APTM120DA30T1G
升压斩波
MOSFET功率模块
5
6
11
V
DSS
= 1200V
R
DSON
= 300MΩ ，典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 31A @ T C = 25°C
应用
CR1
3
4
NTC
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
功率MOS 8 MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
Q2
9
10
1
2
12
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
管脚1/2 ; 3/4 ; 5/6必须短接在一起
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1200
31
23
195
±30
360
657
25
单位
V
A
V
mΩ
W
A
2007年12月，
1–5
APTM120DA30T1G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTM120DA30T1G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
V
DS
=1200V
V
GS
= 0V
T
j
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
= ±30 V
民
典型值
最大
100
500
360
5
±100
单位
A
mΩ
V
nA
3
300
4
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 600V
I
D
= 25A
电阻开关@ 25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 800V
I
D
= 25A
R
G
= 2.2Ω
民
典型值
14560
1340
172
560
90
265
100
60
315
90
ns
nC
最大
单位
pF
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 800V
的di / dt = 200A / μs的
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
民
1200
典型值
最大
100
500
单位
V
A
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
60
2.5
3
1.8
265
350
560
2890
3
V
ns
nC
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
晶体管
二极管
民
典型值
最大
0.19
0.9
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
www.Microsemi.com
2–5
APTM120DA30T1G - 牧师0
2500
-40
-40
-40
2.5
2007年12月，
热和包装特点
APTM120DA30T1G
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
kΩ
K
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
典型MOSFET的性能曲线
美心庵有效的瞬态千卡人林pedance ，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.04
0.3
0.1
0.05
单P ulse
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
www.Microsemi.com
3–5
APTM120DA30T1G - 牧师0
2007年12月，
APTM120DA30T1G
典型的二极管特性曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.2
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
转发电流与正向电压
t
rr
，反向恢复时间（纳秒）
150
I
F
，正向电流（ A）
125
100
75
50
25
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
F
，阳极到阴极电压（V）
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
QRR与电流充电率
6
5
4
3
2
1
0
30 A
T
J
=125°C
V
R
=800V
TRR与充电的电流变化率
400
T
J
=125°C
V
R
=800V
300
120 A
T
J
=125°C
200
60 A
T
J
=25°C
100
0
0
200
400
600
30 A
800 1000 1200
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
IRRM与充电的电流变化率
I
RRM
，反向恢复电流（ A）
7
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000 1200
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
T
J
=125°C
V
R
=800V
120 A
60 A
30 A
120 A
60 A
0
200
400
600
800
1000 1200
- 二
F
/ DT （ A / μS ）
电容与反向电压
400
马克斯。平均正向电流与情况下的温度。
100
80
I
F
（ AV ） （A ）
60
40
20
0
占空比= 0.5
T
J
=175°C
C，电容（pF ）
300
100
0
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
1000
25
50
75
100
125
150
175
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5–5
APTM120DA30T1G - 牧师0
外壳温度（ ° C）
2007年12月，
200
QQ：2880707522 复制
