APTML100U60R020T1AG
线性MOSFET
电源模块
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 600mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 20A @ T C = 25°C
应用
电子负载致力于电源和
电池放电测试
特点
线性MOSFET
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
对于改进的热性能的AlN衬底
好处
管脚1/2 ; 5/6必须短接在一起
直接安装到散热器（独立包装）
易系列和Parallels组合能力和
电压的改进
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1000
20
14
74
±30
630
520
单位
V
A
V
mΩ
W
在饱和模式
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–3
APTML100U60R020T1AG - 牧师0
2009年10月
T
c
= 25°C
APTML100U60R020T1AG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
DS
= 1000V ; V
GS
= 0V
V
DS
= 800V ; V
GS
= 0V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V
600
2
最大
250
1000
630
4
±100
单位
A
mΩ
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
民
典型值
6000
775
285
最大
单位
pF
分流电气特性
符号特性
电阻值
R
sh
T
sh
公差
P
sh
I
sh
承载能力
电流容量
T
C
=25°C
T
C
=80°C
T
C
=25°C
T
C
=80°C
民
典型值
20
2
最大
单位
mΩ
%
W
A
20
10
31
22
温度传感器PTC
符号
R
25
R
100
/R
25
R
-55
/R
25
B
特征
电阻@ 25°C
电阻率
电阻率
温度COEF网络cient
TAMB = 100℃ & 25℃
环境温度Tamb = -55°C & 25℃
民
1980
1.676
0.48
典型值
1.696
0.49
7900
最大
2020
1.716
0.50
单位
Ω
PPM / K
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
民
MOSFET
4000
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.24
150
125
100
4.7
80
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
2009年10月
2–3
APTML100U60R020T1AG - 牧师0
散热器来
M4
www.Microsemi.com
APTML100U60R020T1AG
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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线性MOSFET
电源模块
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 600mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 20A @ T C = 25°C
应用
电子负载致力于电源和
电池放电测试
特点
线性MOSFET
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
对于改进的热性能的AlN衬底
好处
管脚1/2 ; 5/6必须短接在一起
直接安装到散热器（独立包装）
易系列和Parallels组合能力和
电压的改进
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1000
20
14
74
±30
630
520
单位
V
A
V
mΩ
W
在饱和模式
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
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2009年10月
T
c
= 25°C
APTML100U60R020T1AG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
DS
= 1000V ; V
GS
= 0V
V
DS
= 800V ; V
GS
= 0V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V
600
2
最大
250
1000
630
4
±100
单位
A
mΩ
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
民
典型值
6000
775
285
最大
单位
pF
分流电气特性
符号特性
电阻值
R
sh
T
sh
公差
P
sh
I
sh
承载能力
电流容量
T
C
=25°C
T
C
=80°C
T
C
=25°C
T
C
=80°C
民
典型值
20
2
最大
单位
mΩ
%
W
A
20
10
31
22
温度传感器PTC
符号
R
25
R
100
/R
25
R
-55
/R
25
B
特征
电阻@ 25°C
电阻率
电阻率
温度COEF网络cient
TAMB = 100℃ & 25℃
环境温度Tamb = -55°C & 25℃
民
1980
1.676
0.48
典型值
1.696
0.49
7900
最大
2020
1.716
0.50
单位
Ω
PPM / K
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
民
MOSFET
4000
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.24
150
125
100
4.7
80
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
2009年10月
2–3
APTML100U60R020T1AG - 牧师0
散热器来
M4
www.Microsemi.com
APTML100U60R020T1AG
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
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