APTGT50DA170T1G
升压斩波
沟道+场截止IGBT
电源模块
5
6
11
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
CR1
Q2
CR2
9
10
1
2
3
4
特点
NTC
12
好处
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA评分
极低的杂散电感
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
符合RoHS
管脚1/2 ; 3/4 ; 5/6必须短接在一起
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
最大额定值
1700
75
50
100
±20
312
100A @ 1600V
单位
V
2007年8月，
1–5
APTGT50DA170T1G - 牧师0
A
V
W
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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APTGT50DA170T1G
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
3500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.40
0.70
150
125
100
4.7
80
单位
° C / W
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
V
°C
牛米
g
散热器来
M4
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
R
T
=
R
25
1
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
1
R
T
：热敏电阻在T值
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
SP1程序包大纲
（单位：mm ）
请参见应用笔记1904年 - 上www.microsemi.com安装说明SP1功率模块
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APTGT50DA170T1G - 牧师0
2007年8月，
APTGT50DA170T1G
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
I
C
(A)
50
60
70
80
HARD
开关
ZVS
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=10
T
J
=125°C
T
C
=75°C
二极管的正向特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
T
J
=25°C
I
F
(A)
ZCS
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.8
热阻抗（ ℃/ W）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0.9
二极管
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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2007年8月，
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