APTGT50TA170P
TRIPLE相脚
沟道IGBT
电源模块
VBUS1
VBUS2
VBUS3
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
G3
G5
E1
U
E3
V
E5
W
G2
G4
G6
E2
0/VBUS1
E4
0/VBUS2
E6
0/VBUS3
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射,方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
开尔文射,方便车道
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
非常低的(12毫米)简介
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
三倍的电流能力腿
模块可以被配置为一个三相桥
模块可以被配置为一个升压后跟一个
全桥
APTGT50TA170P - 牧师0 , 2004年9月
VBUS 1
VBUS 2
VBUS 3
G1
0 / 1 VBUS
E1
E2
G2
0 / 2 VBUS
G3
E3
E4
G4
0 / 3 VBUS
G5
E5
E6
G6
U
V
W
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置保存工作区
最大额定值
1700
70
50
100
±20
310
100A @ 1600V
单位
V
A
V
W
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循
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1-5
APTGT50TA170P
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
I
CES
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 2.5毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
民
1700
典型值
最大
5
单位
V
mA
V
V
nA
2.0
2.4
5.0
2.4
6.5
600
动态特性
符号特性
C
IES
C
RSS
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
E
on
E
关闭
输入电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V ;V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关( 25 ° C)
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
电感式开关( 125°C )
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
二极管
民
典型值
4400
150
200
90
720
90
220
90
820
110
29
22
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
E
on
包括二极管的反向恢复
按照JEDEC标准JESD24-1
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
V
F
Q
rr
最大反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复电荷
测试条件
V
R
=1700V
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
V
R
= 900V
的di / dt = 990A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1700
典型值
最大
250
500
2.2
单位
V
A
V
C
APTGT50TA170P - 牧师0 , 2004年9月
1.8
1.9
19
30
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2-5
APTGT50TA170P
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
3500
-40
-40
-40
3
民
典型值
最大
0.4
0.7
150
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压,任何终端来区分T = 1分,我isol<1mA , 50 / 60Hz的
散热器来
M6
包装外形
5位( 3 : 1 )
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3-5
APTGT50TA170P - 牧师0 , 2004年9月
APTGT50TA170P
典型性能曲线
输出特性(Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
100
T
J
= 125°C
125
100
T
J
=25°C
75
I
C
(A)
V
GE
=17V
V
GE
=15V
I
C
(A)
75
50
25
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V
CE
(V)
3
3.5
4
T
J
=125°C
50
V
GE
=13V
25
V
GE
=9V
0
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
125
100
Transfert特点
100
80
E(兆焦耳)
60
40
20
0
5
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
0
能量损失VS集电极电流
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 22
T
J
= 125°C
宙
T
J
=25°C
I
C
(A)
75
50
T
J
=125°C
EOFF
25
0
25
50
I
C
(A)
75
100
125
开关损耗VS栅极电阻
125
100
E(兆焦耳)
75
50
25
0
0
20
40
60
栅极电阻(欧姆)
80
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 125°C
宙
反向安全工作区
120
100
80
I
C
(A)
60
40
20
0
0
400
800
1200
1600
V
CE
(V)
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=22
EOFF
0.45
热阻抗( ℃/ W)
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
最大有效瞬态热阻抗,结到脉冲宽度
IGBT
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间(秒)
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APTGT50TA170P
工作频率与集电极电流
最大频率,工作频率(kHz )
50
40
30
20
10
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
ZCS
ZVS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=22
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
100
75
I
C
(A)
T
J
=25°C
50
T
J
=125°C
25
HARD
开关
0
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗,结到脉冲宽度
0.8
热阻抗( ℃/ W)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0.7
0.5
0.3
0.9
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间(秒)
APT保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息,这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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