APTM50DAM35T
升压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
VBUS检测
NTC2
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 35MW最大@ TJ = 25°C
I
D
= 99A @ T C = 25°C
应用
·
AC和DC电机控制
·
开关电源
·
功率因数校正
特点
·
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
·
开尔文源驱动器，方便
·
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
·
内部热敏电阻的温度监测
·
高集成度
好处
·
突出表现在高频率运行
·
直接安装到散热器（独立包装）
·
超低的结到外壳热阻
·
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
·
低调
CR1
OUT
Q2
G2
S2
0 / VBU S
NTC1
G2
S2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
VBUS
SENSE
S2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
500
99
74
396
±30
35
781
51
50
3000
单位
V
A
V
mW
W
A
mJ
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
APTM50DAM35T - 第2版
2004年5月
APTM50DAM35T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 375A
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 0V,V
DS
= 400V
民
500
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
最大
150
750
35
5
±150
单位
V
A
mW
V
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 49.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
3
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
u
关断开关能量
v
导通开关能量
u
关断开关能量
v
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 99A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 333V
I
D
= 99A
R
G
= 1W
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 99A ，R
G
= 1
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 333V
I
D
= 99A ，R
G
= 1
民
典型值
14
2.8
0.2
280
80
140
21
38
75
93
2070
1690
3112
2026
J
J
ns
最大
单位
nF
nC
二极管额定值和特性
符号特性
最大平均正向电流
I
F（ AV ）
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50％
民
T
c
= 70°C
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
T
j
= 125°C
1840
nC
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2–6
APTM50DAM35T - 第2版
u
E
on
包括二极管的反向恢复。
v
按照JEDEC标准JESD24-1 。
2004年5月
I
F
= 120A
I
F
= 240A
I
F
= 120A
I
F
= 120A
V
R
= 400V
的di / dt = 400A / μs的
I
F
= 120A
V
R
= 400V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
典型值
120
1.6
1.9
1.4
130
170
440
最大
1.8
单位
A
V
ns
APTM50DAM35T
热和包装特点
符号特性
R
thJC
结到外壳
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
民
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
典型值
最大
0.16
0.46
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
=
é
1
1
ù
T：热敏电阻温度
- ÷ú
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
ê
B
25 / 85
T
÷
è
25
T
R
25
民
典型值
68
4080
最大
单位
kW
K
包装外形
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APTM50DAM35T - 第2版
2004年5月
APTM50DAM35T
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.18
热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.9
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
400
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=10&15V
I
D
，漏电流（ A）
8V
300
250
200
150
100
50
0
25
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
120
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 49.5A
Transfert特点
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
300
7V
200
6.5V
6V
5.5V
0
0
5V
T
J
=25°C
100
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.1
1.05
100
80
60
40
20
0
V
GS
=10V
1
V
GS
=20V
0.95
0.9
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏电流（ A）
120
25
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2004年5月
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
APTM50DAM35T
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
C，电容（pF ）
西塞
10000
科斯
1000
I
D
，漏电流（ A）
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=49.5A
限于由R
DSON
100美
100
1毫秒
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
10毫秒
100毫秒
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
V
GS
，门源电压（ V）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100 150 200 250 300 350
栅极电荷（ NC）
2004年5月
V
DS
=400V
I
D
=99A
T
J
=25°C
V
DS
=100V
V
DS
=250V
1000
CRSS
100
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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