【APTM20AM10STG相脚系列&并联二极管MOSFET功率模块NT C2VBUSQ1VD】,IC型号APTM20AM10STG,APTM20AM10STG PDF资料,APTM20AM10STG经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTM20AM10STG

相脚

系列&并联二极管

MOSFET功率模块

NT C2

VBUS

DSS

= 200V

DSON

=为10mΩ （典型值） @ TJ = 25°C

= 175A @ T C = 25°C

应用

电机控制

开关电源

不间断电源

特点

功率MOS 7

MOSFET的

- 低R

DSON

- 低投入和米勒电容

- 低栅极电荷

- 额定雪崩能量

- 非常坚固

开尔文源驱动器，方便

极低的杂散电感

- 对称设计

- 用于电源连接引线架

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

好处

突出表现在高频率运行

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

符合RoHS

OUT

0 / VBU S

NT C1

OUT

VBUS

OUT

0 / VBUS

NTC2

NTC1

绝对最大额定值

符号

DSS

DSON

参数

漏极 - 源极击穿电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

雪崩电流（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

= 25°C

= 80°C

= 25°C

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

1–6

APTM20AM10STG - 修订版3

最大额定值

200

175

131

700

±30

694

2500

单位

2006年7月

APTM20AM10STG

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

GSS

特征

测试条件

民

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

= 0V,V

= 200V

= 0V,V

= 160V

典型值

= 25°C

= 125°C

= 10V ，我

= 87.5A

= V

, I

= 5毫安

= ±30 V, V

= 0V

最大

200

1000

±150

单位

动态特性

符号

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

= 10V

公共汽车

= 100V

= 150A

电感式开关@ 125°C

= 15V

公共汽车

= 133V

= 150A

= 2.5

电感式开关@ 25°C

= 15V, V

公共汽车

= 133V

= 150A ，R

= 2.5

电感式开关@ 125°C

= 15V, V

公共汽车

= 133V

= 150A ，R

= 2.5

民

典型值

13.7

4.36

0.19

224

926

910

1216

1062

最大

单位

二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最大峰值重复反向电压

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

测试条件

=200V

= 90A

= 180A

= 90A

= 125°C

= 25°C

= 90A

= 133V

的di / dt = 600A / μs的

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 85°C

民

200

典型值

最大

250

750

单位

1.1

1.4

0.9

450

1.15

2006年7月

2–6

APTM20AM10STG - 修订版3

反向恢复时间

反向恢复电荷

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APTM20AM10STG

热和包装特点

符号特性

thJC

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

晶体管

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.18

0.45

150

125

100

4.7

160

单位

° C / W

°C

牛米

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

电阻@ 25°C

25/85

= 298.15 K

民

典型值

3952

最大

单位

EXP

25 / 85

T：热敏电阻温度

：热敏电阻在T值

SP4封装外形

（单位：mm ）

所有尺寸注明" * "如TOLERENCED ：

请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上

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3–6

APTM20AM10STG - 修订版3

2006年7月

APTM20AM10STG

典型性能曲线

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.2

0.18

0.9

0.16

0.14

0.7

0.12

0.5

0.1

0.08

0.3

0.06

0.04

0.1

0.02

0.05

0.00001

热阻抗（ ℃/ W）

单脉冲

0.0001

0.001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

低电压输出特性

500

=15&10V

400

，漏电流（ A）

Transfert特点

＆ GT ;我

（上） xR的

（上）最大

250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比

，漏电流（ A）

400

300

200

100

，漏源极电压（ V）

（ ON）与漏电流

1.2

1.15

1.1

1.05

0.95

0.9

120 160 200

，漏电流（ A）

240

=20V

300

7.5V

6.5V

5.5V

200

=25°C

=125°C

=-55°C

100

，门源电压（ V）

（上）漏源导通电阻

直流漏电流与外壳温度

180

，直流漏电流（ A）

160

140

120

100

2006年7月

4–6

APTM20AM10STG - 修订版3

归一

= 10V @ 87.5A

=10V

100

125

，外壳温度（ ° C）

150

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APTM20AM10STG

（上），漏极至源极导通电阻

（归一化）

击穿电压与温度

DSS

，漏源击穿

电压（归）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

阈值电压与温度

1.2

（ TH ），阈值电压

（归一化）

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

电容VS漏极至源极电压

100000

C，电容（pF ）

西塞

10000

科斯

100

1000

，漏源极电压（ V）

，漏电流（ A）

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

最大安全工作区

受

DSON

在电阻与温度

=10V

= 87.5A

1000

100s

100

1ms

10ms

单脉冲

=150°C

=25°C

DC线

，门源电压（ V）

栅极电荷VS门源电压

=40V

=150A

=25°C

=100V

100

150

200

250

栅极电荷（ NC）

2006年7月

=160V

1000

CRSS

100

，漏源极电压（ V）

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5–6

APTM20AM10STG - 修订版3

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