APTM50AM24SC
相脚
系列&碳化硅二极管并联
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 24mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 150A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
平行SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度独立的开关行为
- 对VF正温度系数
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
MOSFET功率模块
G1
S1
VBUS
0/VBUS
OUT
S2
G2
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–7
APTM50AM24SC - 版本1
最大额定值
500
150
110
600
±30
24
1250
24
30
1300
单位
V
A
V
m
W
A
2004年6月，
APTM50AM24SC
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
DSS
漏极 - 源极击穿电压
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.5毫安
民
500
V
GS
= 0V,V
DS
= 500V
V
GS
= 0V,V
DS
= 400V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
最大
500
3
24
5
±500
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 6毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
3
单位
V
A
mA
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 250V
I
D
= 150A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 333V
I
D
= 150A
R
G
= 0.8
民
典型值
19.6
4.2
0.3
434
120
216
10
17
50
41
最大
单位
nF
nC
ns
碳化硅并联二极管额定值和特性
符号
V
RRM
I
RRM
I
F（ A V ）
V
F
Q
C
Q
特征
最大峰值重复反向电压
测试条件
V
R
=600V
占空比为50％
民
600
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 175°C
典型值
400
800
80
1.6
2.0
112
520
400
最大
1600
8000
1.8
2.4
单位
V
A
A
V
nC
pF
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
总容性充电
总电容
I
F
= 80A
I
F
= 80A ，V
R
= 300V
的di / dt = 2000A / μs的
F = 1MHz时， V
R
= 200V
F = 1MHz时， V
R
= 400V
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2–7
APTM50AM24SC - 版本1
2004年6月，
APTM50AM24SC
串联二极管额定值和特性
符号特性
I
F（ A V ）
最大平均正向电流
V
F
二极管的正向电压
测试条件
占空比为50％
I
F
= 120A
I
F
= 240A
I
F
= 120A
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
民
T
c
= 85°C
典型值
120
1.1
1.4
0.9
31
60
120
500
最大
1.15
V
单位
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
ns
nC
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
晶体管
串联二极管
并联二极管
民
典型值
最大
0.10
0.46
0.35
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
2500
-40
-40
-40
3
2
包装外形
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3–7
APTM50AM24SC - 版本1
2004年6月，
APTM50AM24SC
典型MOSFET的性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗（ ℃/ W）
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
低电压输出特性
600
I
D
，漏电流（ A）
480
360
240
120
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 75A
Transfert特点
480
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=10&15V
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
5.5V
25
420
360
300
240
180
120
60
0
0
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
160
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
V
GS
=10V
120
80
V
GS
=20V
40
0
60
120
180
240
300
360
25
I
D
，漏电流（ A）
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
2004年6月，
4–7
APTM50AM24SC - 版本1
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APTM50AM24SC
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
1000
I
D
，漏电流（ A）
限于由R
DSON
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=75A
1.1
1.0
0.9
0.8
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
100s
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100
限于由R
DS
on
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
科斯
V
GS
，门源电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
V
DS
=100V
I
D
=150A
12吨= 25°C
J
V =250V
DS
10
8
6
4
2
0
0
100
200 300 400
栅极电荷（ NC）
500
600
V
DS
=400V
1000
CRSS
100
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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APTM50AM24SC - 版本1
2004年6月，
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