APTGT50TDU60P
三重双共源
沟道+场截止IGBT
电源模块
C1
C3
C5
G1
G3
G5
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
E1
E1/E2
E3
E3/E4
E5
E5
/E6
E2
E4
E6
G2
C2
G4
C4
G6
C6
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
非常低的（12毫米）简介
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
C1
C3
C5
G1
E1/E2
E1
E2
G2
E3/E4
G3
E3
E4
G4
E5/E6
G5
E5
E6
G6
C2
C4
C6
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
最大额定值
600
80
50
100
±20
176
100A @ 550V
单位
V
A
V
W
2005年5月
1-5
APTGT50TDU60P - 牧师0 ，
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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APTGT50TDU60P
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 600A
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
典型值
1.5
1.7
5.8
最大
250
1.9
6.5
600
单位
A
V
V
nA
5.0
动态特性
符号特性
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
R
G
= 10
电感式开关（ 150 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 300V
I
C
= 50A
R
G
= 10
民
典型值
3150
200
95
110
45
200
40
120
50
250
60
0.87
1.75
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
民
600
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=600V
占空比为50％
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
V
R
= 300V
的di / dt = 1800A / μs的
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APTGT50TDU60P - 牧师0 ，
2005年5月
50
1.6
1.5
125
220
2.6
5.4
2
V
ns
C
APTGT50TDU60P
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
民
典型值
最大
0.85
1.42
175
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M6
包装外形
（单位：mm ）
5位（ 3 ： 1 ）
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APTGT50TDU60P - 牧师0 ，
2005年5月
APTGT50TDU60P
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
100
T
J
= 150°C
V
GE
=19V
100
T
J
=25°C
80
I
C
(A)
T
J
=125°C
80
I
C
(A)
T
J
=150°C
V
GE
=13V
60
40
20
0
0
0.5
1
T
J
=25°C
60
V
GE
=15V
40
20
0
V
GE
=9V
1.5
V
CE
(V)
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
V
CE
(V)
2.5
3
3.5
100
80
60
40
20
0
5
Transfert特点
3.5
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
3
2.5
E（兆焦耳）
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
T
J
= 150°C
EOFF
宙
I
C
(A)
2
1.5
1
Er
宙
T
J
=125°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
0.5
0
11
12
0
20
6
7
8
9
10
40
I
C
(A)
60
80
100
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
6
5
4
E（兆焦耳）
3
2
宙
反向偏置安全工作区
125
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 150°C
宙
100
EOFF
EOFF
I
C
(A)
75
50
25
0
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=10
1
0
5
15
Er
25
35
45
55
栅极电阻（欧姆）
65
0
100
200
300 400
V
CE
(V)
500
600
700
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
1
热阻抗（ ℃/ W）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
IGBT
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
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APTGT50TDU60P
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
HARD
开关
ZVS
ZCS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=10
T
J
=150°C
二极管的正向特性
100
80
60
40
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
I
C
(A)
T
c
=85°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
1.6
热阻抗（ ℃/ W）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
二极管
0
0.00001
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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