APTM20AM04FG
相脚
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
V
DSS
= 200V
R
DSON
= 4MΩ典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 372A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
OUT
S1
Q2
特点
功率MOS 7
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
G2
S2
0/VBUS
好处
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
G1
S1
VBUS
0/VBUS
OUT
S2
G2
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
最大额定值
200
372
278
1488
±30
5
1250
100
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–6
APTM20AM04FG-第2版
2006年7月
T
c
= 25°C
APTM20AM04FG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 160V
典型值
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 186A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
4
3
最大
500
2000
5
5
±200
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 100V
I
D
= 372A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 133V
I
D
= 372A
R
G
= 1.2
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 372A ，R
G
= 1.2
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 133V
I
D
= 372A ，R
G
= 1.2
民
典型值
28.9
9.32
0.58
560
212
268
32
64
88
116
3396
3716
3744
3944
最大
单位
nF
nC
ns
J
J
源 - 漏二极管额定值和特性
符号
I
S
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
民
典型值
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 372A
I
S
= -372A
V
R
= 133V
di
S
/ DT = 400A / μs的
I
S
= -372A
V
R
= 133V
di
S
/ DT = 400A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
3.6
13.6
最大
372
278
1.3
5
230
450
单位
A
V
V / ns的
ns
C
2006年7月
2–6
APTM20AM04FG-第2版
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 372A的di / dt
≤
700A/s
V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
www.Microsemi.com
APTM20AM04FG
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分， Isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.1
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
SP6封装外形
（单位：mm ）
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
3–6
APTM20AM04FG-第2版
2006年7月
APTM20AM04FG
RDS （ ON） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
科斯
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
10000
V
GS
=10V
I
D
= 186A
1000
受
R
DSON
100s
1ms
100
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
10ms
100ms
10
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
I
D
=372A
V
DS
=40V
12
T
J
=25°C
10
8
6
4
2
0
0
80 160 240 320 400 480 560 640
栅极电荷（ NC）
2006年7月
V
DS
=100V
V
DS
=160V
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
www.Microsemi.com
5–6
APTM20AM04FG-第2版
QQ：2881677436 复制
