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APTM10DSKM09T3G

双降压斩波

MOSFET功率模块

13 14

CR1

CR2

DSS

= 100V

DSON

= 9mΩ典型值@ TJ = 25°C

= 139A @ T C = 25°C

应用

AC和DC电机控制

开关电源

特点

功率MOS V

MOSFET的

- 低R

DSON

- 低投入和米勒电容

- 低栅极电荷

- 额定雪崩能量

- 非常坚固

开尔文源驱动器，方便

极低的杂散电感

对称设计

内部热敏电阻的温度监测

高集成度

好处

突出表现在高频率运行

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

无论是电源线和信号对可焊接端子

简单的PCB安装

低调

每个腿能够容易地并联以实现单

电流能力的两倍的降压

符合RoHS

28 27 26 25

23 22

20 19 18

10 11 12

所有的多路输入和输出必须短接在一起

例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...

绝对最大额定值

符号

DSS

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

1–6

APTM10DSKM09T3G - 版本1

最大额定值

单位

100

= 25°C

139

连续漏电流

= 80°C

100 *

漏电流脉冲

430

栅 - 源电压

±30

DSON

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

= 25°C

390

雪崩电流（重复，不重复）

100

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

3000

* MOSFET器件，但输出电流的规范必须限制在75A至不超过温度的增量

大于30℃的连接器。

参数

漏极 - 源极击穿电压

2006年7月

APTM10DSKM09T3G

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

GSS

特征

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

测试条件

= 0V,V

= 100V

= 0V,V

= 80V

民

= 25°C

= 125°C

典型值

= 10V ，我

= 69.5A

= V

, I

= 2.5毫安

= ±30 V, V

= 0V

最大

100

500

±100

单位

动态特性

符号

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

= 10V

公共汽车

= 50V

=139A

电感式开关@ 125°C

= 15V

公共汽车

= 66V

= 139A

= 5

电感式开关@ 25°C

= 15V, V

公共汽车

= 66V

= 139A ，R

= 5

电感式开关@ 125°C

= 15V, V

公共汽车

= 66V

= 139A ，R

= 5

民

典型值

9875

3940

1470

350

180

125

552

604

608

641

最大

单位

二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最大峰值重复反向电压

测试条件

= 25°C

= 125°C

TC = 80℃

= 100A

= 200A

= 100A

= 133V

的di / dt = 200A / μs的

民

200

典型值

最大

250

500

单位

2006年7月

2–6

APTM10DSKM09T3G - 版本1

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

=200V

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

100

1.4

0.9

110

200

840

www.Microsemi.com

APTM10DSKM09T3G

热和包装特点

符号特性

thJC

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

晶体管

二极管

2500

-40

2.5

民

典型值

最大

0.32

0.55

150

125

100

4.7

110

单位

° C / W

°C

牛米

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

散热器来

温度传感器NTC

（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息）。

符号特性

电阻@ 25°C

25/85

= 298.15 K

民

典型值

3952

最大

单位

EXP

25 / 85

T：热敏电阻温度

：热敏电阻在T值

SP3封装外形

（单位：mm ）

请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块

www.Microsemi.com

3–6

APTM10DSKM09T3G - 版本1

2006年7月

APTM10DSKM09T3G

典型性能曲线

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.35

热阻抗（ ℃/ W）

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.3

0.1

单脉冲

0.9

0.7

0.5

0.05

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

低电压输出特性

120

，漏电流（ A）

= 15V ， 10V & 9V

600

，漏电流（ A）

500

400

300

200

100

Transfert特点

＆ GT ;我

（上） xR的

（上）最大

250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比

100

=25°C

=125°C

=-55°C

，漏源极电压（ V）

DS （ ON）

VS漏电流

1.2

，直流漏电流（ A）

归一

= 10V @ 69.5A

，门源电压（ V）

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

直流漏电流与外壳温度

140

120

100

125

150

2006年7月

4–6

APTM10DSKM09T3G - 版本1

1.1

=10V

0.9

0.8

100

150

200

，漏电流（ A）

=20V

，外壳温度（ ° C）

www.Microsemi.com

APTM10DSKM09T3G

RDS （ ON），漏极至源极导通电阻

（归一化）

击穿电压与温度

DSS

，漏源击穿

电压（归）

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

-50 -25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

阈值电压与温度

1.2

（ TH ），阈值电压

（归一化）

，漏电流（ A）

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25

25 50 75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

电容VS漏极至源极电压

100000

C，电容（pF ）

在电阻与温度

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50 -25

75 100 125 150

，结温（ ° C）

最大安全工作区

1000

受

DSON

=10V

= 69.5A

100s

100

1ms

单脉冲

=150°C

=25°C

10ms

100

，漏源极电压（ V）

，门源电压（ V）

栅极电荷VS门源电压

100

200

300

400

500

2006年7月

=50V

=80V

=139A

=25°C

=20V

10000

西塞

科斯

CRSS

1000

100

，漏源极电压（ V）

栅极电荷（ NC）

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APTM10DSKM09T3G - 版本1