APTGT50X60T3G
3相桥
沟道+场截止IGBT
电源模块
15
16
19
20
18
23
25
29
30
22
28
R1
31
14
V
CES
= 600V
I
C
= 50A * @ T = 80℃
应用
电机控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
符合RoHS
11
10
12
8
7
4
3
2
13
因此建议以连接一个去耦电容
引脚之间31 & 2 ,以减少开关过电压,如果DC
电源连接引脚15 , 16 & 12之间。
引脚15 & 16必须短接在一起。
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
最大额定值
600
80*
50*
100
±20
176
100A @ 550V
单位
V
A
V
W
2007年7月
1-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
* IGBT元件,但输出电流的规范必须限制在40A在Tc = 80℃, 65A在Tc = 25° C不至
超过超过120 ℃的温度下的连接器较大。
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT50X60T3G
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
:热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.85
1.42
175
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M4
SP3封装外形
(单位:mm )
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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3-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
2007年7月
17
28
APTGT50X60T3G
工作频率与集电极电流
最大频率,工作频率(kHz )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
HARD
开关
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=8.2
T
J
=150°C
T
c
=85°C
二极管的正向特性
100
80
60
40
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.6
热阻抗( ℃/ W)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
I
F
(A)
Microsemi的保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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2007年7月