【APTM100A13DG相脚同系列二极管MOSFET功率模块VBUSVDSS= 1000VRDSON】,IC型号APTM100A13DG,APTM100A13DG PDF资料,APTM100A13DG经销商,ic,电子元器件-51电子网

APTM100A13DG

相脚

同系列二极管

MOSFET功率模块

VBUS

DSS

= 1000V

DSON

= 130mΩ （典型值） @ TJ = 25°C

= 65A @ T C = 25°C

应用

零电流开关谐振模式

特点

功率MOS 7

MOSFET的

- 低R

DSON

- 低投入和米勒电容

- 低栅极电荷

- 快速内在反向二极管

- 额定雪崩能量

- 非常坚固

开尔文源驱动器，方便

极低的杂散电感

- 对称设计

- M5电源连接器

高集成度

好处

突出表现在高频率运行

直接安装到散热器（独立包装）

超低的结到外壳热阻

低调

符合RoHS

OUT

0/VBUS

VBUS

0/VBUS

OUT

绝对最大额定值

符号

DSS

DSON

参数

漏极 - 源极击穿电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅 - 源电压

漏 - 源极导通电阻

最大功率耗散

雪崩电流（重复，不重复）

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

= 25°C

= 80°C

= 25°C

最大额定值

1000

240

±30

156

1250

1300

单位

这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记

APT0502上www.microsemi.com

www.Microsemi.com

1-6

APTM100A13DG - 第2版

2006年12月，

APTM100A13DG

所有评级@ T

= 25 ° C除非另有说明

电气特性

符号特性

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

GSS

测试条件

民

零栅极电压漏极电流

漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

门 - 源极漏电流

= 0V,V

= 1000V

= 0V,V

= 800V

= 25°C

= 125°C

典型值

= 10V ，我

= 32.5A

= V

, I

= 6毫安

= ±30 V, V

= 0V

130

最大

600

156

±450

单位

动态特性

符号

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

关闭

特征

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源电荷

栅 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关能量

关断开关能量

导通开关能量

关断开关能量

测试条件

= 0V

= 25V

F = 1MHz的

= 10V

公共汽车

= 500V

= 65A

电感式开关@ 125°C

= 15V

公共汽车

= 667V

= 65A

= 0.5

电感式开关@ 25°C

= 15V, V

公共汽车

= 667V

= 65A ，R

= 0.5

电感式开关@ 125°C

= 15V, V

公共汽车

= 667V

= 65A ，R

= 0.5

民

典型值

15.2

2.6

0.42

562

363

2.13

0.46

4.4

0.57

最大

单位

串联二极管额定值和特性

符号特性

RRM

最高重复反向电压

测试条件

=1200V

= 25°C

= 125°C

= 100°C

民

1200

典型值

最大

150

600

单位

最大反向漏电流

直流正向电流

二极管的正向电压

= 120A

= 240A

= 120A

= 800V

的di / dt = 400A / μs的

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

120

2.5

1.8

265

350

1120

5800

2006年12月，

2-6

APTM100A13DG - 第2版

反向恢复时间

反向恢复电荷

www.Microsemi.com

APTM100A13DG

热和包装特点

符号特性

thJC

ISOL

英镑

力矩

结到外壳热阻

工作结温范围

存储温度范围

工作温度

安装力矩

包装重量

散热器来

对于终端

晶体管

串联二极管

2500

-40

民

典型值

最大

0.10

0.46

150

125

100

3.5

280

单位

° C / W

°C

牛米

RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的

SP6封装外形

（单位：mm ）

请参阅应用笔记APT0601 - 安装说明书SP6电源模块上www.microsemi.com

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3-6

APTM100A13DG - 第2版

2006年12月，

APTM100A13DG

典型性能曲线

最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间

0.12

热阻抗（ ℃/ W）

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0.9

0.7

0.5

0.3

0.1

0.05

0.0001

0.001

单脉冲

0.00001

0.01

0.1

矩形脉冲持续时间（秒）

低电压输出特性

180

，漏电流（ A）

150

120

，漏源极电压（ V）

DS （ ON）

VS漏电流

，直流漏电流（ A）

归一

= 10V @ 32.5A

=10V

=20V

=15&10V

6.5V

Transfert特点

360

300

240

180

120

=25°C

=125°C

=-55°C

＆ GT ;我

（上） xR的

（上）最大

250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比

5.5V

9 10

，门源电压（ V）

直流漏电流与外壳温度

100

125

150

（上）漏源导通电阻

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

，漏电流（ A）

，外壳温度（ ° C）

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4-6

APTM100A13DG - 第2版

2006年12月，

120

150

180

APTM100A13DG

（上），漏极至源极导通电阻

（归一化）

击穿电压与温度

DSS

，漏源击穿

电压（归）

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

25 50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

阈值电压与温度

1.2

（ TH ），阈值电压

（归一化）

，漏电流（ A）

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

电容VS漏极至源极电压

，门源电压（ V）

100000

C，电容（pF ）

西塞

10000

科斯

1000

CRSS

120 240 360 480 600 720 840

2006年12月，

5-6

APTM100A13DG - 第2版

在电阻与温度

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50 -25

75 100 125 150

，结温（ ° C）

最大安全工作区

=10V

=32.5A

1000

100s

限于由R

100

1ms

单脉冲

=150°C

=25°C

10ms

100

1000

，漏源极电压（ V）

栅极电荷VS门源电压

=65A

=25°C

=500V

=200V

=800V

100

，漏源极电压（ V）

栅极电荷（ NC）

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