APTGT600U120D4G
单开关
沟道+场截止IGBT
电源模块
1
V
CES
= 1200V
I
C
= 600A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
沟道+场站IGBT技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
M6电源连接器
M4连接器的信号
高集成度
3
5
2
好处
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联阳性T
C
V的
CESAT
符合RoHS
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1200
900
600
1200
±20
2500
1200A@1050V
单位
V
APTGT600U120D4G - 修订版2008年7月2日
A
V
W
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
请参阅应用笔记APT0502上www.microsemi.com
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1-5
APTGT600U120D4G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 600A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 24毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.7
2.0
5.8
最大
5
2.1
6.5
400
单位
mA
V
V
nA
5.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
I
sc
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
短路数据
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GE
= ± 15V ，我
C
=600A
V
CE
=600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 600A
R
G
= 1.2Ω
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 600A
R
G
= 1.2Ω
V
GE
= ±15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 600A
T
j
= 125°C
R
G
= 1.2Ω
V
GE
≤15V
; V
公共汽车
= 900V
t
p
≤
为10μs ;牛逼
j
= 125°C
民
典型值
43
2.25
2
5.6
280
90
550
130
300
100
650
180
50
mJ
88
2400
A
最大
单位
nF
C
ns
ns
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RRM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 600A
V
R
= 600V
I
F
= 600A
V
GE
= 0V
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
750
1000
600
1.6
1.6
250
350
60
115
28
52
2.1
单位
V
A
A
V
ns
C
mJ
APTGT600U120D4G - 修订版2008年7月2日
的di / dt = 7000A / μs的
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2-5
APTGT600U120D4G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
M6
M4
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
1
民
典型值
最大
0.05
0.075
150
125
125
5
2
350
单位
° C / W
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
D4封装外形
（单位：mm ）
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3-5
APTGT600U120D4G - 修订版2008年7月2日
APTGT600U120D4G
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
1200
1000
T
J
=125°C
1200
1000
I
C
(A)
T
J
=25°C
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
800
600
400
200
0
0
1
2
V
CE
(V)
Transfert特点
I
C
(A)
800
600
400
200
0
3
4
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
能量损失VS集电极电流
180
160
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.2
T
J
= 125°C
EOFF
宙
1200
1000
800
I
C
(A)
600
400
T
J
=25°C
T
J
=125°C
140
120
E（兆焦耳）
100
80
60
40
20
0
Er
T
J
=125°C
200
0
5
6
7
8
9
V
GE
(V)
10
11
12
宙
0
200
400
600
I
C
(A)
800
1000 1200
开关损耗VS栅极电阻
250
200
E（兆焦耳）
150
EOFF
EOFF
1400
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 600A
T
J
= 125°C
宙
反向偏置安全工作区
1200
1000
I
C
(A)
800
600
400
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=1.2
100
50
0
0
2
4
6
8
栅极电阻（欧姆）
10
Er
200
0
0
400
800
V
CE
(V)
1200
1600
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.06
热阻抗（ ℃/ W）
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
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APTGT600U120D4G - 修订版2008年7月2日
APTGT600U120D4G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
50
40
30
20
10
ZVS
ZCS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=1.2
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
1200
1000
800
I
C
(A)
600
400
T
J
=25°C
0
100
HARD
开关
200
0
300
400
I
C
(A)
500
600
700
800
0
T
J
=125°C
T
J
=25°C
200
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.08
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.06
0.7
0.5
0.3
0.02
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
0.001
单脉冲
二极管
0.04
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
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