APTM120DDA57T3G
双升压斩波
MOSFET功率模块
13 14
V
DSS
= 1200V
R
DSON
= 570mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 17A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每个腿能够容易地并联以实现单
电流能力的两倍的升压
符合RoHS
CR1
22
7
CR2
23
Q1
26
8
Q2
4
27
29
15
30
31
R1
32
16
3
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1–6
APTM120DDA57T3G-修订版2006年7月1日
最大额定值
1200
17
13
68
±30
684
390
22
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
APTM120DDA57T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
测试条件
民
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 1200V
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
570
3
最大
250
1000
684
5
±100
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 600V
I
D
= 17A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A
R
G
= 5
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 800V
I
D
= 17A ，R
G
= 5
民
典型值
5155
770
130
187
24
120
20
15
160
45
990
685
1565
857
最大
单位
pF
nC
ns
J
J
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
F
= 25A
V
R
= 600V
的di / dt = 1000A / μs的
民
1200
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
V
ns
C
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=1200V
I
F
= 25A
V
GE
= 0V
25
2.1
1.9
95
190
2.3
4.5
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
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2–6
APTM120DDA57T3G-修订版2006年7月1日
APTM120DDA57T3G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.32
1.2
150
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
SP3封装外形
（单位：mm ）
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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APTM120DDA57T3G-修订版2006年7月1日
17
28
APTM120DDA57T3G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.9
0.7
0.5
0.3
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
50
V
GS
= 15 10 & 8V
Transfert特点
80
70
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
7V
6.5V
60
50
40
30
20
10
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
6V
5.5V
5V
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 8.5A
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
20
16
12
8
4
0
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
V
GS
=10V
V
GS
=20V
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
APTM120DDA57T3G-修订版2006年7月1日
I
D
，漏电流（ A）
T
C
，外壳温度（ ° C）
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APTM120DDA57T3G
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
C，电容（pF ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
200
240
栅极电荷（ NC）
APTM120DDA57T3G-修订版2006年7月1日
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=8.5A
100
100s
限于由R
DS
on
1ms
10ms
10
1
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
1
1200
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
栅极电荷VS门源电压
I
D
=17A
T
J
=25°C
V
DS
=240V
V
DS
=600V
V
DS
=960V
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
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5–6
QQ：2881677436 复制
