换器的VCORE
(1.15V~1.50V)
标准降压转换器的VMEM
(2.40V~2.75V)
线性控制器与源库
规例VTT （ 1.25V ）
简单的单回路控制设计
电压模式PWM控制
出色的输出电压调节
VCORE输出： ± 2 ％过温
VMEM输出： ± 2 ％过温
VTT输出： 1/2 VIN ± 25mV的过
最低温度。 VIN = 1.7V
快速瞬态响应
内置反馈补偿
全为0％至100％占空比
过电压和过电流故障监控器
恒定频率操作（ 200kHz的）
24引脚， SOIC封装
引脚说明
VCC
1
UGATE
24
BOOT
2
23
UGATE 2
PHASE2
22
PHASE2
LGATE1
21
PG ND
20
MEM2
19
MEM1
18
MEM0
17
CORE2
16
CORE1
15
CORE0
14
OCSET2
13
VSE N2
UGATE 1
2
应用
M / B DDR功率调节
AGP / PCI显卡电源调节
SSTL - 2终止
PHASE1
3
SS
SD
4
5
SO URCE
6
SINK
7
FB
VIN
8
9
OCSET1
10
VSE N1
11
GND
12
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
Rev.A.1 - 2002年5月
1
www.anpec.com.tw
APW7047
热特性
符号
R
JA
参数
在自由空气的热阻
SOIC
SOIC （带3英寸
2
铜）
价值
75
65
单位
° C / W
电气特性
除非另有说明，这些规格适用于V
CC
=V
BOOT
= 12V和T
A
=0~70°C.
典型值是指给T
A
=25°C.
SYM BOL
的SuI P层 ú RRE新台币
I
C C
I
C C SD
N}÷米INA升S UPP LY urren吨
秒H utdo W N s提高P LY urren吨
S.D。 = 0V ，U摹达E 1 ，U摹达E 2 ，
LG AT E 1， S 0 ü R C E，一个 S IN
公开赛
S.D。 = 5V
8
2.7
P一只公羊ETE
测试C 0 N D ITIO N s个
一个P W 704 7
M IN 。
典型值。
M AX 。
加利IT
mA
P 2 O 5瓦特ER -O n个R ESET
ISIN克V C C牛逼HRE笑LD
F奥林V C C牛逼hresho LD
S.D。在把 IG 武LTA GE
S.D。在把低电压
scillator
F
OSC
F稀土未宁F REQ ü ency
185
200
1.9
215
的kH
V
V
S·C
R A M·P A M plitu德
P女男C 0 ntroller参考NCE武LTAG ê
P女男1 R efere NCE武LTA克é
V
CORE
一个CCU RAC
C 0 0 -C 2 Inpu吨室内运动场
武LTA GE
C 0 0 -C 2 Inpu吨低
武LTA GE
P女男2 R efere NCE武LTA克é
V
米EM
一个CCU RAC
M E M 0 ， M E M 2 INP UT IG
武LTA GE
M E M 0 ， M E M 2 INP UT L嗷嗷
武LTA GE
S 0 ü R C ê -S IN K·L INE AR C 0 ntro米勒
V
FB
F B R é gulation Voltag ê
V
F B
准确性
M AX 。 S 0 ü R C ê P D中里沃
ú rrent
M AX 。 D中里沃 urre NT S IN K P＆
版权
茂达电子股份有限公司版本A.
Rev.A.1
- 2002年5月
3
Vocse T = 3 V
Vocse T = 3 V
3.6
2.0
4.2
4.6
V
V
V
0.8
V
-2.0
2.0
+2.0
%
V
0.8
-2.0
2.0
0.8
顾拉器S 0 urcing或S inkin克
ú rrent
-25
±
0.8
±
0.8
+2.0
V
%
V
V
0.5V IN
+25
V
mV
mA
mA
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APW7047
电气特性（续）
除非另有说明，这些规格适用于V
CC
=V
BOOT
= 12V和T
A
=0~70°C.
典型值是指给T
A
=25°C.
符号
参数
测试条件
VIN=2.5V
V
CC
=12V
V
UGATE1,2
=6V
V
CC
=12V,V
UGATE1,2
=6V
APW7047
分钟。
典型值。马克斯。
2
单位
uA
I
VIN
VIN输入偏置电流
PWM控制器，栅极驱动
I
UGATE
R
门
保护
VSEN1,2 OVP触发点
(VSEN1/V
CORE
和VSEN2 / V
纪念品
)
VSEN1,2 O.V.迟滞
I
OCSET
I
SS
OCSET电流源
软启动电流
UGATE1,2来源， LGATE1源
UGATE1,2水槽，水槽LGATE1
0.74
3
4
A
VSEN上升
115
2
120
%
Vocset=3V
170
200
28
230
uA
功能引脚说明
VCC （引脚1 ）
提供此引脚+ 12V偏置电源的IC 。这
销还提供栅极偏压电荷为
在源库调节器的MOSFET。该电压
年龄在这个引脚监测上电复位（ POR ）
的目的。
UGATE1 （引脚2 ）
该引脚连接到的上MOSFET栅极
PWM1转换器。该引脚为栅极驱动
在MOSFET 。
PHASE1 （引脚3 ）
该引脚连接到PWM1转换器的上
MOSFET source.This引脚用来监视电压
MOSFET两端的年龄下降了过电流
保护。
SS （引脚4 ）
此引脚与ground.This连接一个电容
电容器，以及一个内部28uA电流源
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Rev.A.1
- 2002年5月
4
将所有电源控制的软启动间隔
防止过冲的输出以及LIMIT-
荷兰国际集团的输入电流。
SD （引脚5 ）
该引脚关断所有电源输出。一个TTL相容
IBLE ，逻辑高电平信号，该引脚被立即应用
ately排出软启动电容，禁用所有
功率输出。当重新启用时，IC经历
新的软启动周期。敞开，该引脚被拉低
通过内部下拉电阻，可实现操作。
SOURCE （引脚6 ）
该引脚连接到的上MOSFET栅极驱动器
在源库调节。该引脚驱动向上
每个外部MOSFET作为采购监管。
SINK （引脚7 ）
该引脚连接到下MOSFET栅极驱动
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