APTM120U10SA
单开关
系列&并联二极管
MOSFET功率模块
SK
CR1
D
V
DSS
= 1200V
R
DSON
= 100mΩ的典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 116A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
对于MOSFET AlN基板改善热
性能
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
S
Q1
G
S
D
SK
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
APTM120U10SA版本0
最大额定值
1200
116
86
464
±30
120
3290
24
50
3200
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2005年9月，
APTM120U10SA
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
V
GS
= 0V,V
DS
= 1200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 58A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 20mA下
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 600V
I
D
= 116A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 800V
I
D
= 116A
R
G
=1.2
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 116A ，R
G
= 1.2
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 116A ，R
G
= 1.2
100
3
最大
1
4
120
5
±400
最大
单位
mA
m
V
nA
单位
nF
动态特性
民
典型值
28.9
4.4
0.8
1100
128
716
20
17
245
62
5
4.6
9.2
5.6
nC
ns
mJ
mJ
串联二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=200V
占空比为50％
I
F
= 120A
I
F
= 240A
I
F
= 120A
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
民
200
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 80°C
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
120
1.1
1.4
0.9
31
60
120
500
1.15
V
2005年9月，
2–6
APTM120U10SA版本0
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
ns
nC
I
F
= 120A
V
R
= 133V
的di / dt = 400A / μs的
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APTM120U10SA
并联二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=1200V
占空比为50％
I
F
= 180A
I
F
= 360A
I
F
= 180A
I
F
= 180A
V
R
= 800V
的di / dt = 600A / μs的
I
F
= 180A
V
R
= 800V
的di / dt = 600A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 80°C
民
1200
典型值
最大
200
750
单位
V
A
A
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
180
2.5
3
1.8
265
350
1.7
8.7
3
V
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
ns
C
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
晶体管
串联二极管
并联二极管
民
典型值
最大
0.038
0.46
0.32
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
2500
-40
-40
-40
3
2
SP6封装外形
（单位：mm ）
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3–6
APTM120U10SA版本0
2005年9月，
APTM120U10SA
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.04
热阻抗（ ℃/ W）
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.5
0.3
0.9
0.7
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
280
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 58A
4.5V
6V
5.5V
V
GS
=15, 10V
7V
Transfert特点
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
120
100
80
60
40
20
0
30
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
5V
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
V
GS
=10V
V
GS
=20V
40
80
120
160
200
240
25
50
75
100
125
150
2005年9月，
4–6
APTM120U10SA版本0
I
D
，漏电流（ A）
T
C
，外壳温度（ ° C）
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APTM120U10SA
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
14
12
10
8
6
4
2
0
0
300
600
900
1200
1500
2005年9月，
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=58A
1000
限于由R
DS
on
100s
100
1ms
10ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
1200
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
I
D
=116A
T
J
=25°C
V
DS
=600V
V
DS
=960V
V
DS
=240V
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷（ NC）
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5–6
APTM120U10SA版本0
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