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APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
输入整流桥+制动
+ 3相桥
沟道IGBT
电源模块
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
交流电动机的控制
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
低杂散电感
高集成度
开尔文射,方便车道
低杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
好处
低传导损耗
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
APTGT50X170RTP3 :不带刹车(引脚7 & 14未连接)
21
20 19
18 17
16 15
14 13 12 11 10
22
9
8
23
7
24
1
2
3
4
5
6
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
I
D
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
直流正向电流
正向电流浪涌
t
p
= 10ms的
T
C
= 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
最大额定值
1600
80
500
400
单位
V
A
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-4
APTGT50X170BTP3 - 版本1 ,
2004年2月,
1.绝对最大额定值
整流二极管
绝对最大额定值
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
IGBT &二极管刹车
(仅适用于APTGT50X170BTP3 )
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
I
F
参数
集电极 - 发射极击穿电压
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
最大额定值
1700
70
50
100
±20
310
50
单位
V
A
V
W
A
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
直流正向电流
绝对最大额定值
IGBT &二极管逆变器
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
I
F
I
FRM
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置保存工作区
直流正向电流
重复峰值正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
T
C
= 80°C
t
p
为1ms
最大额定值
1200
70
50
100
±20
310
100A @ 1700V
50
100
单位
V
A
V
W
A
2.电气特性
整流二极管
电气特性
符号
I
R
V
F
R
thJC
特征
反向电流
正向电压
结到外壳
测试条件
V
R
= 1600V
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
I
F
= 50A
典型值
3
1.0
最大
单位
mA
V
° C / W
0.65
IGBT制动&二极管
(仅适用于APTGT50X170BTP3 )
电气特性
符号特性
I
CES
零栅极电压集电极电流
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
C
IES
C
水库
V
F
R
thJC
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
输入电容
反向传输电容
正向电压
结到外壳
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V,V
CE
= 25V
F = 1MHz的
T
j
= 25°C
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
T
j
= 125°C
IGBT
二极管
典型值
2.0
2.4
5.8
4400
150
1.8
1.9
最大
6
2.4
6.5
600
单位
mA
V
V
nA
2004年2月,
2-4
APTGT50X170BTP3 - 版本1 ,
5.0
pF
2.2
0.4
0.7
V
° C / W
APT网站 - http://www.advancedpower.com
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
IGBT &二极管逆变器
电气特性
符号特性
BV
CES
集电极 - 发射极击穿电压
I
CES
零栅极电压集电极电流
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
C
IES
C
RSS
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
关闭
V
F
Q
rr
R
thJC
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭能源
正向电压
反向恢复电荷
结到外壳
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 2.5毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V ;V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
电感式开关( 125°C )
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
I
F
= 50A
V
R
= 900V
di/dt=990A/s
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
IGBT
二极管
1700
典型值
最大
5
2.4
6.5
600
单位
V
mA
V
V
nA
pF
5.0
2.0
2.4
5.8
4400
150
200
90
720
90
220
90
820
110
22
1.8
1.9
19
30
ns
ns
mJ
2.2
V
C
0.40
0.70
° C / W
温度传感器NTC
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/50
T
25
= 298.16 K
典型值
5
3375
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
EXP
B
25 / 50
1 1
T
25
T
T:热敏电阻温度
R
T
:热敏电阻在T值
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3-4
APTGT50X170BTP3 - 版本1 ,
符号特性
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,
V
ISOL
我isol<1mA , 50 / 60Hz的
T
J
工作结温范围
T
英镑
存储温度范围
T
C
工作温度
散热器来
扭矩安装扭矩
Wt
包装重量
3.热和包装特点
2500
-40
-40
-40
典型值
最大
150
125
125
3.3
300
单位
V
°C
牛米
g
2004年2月,
M5
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
4.包装外形
销1
引脚24
所有尺寸注明" * "如TOLERENCED :
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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4-4
APTGT50X170BTP3 - 版本1 ,
2004年2月,
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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