APTM100H80FT1G
全 - 桥
MOSFET功率模块
3
Q1
4
Q3
2
6
Q2
7
1
Q4
9
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 800mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 11A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS 8 快速FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
极低的杂散电感
- 对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
5
8
NTC
10
11
12
3/4引脚必须短接在一起
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
电流能力的两倍的腿
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
最大额定值
1000
11
8
68
±30
960
208
9
单位
V
A
V
mΩ
W
A
2007年12月，
1–5
APTM100H80FT1G - 牧师0
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTM100H80FT1G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
零栅极电压漏极电流
漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
门 - 源极漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
V
DS
= 1000V
V
GS
= 0V
T
j
= 125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= ±30 V
民
典型值
最大
250
1000
960
5
±100
单位
A
mΩ
V
nA
3
800
4
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
公共汽车
= 500V
I
D
= 9A
电阻开关@ 25°C
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 667V
I
D
= 9A
R
G
= 4.7Ω
民
典型值
3876
405
52
150
26
70
29
31
105
28
ns
nC
最大
单位
pF
源 - 漏二极管额定值和特性
符号特性
I
S
连续源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
的dv / dt峰值二极管恢复
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
TC = 25°C
TC = 80℃
V
GS
= 0V时，我
S
= - 9A
T
j
= 25°C
I
S
= - 9A
V
R
= 100V
di
S
/ DT = 100A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.02
2.57
民
典型值
最大
11
8
1
25
245
465
单位
A
V
V / ns的
ns
C
dv / dt的数字反映了电路而不是设备本身的局限。
I
S
≤
- 9A的di / dt
≤
1000A /μs的V
DD
≤
400V牛逼
j
≤
125°C
2007年12月，
www.Microsemi.com
2–5
APTM100H80FT1G - 牧师0
APTM100H80FT1G
热和包装特点
符号
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
特征
结到外壳热阻
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
民
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.6
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
25
T
T：热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
kΩ
K
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
www.Microsemi.com
3–5
APTM100H80FT1G - 牧师0
2007年12月，
APTM100H80FT1G
漏极电流与源极到漏极电压
25
I
SD
，反向漏电流（ A）
20
T
J
=125°C
15
10
T
J
=25°C
5
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.5
0.9
0.7
0.3
0.2
0.1
0.3
0.1
0.05
单脉冲
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5–5
APTM100H80FT1G - 牧师0
2007年12月，
QQ：2881677436 复制
