APTGT50SK170T
降压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
VBUS
Q1
G1
NT C2
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
E1
OUT
0 / VBU一举两得
0 / VBU S
NT C1
0/VBUS
SENSE
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
E1
G1
0/VBUS
SENSE
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
V
W
反向偏置安全工作区
100A @ 1600V
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
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1-5
APTGT50SK170T - 牧师0
2005年5月
最大额定值
1700
75
50
100
±20
312
单位
V
A
APTGT50SK170T
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
5.0
民
典型值
2.0
2.4
5.8
最大
250
2.4
6.5
400
单位
A
V
V
nA
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 10
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 10
民
典型值
4400
180
150
370
40
650
180
400
50
800
300
16
15
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
I
RM
I
F（ A V ）
V
F
t
rr
Q
rr
最大峰值重复反向电压
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 80℃
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1700
典型值
最大
250
500
单位
V
A
A
最大反向漏电流
最大平均正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
R
=1700V
占空比为50％
I
F
= 50A
I
F
= 50A
V
R
= 900V
的di / dt = 800A / μs的
50
1.8
1.9
385
490
14
23
2.2
V
ns
C
2005年5月
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APTGT50SK170T - 牧师0
APTGT50SK170T
温度传感器NTC
（见www.advancedpower.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.4
0.7
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
3400
-40
-40
-40
1.5
包装外形
（单位：mm ）
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APTGT50SK170T - 牧师0
2005年5月
APTGT50SK170T
典型性能曲线
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
100
T
J
= 125°C
80
I
C
(A)
60
40
20
0
V
GE
=20V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
T
J
=25°C
I
C
(A)
T
J
=125°C
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
2 2.5
V
CE
(V)
3
3.5
4
0
1
2
3
V
CE
(V)
4
5
Transfert特点
100
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
V
GE
(V)
开关损耗VS栅极电阻
50
40
E（兆焦耳）
30
20
10
Er
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 125°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
能量损失VS集电极电流
50
40
E（兆焦耳）
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
T
J
= 125°C
宙
I
C
(A)
T
J
=125°C
30
20
EOFF
Er
Er
10
0
10
11
12
13
0
20
40
I
C
(A)
反向偏置安全工作区
125
宙
60
80
100
100
I
C
(A)
75
50
25
0
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=10
EOFF
0
0
10
20 30 40 50 60
栅极电阻（欧姆）
70
80
0
400
800
1200
1600
2000
V
CE
(V)
0.45
热阻抗（ ℃/ W）
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
0.1
0.05
0.9
0.7
0.5
0.3
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
IGBT
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
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APTGT50SK170T
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
30
25
20
ZVS
ZCS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=10
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
100
90
80
70
I
C
(A)
60
50
40
30
T
J
=125°C
T
J
=25°C
15
10
5
0
0
10
20
30
40
I
C
(A)
HARD
开关
T
J
=125°C
20
10
0
50
60
70
80
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.8
热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0.9
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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