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APTGT50X60T3G
3相桥
沟道+场截止IGBT
电源模块
15
16
19
20
18
23
25
29
30
22
28
R1
31
14
V
CES
= 600V
I
C
= 50A * @ T = 80℃
应用
电机控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
突出表现在高频率
手术
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源和信号端子可焊
为便于PCB安装
低调
符合RoHS
11
10
12
8
7
4
3
2
13
因此建议以连接一个去耦电容
引脚之间31 & 2 ,以减少开关过电压,如果DC
电源连接引脚15 , 16 & 12之间。
引脚15 & 16必须短接在一起。
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
最大额定值
600
80*
50*
100
±20
176
100A @ 550V
单位
V
A
V
W
2007年7月
1-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
* IGBT元件,但输出电流的规范必须限制在40A在Tc = 80℃, 65A在Tc = 25° C不至
超过超过120 ℃的温度下的连接器较大。
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
APTGT50X60T3G
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 600A
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
250
1.9
6.5
600
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号特性
C
IES
C
OES
C
水库
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
R
G
= 8.2
电感式开关( 150 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
R
G
= 8.2
V
GE
= ±15V
T
j
= 25°C
V
公共汽车
= 300V
T
j
= 150°C
I
C
= 50A
T
j
= 25°C
R
G
= 8.2
T
j
= 150°C
典型值
3150
200
95
110
45
200
40
120
50
250
60
0.3
0.43
1.35
1.75
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
E
r
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复能量
V
R
=600V
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
50
1.6
1.5
100
150
2.6
5.4
0.6
1.2
2
V
ns
2007年7月
2-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
I
F
= 50A
V
R
= 300V
的di / dt = 1800A / μs的
C
mJ
www.Microsemi.com
APTGT50X60T3G
温度传感器NTC
(见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息) 。
符号特性
电阻@ 25°C
R
25
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
1
R
T
:热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T:热敏电阻温度
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
典型值
最大
0.85
1.42
175
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M4
SP3封装外形
(单位:mm )
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
www.Microsemi.com
3-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
2007年7月
17
28
APTGT50X60T3G
典型性能曲线
输出特性(Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
100
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
100
T
J
=25°C
80
I
C
(A)
T
J
=125°C
80
I
C
(A)
T
J
=150°C
V
GE
=13V
60
40
20
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
60
V
GE
=15V
40
20
0
V
GE
=9V
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
100
80
60
40
20
0
5
Transfert特点
3.5
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
3
2.5
E(兆焦耳)
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 8.2
T
J
= 150°C
EOFF
I
C
(A)
2
1.5
1
Er
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
0.5
0
11
12
0
20
40
I
C
(A)
60
80
6
7
8
9
10
100
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
3
2.5
2
E(兆焦耳)
1.5
1
Er
反向偏置安全工作区
125
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 150°C
EOFF
100
I
C
(A)
75
50
25
0
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=8.2
0.5
0
5
15
25
35
45
55
栅极电阻(欧姆)
65
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1
热阻抗( ℃/ W)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
IGBT
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
www.Microsemi.com
4-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
2007年7月
0.5
APTGT50X60T3G
工作频率与集电极电流
最大频率,工作频率(kHz )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
HARD
开关
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=8.2
T
J
=150°C
T
c
=85°C
二极管的正向特性
100
80
60
40
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
1.6
热阻抗( ℃/ W)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
二极管
0.05
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
I
F
(A)
Microsemi的保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
www.Microsemi.com
5-5
APTGT50X60T3G - 牧师0
2007年7月
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    -
    -
    -
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联系人:曾小姐
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
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APTGT50X60T3G
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SP3
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联系人:李
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Microchip Technology
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