APTM50HM65FT
全 - 桥
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
Q3
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 65mW的最大@ TJ = 25°C
I
D
= 51A @ T C = 25°C
应用
·
焊接器
·
开关电源
·
不间断电源
G1
S1
Q2
OUT1
OUT2
Q4
G3
S3
G2
S2
NTC1
0 / VBU S
NTC2
G4
S4
特点
·
功率MOS 7
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
·
开尔文源驱动器，方便
·
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
·
内部热敏电阻的温度监测
·
高集成度
好处
·
突出表现在高频率运行
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
·
低调
G3
S3
G4
S4
OUT2
VBUS
0/VBUS
OUT1
S1
G1
S2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
500
51
38
204
±30
65
390
51
50
3000
单位
V
A
V
mW
W
A
mJ
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
APTM50HM65FT - 修订版2004年5月1日
APTM50HM65FT
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 0V,V
DS
= 400V
民
500
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3
典型值
最大
250
1000
65
5
±100
单位
V
A
mW
V
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 25.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 51A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 333V
I
D
= 51A
R
G
= 3W
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 51A ，R
G
= 3
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 51A
,
R
G
= 3
民
典型值
7000
1400
90
140
40
70
21
38
75
93
1035
845
1556
1013
J
J
ns
最大
单位
pF
nC
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
w
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 51A
I
S
= - 51A
V
R
= 250V
di
S
/ DT = 100A / μs的
I
S
= - 51A
V
R
= 250V
di
S
/ DT = 100A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.6
9.6
民
典型值
最大
51
38
1.3
15
270
540
单位
A
V
V / ns的
ns
C
APTM50HM65FT - 修订版2004年5月1日
u
E
on
包括二极管的反向恢复。
v
按照JEDEC标准JESD24-1 。
w
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
V
R
V
DSS
T
j
150°C
I
S
- 51A的di / dt
700A/s
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APTM50HM65FT
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
典型值
最大
0.32
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M5
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
=
é
1
1
ù
T：热敏电阻温度
- ÷ú
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
ê
B
25 / 85
T
÷
è
25
T
R
25
民
典型值
68
4080
最大
单位
kW
K
包装外形
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APTM50HM65FT - 修订版2004年5月1日
APTM50HM65FT
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
0.9
0.7
0.5
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
200
I
D
，漏电流（ A）
160
120
80
40
5.5V
0
0
V
GS
=10&15V
I
D
，漏电流（ A）
8V
150
125
100
75
50
25
0
25
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
60
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 25.5A
Transfert特点
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
7V
6.5V
6V
5V
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.1
1.05
50
40
30
20
10
0
V
GS
=10V
1
V
GS
=20V
0.95
0.9
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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APTM50HM65FT
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
C，电容（pF ）
西塞
科斯
1000
CRSS
1000
I
D
，漏电流（ A）
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
= 25.5A
100
限于由R
DSON
100美
1毫秒
10毫秒
10
1
单脉冲
T
J
=150°C
1
100毫秒
0.1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
V
GS
，门源电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100 125 150 175
栅极电荷（ NC）
V
DS
=400V
I
D
=51A
T
J
=25°C
V
DS
=100V
V
DS
=250V
10000
100
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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