APTGT75DDA60T3
双升压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
13 14
V
CES
= 600V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
CR1
CR2
22
7
23
Q1
26
27
8
Q2
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
每条腿可以很容易地并联，以实现
当前能力的两倍单一的推动作用。
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-5
APTGT75DDA60T3 - 牧师0 ，
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
最大额定值
600
100
75
140
±20
250
150A @ 550V
单位
V
2005年5月
A
V
W
APTGT75DDA60T3
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 600A
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
250
1.9
6.5
600
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号特性
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 12
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 12
民
典型值
4620
300
140
110
45
200
40
120
50
250
60
1.3
2.6
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=600V
占空比为50％
I
F
= 75A
V
GE
= 0V
I
F
= 75A
V
R
= 300V
的di / dt = 2000A / μs的
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2-5
APTGT75DDA60T3 - 牧师0 ，
2005年5月
75
1.6
1.5
125
220
3.6
7.6
2
V
ns
C
APTGT75DDA60T3
温度传感器NTC
（见www.advancedpower.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.60
0.98
175
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
2500
-40
-40
-40
1.5
包装外形
（单位：mm ）
1
12
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3-5
APTGT75DDA60T3 - 牧师0 ，
2005年5月
17
28
APTGT75DDA60T3
典型性能曲线
150
125
T
J
=125°C
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
T
J
=25°C
输出特性
150
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
125
T
J
=150°C
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
100
I
C
(A)
75
50
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
25
0
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
150
125
100
75
50
25
0
5
Transfert特点
5
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 12
T
J
= 150°C
EOFF
宙
4
E（兆焦耳）
3
2
1
I
C
(A)
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
Er
宙
0
11
12
0
25
50
75
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
175
宙
6
7
8
9
V
GE
(V)
10
100
125
150
开关损耗VS栅极电阻
10
8
E（兆焦耳）
6
EOFF
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 150°C
150
125
I
C
(A)
100
75
50
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=12
4
2
0
0
EOFF
宙
Er
25
0
80
0
10
20 30 40 50 60
栅极电阻（欧姆）
70
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.7
热阻抗（ ℃/ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.9
IGBT
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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2005年5月
0.7
APTGT75DDA60T3
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
ZVS
ZCS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=12
T
J
=150°C
二极管的正向特性
150
125
100
I
C
(A)
75
50
25
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
c
=85°C
60
40
20
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
100
HARD
开关
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
1.2
热阻抗（ ℃/ W）
二极管
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
1
10
0
0.00001
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5-5
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2005年5月
QQ：2880707522 复制
