APTM50H14FT3
全 - 桥
MOSFET功率模块
13 14
Q1
Q3
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 140mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 26A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
18
22
19
Q2
23
8
Q4
7
11
10
26
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
27
特点
功率MOS 7
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
电流能力的两倍的腿
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
V
m
W
A
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-6
APTM50H14FT3 - 牧师2004年0月，
最大额定值
500
26
18
105
±30
140
208
35
30
1300
单位
V
A
APTM50H14FT3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
民
500
典型值
最大
100
140
5
±100
单位
V
A
m
V
nA
3
动态特性
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 26A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 333V
I
D
= 26A
R
G
= 5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 26A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 26A ，R
G
= 5
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 26A
I
S
= - 26A
V
R
= 250V
di
S
/ DT = 100A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
典型值
3259
709
51
72
20
36
10
17
50
41
326
250
548
288
最大
单位
pF
nC
ns
J
J
源 - 漏二极管额定值和特性
符号
I
S
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
反向恢复电荷
民
典型值
26
18
最大
单位
A
1.3
15
250
525
1.6
6
V
V / ns的
ns
C
APTM50H14FT3 - 牧师2004年0月，
E
on
包括二极管的反向恢复。
按照JEDEC标准JESD24-1 。
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 26A的di / dt
≤
700A/s
V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
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2-6
APTM50H14FT3
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
典型值
最大
0.60
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
民
典型值
68
4080
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
1
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
R
T
：热敏电阻在T值
包装外形
1
12
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3-6
APTM50H14FT3 - 牧师2004年0月，
17
28
APTM50H14FT3
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0.9
0.7
0.5
0
0.00001
低电压输出特性
100
I
D
，漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 13A
Transfert特点
80
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=10&15V
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
5.5V
25
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
30
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
V
GS
=10V
20
V
GS
=20V
10
0
10
20
30
40
50
60
25
I
D
，漏电流（ A）
APTM50H14FT3 - 牧师2004年0月，
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
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4-6
APTM50H14FT3
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
1000
I
D
，漏电流（ A）
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=13A
1.1
1.0
0.9
0.8
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100
限于由R
DSON
DS
on
限于由R
100s
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
1ms
10ms
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
100000
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
10000
栅极电荷VS门源电压
14
V
DS
=100V
I
D
=26A
12吨= 25°C
J
V =250V
DS
西塞
科斯
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
栅极电荷（ NC）
80
100
APTM50H14FT3 - 牧师2004年0月，
V
DS
=400V
1000
100
CRSS
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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QQ：2880707522 复制
