APTGT50DDA60T3G
双升压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
13 14
V
CES
= 600V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
CR1
CR2
22
7
23
Q1
26
27
8
Q2
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
高集成度
内部热敏电阻的温度监测
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
每条腿可以很容易地并联，以实现
当前能力的两倍单一的推动作用。
符合RoHS
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-5
APTGT50DDA60T3G - 版本1
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
最大额定值
600
80
50
100
±20
176
100A @ 550V
单位
V
2006年6月，
A
V
W
APTGT50DDA60T3G
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
民
典型值
最大
0.85
1.42
175
125
100
4.7
110
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M4
2500
-40
-40
-40
2.5
SP3封装外形
（单位：mm ）
1
12
请参见应用笔记1901 - 上www.microsemi.com安装说明SP3电源模块
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3-5
APTGT50DDA60T3G - 版本1
2006年6月，
17
28
APTGT50DDA60T3G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
I
C
(A)
60
80
HARD
开关
ZVS
ZCS
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=8.2
T
J
=150°C
二极管的正向特性
100
80
60
40
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
I
F
(A)
T
c
=85°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.6
热阻抗（ ℃/ W）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
以秒为单位的矩形脉冲持续时间
1
10
二极管
0.05
0
0.00001
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTGT50DDA60T3G - 版本1
2006年6月，
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