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APTM100SKM90G
降压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
Q1
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 90mΩ (典型值) @ TJ = 25°C
I
D
= 78A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
G1
OUT
S1
CR2
0/VBUS
G1
S1
VBUS
0/VBUS
OUT
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流(重复,不重复)
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–6
APTM100SKM90G-版本1
2006年7月
T
c
= 25°C
最大额定值
1000
78
59
312
±30
105
1250
25
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
APTM100SKM90G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
特征
测试条件
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
V
GS
= 0V,V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V,V
DS
= 800V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
典型值
V
GS
= 10V ,我
D
= 39A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0V
90
3
最大
400
2000
105
5
±250
单位
A
m
V
nA
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 500V
I
D
= 78A
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 670V
I
D
= 78A
R
G
=1.2
电感式开关@ 25°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 670V
I
D
= 78A ,R
G
= 1.2
电感式开关@ 125°C
V
GS
= 15V, V
公共汽车
= 670V
I
D
= 78A ,R
G
= 1.2
典型值
20.7
3.5
0.64
744
96
488
18
12
155
40
3.6
2.5
5.7
3.1
最大
单位
nF
nC
ns
mJ
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=1000V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
c
= 70°C
1000
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
I
F
= 100A
I
F
= 200A
I
F
= 100A
I
F
= 100A
V
R
= 670V
的di / dt = 200A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
100
1.9
2.2
1.7
300
360
800
4050
2.5
V
Q
rr
反向恢复电荷
nC
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2–6
APTM100SKM90G-版本1
2006年7月
t
rr
反向恢复时间
ns
APTM100SKM90G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
对于终端
M6
M5
晶体管
二极管
2500
-40
-40
-40
3
2
典型值
最大
0.1
0.55
150
125
100
5
3.5
280
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
SP6封装外形
(单位:mm )
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3–6
APTM100SKM90G-版本1
请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com
2006年7月
APTM100SKM90G
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
0.12
热阻抗( ℃/ W)
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0
0.00001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间(秒)
低电压输出特性
240
V
GS
= 15 , 10&8V
Transfert特点
320
280
I
D
,漏电流( A)
240
200
160
120
80
40
0
30
0
1
2
3
4
5
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
DS
& GT ;我
D
(上) xR的
DS
(上)最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
I
D
,漏电流( A)
200
160
120
80
40
0
0
5
10
15
20
7V
6.5V
6V
5.5V
5V
T
J
=-55°C
25
6
7
8
9
V
DS
,漏源极电压( V)
R
DS ( ON)
VS漏电流
I
D
,直流漏电流( A)
归一
V
GS
= 10V @ 39A
V
GS
=10V
V
GS
,门源电压( V)
直流漏电流与外壳温度
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
2006年7月
4–6
APTM100SKM90G-版本1
R
DS
(上)漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
V
GS
=20V
40
80
120
160
200
240
I
D
,漏电流( A)
T
C
,外壳温度( ° C)
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APTM100SKM90G
R
DS
(上) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
击穿电压与温度
BV
DSS
,漏源击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
阈值电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
I
D
,漏电流( A)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
电容VS漏极至源极电压
V
GS
,门源电压( V)
100000
西塞
C,电容(pF )
10000
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
400
600
800
1000
栅极电荷( NC)
2006年7月
在电阻与温度
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
最大安全工作区
V
GS
=10V
I
D
=39A
1000
100s
限于由R
DS
on
100
1ms
10
单脉冲
T
J
=150°C
T
C
=25°C
10ms
1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
栅极电荷VS门源电压
I
D
=78A
T
J
=25°C
V
DS
=200V
V
DS
=500V
V
DS
=800V
科斯
1000
CRSS
100
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源极电压( V)
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5–6
APTM100SKM90G-版本1
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