APTM100UM60F-AlN
单开关
MOSFET功率模块
SK
S
D
V
DSS
= 1000V
R
DSON
=的60mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 129A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS 7
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
对于改进的热性能的AlN衬底
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
G
DK
DK
S
D
SK
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1–6
APTM100UM60F - AlN的牧师0
2004年7月
T
c
= 25°C
最大额定值
1000
129
97
516
±30
60
2272
25
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
APTM100UM60F-AlN
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
特征
漏极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.5毫安
民
1000
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V,V
DS
= 800V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
最大
1.5
5
60
5
±500
单位
V
mA
m
V
nA
V
GS
= 10V ，我
D
= 64.5A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 15毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
3
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 500V
I
D
= 129A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 670V
I
D
= 129A
R
G
=0.8
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 670V
I
D
= 129A ，R
G
= 0.8
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 670V
I
D
= 129A ，R
G
= 0.8
民
典型值
31.1
5.28
0.96
1116
144
732
18
12
155
40
5.4
3.7
8.5
4.7
最大
单位
nF
nC
ns
mJ
mJ
源 - 漏二极管额定值和特性
符号
I
S
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
民
典型值
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 129A
I
S
= - 129A
V
R
= 500V
di
S
/ DT = 600A / μs的
I
S
= - 129A
V
R
= 500V
di
S
/ DT = 600A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
21.6
58.3
最大
129
97
1.3
18
320
650
单位
A
V
V / ns的
ns
C
2004年7月
2–6
APTM100UM60F - AlN的牧师0
E
on
包括二极管的反向恢复。
按照JEDEC标准JESD24-1 。
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 129A的di / dt
≤
700A/s
V
R
≤
V
DSS
T
j
≤
150°C
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APTM100UM60F-AlN
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.055
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
包装外形
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3–6
APTM100UM60F - AlN的牧师0
2004年7月
APTM100UM60F-AlN
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.06
热阻抗（ ℃/ W）
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
360
V
GS
= 15 ， 10&8V
Transfert特点
480
420
I
D
，漏电流（ A）
360
300
240
180
120
60
0
30
0
1
2
3
4
5
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
6
7
8
9
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
，漏电流（ A）
300
240
180
120
60
0
0
5
10
15
20
7V
6.5V
6V
5.5V
5V
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 64.5A
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
2004年7月
4–6
APTM100UM60F - AlN的牧师0
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
50
V
GS
=10V
V
GS
=20V
100 150 200 250 300 350
I
D
，漏电流（ A）
T
C
，外壳温度（ ° C）
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APTM100UM60F-AlN
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
100000
西塞
C，电容（pF ）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
250
500
750
1000 1250 1500
2004年7月
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=64.5A
1000
限于由R
DS
on
100s
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
10ms
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
I
D
=129A
T
J
=25°C
V
DS
=500V
V
DS
=800V
V
DS
=200V
10000
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷（ NC）
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