APTM50DDA10T3G
双升压斩波
MOSFET功率模块
13 14
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 100mΩ的典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 37A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的升压
符合RoHS
CR1
22
7
CR2
23
Q1
26
8
Q2
4
27
29
15
30
31
R1
32
16
3
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-6
APTM50DDA10T3G - REV2 2006年7月
最大额定值
500
37
28
140
±30
120
312
37
50
1600
单位
V
A
V
m
W
A
APTM50DDA10T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 0V,V
DS
= 400V
典型值
TJ = 25°C
TJ = 125°C
100
3
V
GS
= 10V ，我
D
= 18.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
最大
100
500
120
5
±100
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 37A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 333V
I
D
= 37A
R
G
= 5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 37A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 37A ，R
G
= 5
测试条件
V
R
=600V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
典型值
4367
894
61
96
24
49
15
21
73
52
566
545
931
635
最大
单位
pF
nC
ns
J
J
二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
民
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
V
ns
APTM50DDA10T3G - REV2 2006年7月
I
F
= 40A
I
F
= 40A
V
R
= 300V
di/dt=2600A/s
40
1.45
1.35
95
115
2.6
4
C
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2-6
APTM50DDA10T3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.4
1.5
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
SP3封装外形
（单位：mm ）
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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3-6
APTM50DDA10T3G - REV2 2006年7月
17
28
APTM50DDA10T3G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.45
热阻抗（ ℃/ W）
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
0.7
0.5
0.9
0
0.00001
低电压输出特性
140
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 18.5A
V
GS
=10V
7V
6.5V
6V
5.5V
V
GS
=10&15V
8V
7.5V
Transfert特点
120
100
80
60
40
20
0
25
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
T
J
=-55°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
40
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.20
1.15
1.10
1.05
30
20
V
GS
=20V
1.00
0.95
0.90
0
20
40
60
80
I
D
，漏电流（ A）
10
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
APTM50DDA10T3G - REV2 2006年7月
www.Microsemi.com
4-6
APTM50DDA10T3G
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
V
GS
，门源电压（ V）
1000
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=18.5A
100s
100
限于由R
DS
on
限于由R
DSON
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10ms
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40 60 80 100 120 140
栅极电荷（ NC）
APTM50DDA10T3G - REV2 2006年7月
V
DS
=400V
I
D
=37A
T
J
=25°C
V
DS
=100V
V
DS
=250V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
100
CRSS
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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5-6
QQ：2880707522 复制
